Опис

Польовий транзистор для електронних пристроїв FHA50N50 ( 50N50 )(заміна для FQA50N50 , FDA50N50 ) оригінал, TO-3P

Характеристики:

50 А, 500 В
Низький заряд затвора
Низький Crss
100% протестовано на лавинну стійкість
Відповідність RoHS

Опис:

Ці N-канальні польові транзистори з покращеним режимом живлення виготовляються з використанням власної планарної смугастої DMOS-технології. Ця передова технологія була спеціально розроблена для мінімізації опору у відкритому стані, забезпечення чудової комутаційної продуктивності та витримування високоенергетичних імпульсів у лавинному та комутаційному режимі. Ці пристрої добре підходять для високоефективного імпульсного живлення, корекції коефіцієнта потужності, електронного лампового баласту на основі напівмоста.