Опис
Польовий транзистор для електронних пристроїв HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінал, PDFN5x6
Загальний опис：HGQ022N03A, кремнієвий N-канальний покращений VDMOSFET, виготовлений за технологією високої щільності Trench, що зменшує втрати провідності, покращує характеристики перемикання та збільшує енергію лавини. Цей пристрій підходить для використання як перемикач навантаження та ШІМ-застосувань. Форма корпусу— PDFN5*6, що відповідає стандарту RoHS.
Характеристики：
– Швидке перемикання
– Низький опір увімкнення (Rdson≤2,2 мОм)
– Низький заряд затвора
– Низькі ємності зворотного переносу
– 100% одноімпульсне випробування енергії лавини
Застосування：
-Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.
-Електронна сигарета
-Електроінструмент
Відгуки
Відгуків немає, поки що.