Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-92L |
Транзистор 2SA935
9,40 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SA935 – кремнієвий PNP транзистор в пластиковому корпусі TO-92L. Нова деталь.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-92L |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -80 В (V(BR)CEO, IC -2 мА, IB = 0) |
| Напруга Vcbo | -80 В (V(BR)CBO, IC -50 мкА, IE = 0) |
| Імпульсний струм колектора ICM | -0.7 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 82–390 (VCE -3 В, IC -100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.4 В (макс., IC -500 мА, IB -50 мА) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.75 Вт (Tamb 25 °C) |
| Гранична частота fT | 100 МГц (мін., VCE -10 В, IC -50 мА) |
| Діапазон температур переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92L |
2SA935 – PNP транзистор у пластиковому корпусі TO-92L. За даними документа 2SA935 (TRANSYS Electronics Limited): напруга Vceo -80 В (V(BR)CEO, IC -2 мА, IB = 0), напруга Vcbo -80 В (V(BR)CBO, IC -50 мкА, IE = 0), імпульсний струм колектора ICM -0.7 А. Коефіцієнт підсилення hFE 82–390 при VCE -3 В, IC -100 мА (групи P 82–180, Q 120–270, R 180–390). Напруга насичення Vce(sat) -0.4 В макс. (IC -500 мА, IB -50 мА), потужність розсіювання Pd 0.75 Вт при Tamb 25 °C, гранична частота fT 100 МГц мін. (VCE -10 В, IC -50 мА).
Нова деталь, не демонтаж. При заміні звіряйте тип PNP, корпус TO-92L, напругу Vceo, струм, потужність і групу за hFE (P, Q або R): значення порівнюйте лише за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Це нова деталь чи демонтаж?
Нова деталь, не демонтаж.
Чим замінити 2SA935?
Підбирайте PNP транзистор у корпусі TO-92L з не гіршими Vceo, струмом, Pd і fT та близьким hFE, порівнюючи значення за однакових умов у datasheet. Готових аналогів у нашому каталозі для цієї позиції немає.
Як перевірити PNP транзистор?
Мультиметром у режимі діодного тесту перевірте переходи база–емітер і база–колектор: у PNP діод відкривається, коли мінус щупа на базі. Пробій або обрив видно одразу.
Що означають групи P, Q, R у 2SA935?
Це діапазони коефіцієнта підсилення hFE при VCE -3 В, IC -100 мА: P 82–180, Q 120–270, R 180–390.
Документація виробника: 2SA935 (TRANSYS Electronics Limited).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2N5551 , to92
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | 160 В (Ta 25 °C, Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 180 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 80–250 (Vce 5 В, Ic 10 мА) |
| Vce(sat) | 0.2 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| fT | 100–300 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Cob | 6 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1273
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга Vcbo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -2 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 100–320 (Vce -2 В, Ic -500 мА; клас O 100–200, клас Y 160–320) |
| Vce(sat) | -2,0 В макс. (Ic -1,5 А, Ib -0,03 А) |
| Гранична частота fT | 120 МГц тип. (Vce -2 В, Ic -500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 48 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1625
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга V(BR)CBO | -400 В (Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Напруга V(BR)CEO | -400 В (Ic -1 мА, Ib 0) |
| Напруга V(BR)EBO | -7 В (Ie -100 мкА, Ic 0) |
| Імпульсний струм Icm | -0,5 А (Tamb 25 °C) |
| Потужність Pcm | 750 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| hFE | 40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200) |
| Vce(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA614-Y (KSA614-Y) демонтаж
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -55 В (IC -10 мА, IB 0; Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В (IC -500 мкА, IE 0; Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (IE -500 мкА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | -3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, група Y | 120–240 (VCE -5 В, IC -0,5 А) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.