Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор 2SB817 ( B817 ) демонтаж, TO3P
70,50 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
2SB817 (B817) – силовий PNP транзистор SPTECH у корпусі TO-3P. Демонтаж – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP, кремнієвий силовий |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга Vceo | -140 В (Ta 25 °C, Ic -30 мА) |
| Напруга Vcbo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | -12 А (імпульсний -15 А) |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–200 (Ic -1 А, Vce -5 В) |
| Vce(sat) | -2,5 В (Ic -5 А, Ib -0,5 А) |
| fT | 15 МГц (Ic -1 А, Vce -5 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Демонтаж б/в |
2SB817 (B817) – кремнієвий силовий біполярний транзистор типу PNP виробництва SPTECH у корпусі TO-3P. Напруга колектор–емітер Vceo -140 В при Ta 25 °C і Ic -30 мА, колектор–база Vcbo -160 В, емітер–база Vebo -6 В. Постійний струм колектора Ic -12 А, імпульсний -15 А. Потужність розсіювання Pd 100 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу Tj 150 °C. Коефіцієнт підсилення hFE 60–200 при Ic -1 А і Vce -5 В; hFE-2 не менше 20 при Ic -6 А; класи D 60–120 і E 100–200. Напруга насичення Vce(sat) до -2,5 В при Ic -5 А і Ib -0,5 А. Гранична частота fT 15 МГц при Ic -1 А і Vce -5 В.
Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Це демонтаж б/в. Заміну підбирайте за типом (PNP), корпусом TO-3P і розпіновкою: Vceo, Ic і Pd аналога мають бути не нижчими за наведені вище. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Чим замінити 2SB817?
Беріть PNP транзистор у корпусі TO-3P з такою самою розпіновкою. Vceo, Ic і Pd мають бути не нижчими за -140 В, -12 А і 100 Вт (при Tc 25 °C). Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Демонтаж б/в: знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є комплект з 2SB817?
У каталозі є комплект 2SD1047+2SB817 (оригінали, TO-3P). Це окрема позиція, параметри пари звіряйте за datasheet.
Який у 2SB817 коефіцієнт підсилення?
hFE 60–200 при Ic -1 А і Vce -5 В. Є класи: D 60–120 і E 100–200.
Документація виробника: 2SB817 (SPTECH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор 2SD1047+2SB817 ( D1047+B817 , KTD1047+KTB817 ) оригінали , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SD1047) + PNP (2SB817) |
| Корпус | TO-3P |
| Vceo | 140 В, Ta 25 °C; Ic 30 мА, Ib 0 (мін.) |
| Vcbo | 160 В, Ta 25 °C |
| Vebo | 6 В, Ta 25 °C |
| Ic | 12 А, Ta 25 °C |
| Ptot | 100 Вт, Ta 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 | 60–200, Vce 5 В, Ic 1 А |
| Vce(sat) | 2.5 В (макс.), Ic 5 А, Ib 0.5 А |
| fT | 15 МГц (typ), Vce 5 В, Ic 1 А |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SA1625
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга V(BR)CBO | -400 В (Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Напруга V(BR)CEO | -400 В (Ic -1 мА, Ib 0) |
| Напруга V(BR)EBO | -7 В (Ie -100 мкА, Ic 0) |
| Імпульсний струм Icm | -0,5 А (Tamb 25 °C) |
| Потужність Pcm | 750 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| hFE | 40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200) |
| Vce(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA614-Y (KSA614-Y) демонтаж
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -55 В (IC -10 мА, IB 0; Tc 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В (IC -500 мкА, IE 0; Tc 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (IE -500 мкА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | -3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE, група Y | 120–240 (VCE -5 В, IC -0,5 А) |
| Стан | Демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.