Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AO4614 оригінал, so-8
37,60 ₴
46 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AO4614 – комплементарна пара MOSFET: N-канал і P-канал в одному корпусі SO-8. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара: N-канал + P-канал в одному корпусі |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor (AOS) |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
AO4614 – здвоєний польовий транзистор виробництва Alpha & Omega Semiconductor. В одному корпусі SO-8 стоять N-канал і P-канал, тобто комплементарна пара. Така пара зручна там, де потрібен і нижній, і верхній ключ, наприклад у мостових схемах, і дає змогу обійтися одним корпусом замість двох окремих транзисторів.
Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Числових параметрів у картці немає: datasheet виробника є на версію AO4614B, а на AO4614 без суфікса ми його не знайшли. Точні значення Vds, Id і Rds(on) звіряйте з datasheet саме на потрібну вам версію. Підбираючи заміну, шукайте комплементарну пару N+P у корпусі SO-8 з такою самою розпіновкою і порівнюйте напругу, струм та опір відкритого каналу кожного каналу при однакових умовах вимірювання.
Де застосовують
- H-мости
- Інвертори
- Схеми на комплементарних MOSFET з низьким Rds(on) і малим зарядом затвора
Що це за деталь – один транзистор чи два?
Два в одному корпусі SO-8: N-канал і P-канал, комплементарна пара.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити AO4614?
Потрібна комплементарна пара N+P у корпусі SO-8 з такою самою розпіновкою. Порівняйте напругу, струм і опір відкритого каналу обох каналів при однакових умовах вимірювання.
Чому в картці немає параметрів?
Datasheet на AO4614 без суфікса ми не знайшли. Datasheet виробника є на версію AO4614B, а збіг параметрів з AO4614 потрібно звіряти за документом, тому цифр тут немає.
Документація виробника: AO4614B, 40V Dual P + N-Channel MOSFET, Rev 3.1 (документ на версію з суфіксом B, не на AO4614 без суфікса).
Datasheet виробника є на версію AO4614B; на AO4614 без суфікса документа не знайдено, тому числових параметрів у картці немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.