Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Транзистор BUZ90AF (600V,4A),TO220F

42,30 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

BUZ90AF – високовольтний польовий транзистор (MOSFET) N-канал на 600 В і 4 А в ізольованому корпусі TO220F.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc = 30 °C)4 А
Опір відкритого каналу Rds(on) (Vgs = 10 В, Id = 2.8 А)2 Ом (макс.)
Порогова напруга Vgs(th) (Vgs = Vds, Id = 1 мА)2.1–4 В
Вхідна ємність Ciss (Vds = 25 В)780 пФ (тип.)
Вихідна ємність Coss (Vds = 25 В)110 пФ (тип.)
Прохідна ємність Crss (Vds = 25 В)40 пФ (тип.)
КорпусTO-220F
ВиводиG, D, S (1, 2, 3)
Діапазон температур-55…+150 °C
Опис

BUZ90AF – польовий транзистор (MOSFET) N-каналу виробництва Siemens із серії SIPMOS, у ізольованому корпусі TO220F. Напруга стік–витік Vds – 600 В, струм стоку Id – 4 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 2 Ом (типово 1.7 Ом) при Vgs = 10 В і Id = 2.8 А. Порогова напруга затвора Vgs(th) – від 2.1 до 4 В (типово 3 В). Вхідна ємність Ciss – типово 780 пФ, вихідна Coss – 110 пФ, прохідна Crss – 40 пФ (Vds = 25 В, f = 1 МГц). Виводи: затвор, стік, витік (1, 2, 3). Діапазон температур переходу – від -55 до +150 °C.

Якщо підбираєте заміну, беріть транзистор того самого типу каналу, у такому самому корпусі й з розпіновкою затвор–стік–витік, з напругою не нижче 600 В. Порівнюйте струм і опір відкритого каналу за datasheet на свою схему. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Часто питають
Які основні параметри BUZ90AF?

600 В, 4 А, корпус TO220F (ізольований). N-канал, Rds(on) не більше 2 Ом при Vgs = 10 В, Vgs(th) від 2.1 до 4 В.

Чим замінити BUZ90AF?

Підбирайте N-канальний транзистор у корпусі TO220F з такою самою розпіновкою (затвор, стік, витік) і напругою не нижче 600 В. Струм і опір каналу звіряйте за datasheet.

Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Datasheet

Документація виробника: Siemens BUZ 90 A (SIPMOS), Semiconductor Group, 07/96.

Параметри кристала наведено за datasheet Siemens BUZ 90 A (SIPMOS, 07/96).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Siemens BUZ 90 A (SIPMOS), Semiconductor Group, 07/96 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220

В наявності

117,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss40 В
Струм Id (25 °C)210 А
Струм Id (100 °C)148 А
Rds(on)2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А
Vgs(th)1.3–2.5 В при Id 250 мкА
Заряд затвора Qg239 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання310 Вт
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипN-канальний MOSFET (CoolMOS)
V(BR)DSS500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА)
Струм Id16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C)
Qg66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А)
Вхідна ємність Ciss1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Ptot160 Вт (Tc 25 °C)
Vgs±20 В
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5