Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Транзистор IRF7478 , so-8
58,75 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRF7478 – N-канальний SMPS MOSFET International Rectifier (Infineon) у корпусі SO-8 для високочастотних DC-DC перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (SMPS) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В) | 7.0 А |
| Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В) | 5.6 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 4.2 А, макс.) | 26 мОм |
| Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.5 А, макс.) | 30 мОм |
| Потужність Pd (Ta 25 °C) | 2.5 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
IRF7478 – N-канальний MOSFET виробництва International Rectifier (Infineon) у корпусі SO-8, серія для SMPS. Напруга стік-витік Vds – 60 В (VGS = 0 В, ID 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 7.0 А при VGS 10 В і Ta 25 °C, 5.6 А при Ta 70 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 26 мОм при VGS 10 В, ID 4.2 А, Tj 25 °C (макс., тип. 20) і 30 мОм при VGS 4.5 В, ID 3.5 А (макс.). Повний заряд затвора Qg – 21 нКл (тип.), 31 нКл (макс.) при ID 4.2 А, VDS 48 В, VGS 4.5 В. Вхідна ємність Ciss типово 1740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 2.5 Вт при Ta 25 °C, порогова напруга Vgs(th) – 1.0–3.0 В.
При підборі заміни дивіться на канал, корпус SO-8 і розпіновку, а також на Vds, Id і Rds(on) при тій самій напрузі на затворі. Для імпульсних перетворювачів важливий заряд затвора: від нього залежить навантаження на драйвер. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високочастотні DC-DC перетворювачі
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
Чим замінити IRF7478?
Шукайте N-канальний MOSFET у SO-8 з тією самою розпіновкою: Vds не нижче 60 В, Id порівнянний з 7.0 А, Rds(on) порівнянний з 26 мОм при VGS 10 В. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Для чого призначений IRF7478?
Виробник описує його як SMPS MOSFET для високочастотних DC-DC перетворювачів.
Чи можна керувати IRF7478 від 4.5 В?
Rds(on) нормується і при VGS 4.5 В: 30 мОм (макс.) при ID 3.5 А.
Що особливого в IRF7478?
Низький заряд затвор-стік знижує втрати на перемиканні. Qgd – 9.6 нКл (тип.) при ID 4.2 А, VDS 48 В, VGS 4.5 В.
Документація виробника: IRF7478PbF, PD-95280.
Параметри наведено за datasheet виробника International Rectifier (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.