Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KF9N25D ( KF9N25 ) оригінал ( заміна для FQD9N25 , TK8P25DA ) , D-PAK
117,50 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
KF9N25D ( KF9N25 ) – N-канальний польовий транзистор KEC в корпусі DPAK для DC/DC перетворювачів і імпульсних джерел живлення. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 250 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 7,5 А (Tc 25 °C), 4,74 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,31 Ом тип., до 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,75 А) |
| Vth | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 14,5 нКл тип. (Vds 200 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 560 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 54,3 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
KF9N25D – N-канальний MOSFET виробництва KEC в корпусі DPAK. Напруга стік–витік 250 В (Ta 25 °C). Струм стоку 7,5 А при Tc 25 °C і 4,74 А при Tc 100 °C. Rds(on) 0,31 Ом (тип.), до 0,40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 3,75 А. Порогова напруга 2,5–4,5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Заряд затвора Qg 14,5 нКл (тип.) при Vds 200 В, Id 9 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 560 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність 54,3 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C. Діод: trr 160 нс (тип.) при Is 9 А, Vgs 0 В, dIs/dt 100 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. KF9N25D може замінити FQD9N25 і TK8P25DA; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Перетворювачі DC/DC
- Імпульсні джерела живлення
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що може замінити KF9N25D?
За назвою товару KF9N25D може замінити FQD9N25 і TK8P25DA. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як підібрати іншу заміну?
Порівнюйте канал, Vdss, Id, Rds(on) при Vgs 10 В і корпус DPAK.
Який Rds(on) і при яких умовах?
0,31 Ом (тип.), до 0,40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 3,75 А.
Документація виробника: KF9N25D Revision No 2 (KEC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.