Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор STP14NK60ZFP оригінал, TO-220F

128,31 ₴

3 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STP14NK60ZFP – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії SuperMESH, 600 В, у корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор-витік
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vds600 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мін.)
Струм Id (TC = 25 °C)13.5 А
Струм Id (TC = 100 °C)8.5 А
Rds(on)0.45 Ом тип., 0.5 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 6 А)
Заряд затвора Qg75 нКл (VDD = 480 В, ID = 12 А, VGS = 10 В)
Vgs(th)3 В мін., 3.75 В тип., 4.5 В макс. (VDS = VGS, ID = 100 мкА)
Напруга Vgs±30 В (абсолютний максимум)
Потужність Pd40 Вт (TC = 25 °C)
Ізоляція Viso2500 В (RMS)
Ємність Ciss2220 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц, VGS = 0)
КорпусTO-220F
Корпус (докладно)TO-220FP (у назві товару: TO-220F)
СтанОригінал
Опис

STP14NK60ZFP – N-канальний польовий MOSFET STMicroelectronics серії SuperMESH у корпусі TO-220FP (у назві товару – TO-220F) із захисним стабілітроном між затвором і витоком. Напруга стік-витік Vds – 600 В (ID = 1 мА, VGS = 0, мінімум). Струм стоку Id – 13.5 А при TC = 25 °C і 8.5 А при TC = 100 °C, обмежений максимальною температурою переходу. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.45 Ом типово, 0.5 Ом максимум при VGS = 10 В, ID = 6 А. Розсіювана потужність Pd – 40 Вт при TC = 25 °C. Ізоляція корпуса Viso – 2500 В (RMS, від усіх трьох виводів до радіатора).

Оригінал, не демонтаж. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус, а остаточно звіряйтеся з datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Потужні N-канальні MOSFET SuperMESH із захистом затвора стабілітронами та високою стійкістю до dv/dt
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити STP14NK60ZFP?

Підбирайте N-канальний MOSFET у тому самому корпусі TO-220F з такою самою розпіновкою. Vds має бути не менше 600 В, Id і Rds(on) – не гірші за наведені вище. Остаточно порівнюйте за datasheet.

Як перевірити STP14NK60ZFP мультиметром?

Перевіряйте деталь поза схемою. Вбудований діод стік-витік у режимі прозвонки має вести в одному напрямку, а канал без сигналу на затворі – не проводити. Замикання між виводами означає пробій.

Чи потрібна ізолююча прокладка до радіатора?

У datasheet для корпусу TO-220FP вказана ізоляція Viso 2500 В (RMS, від усіх трьох виводів до радіатора), тобто корпус ізольований.

Datasheet

Документація виробника: DocID026306 Rev 1 (STB14NK60ZT4, STP14NK60ZFP).

Параметри наведено за datasheet виробника STMicroelectronics (DocID026306 Rev 1).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

DocID026306 Rev 1 (STB14NK60ZT4, STP14NK60ZFP) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Електролітичний конденсатор 1000uF 16V 105C ( 1000мкФ 16В 105град , 1000*16*105гр ) HITANO 10*16мм

В наявності

9,40 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Ємність1000 мкФ
Робоча напруга16 В
Максимальна температура105 °C
Розмір (Ø×L)10×16 мм
ВиробникHITANO
ТипЕлектролітичний, радіальний

Електролітичний конденсатор 470uF 16V 105C ( 470мкФ 16В 105град , 470*16*105гр ) HITANO 8*12мм

В наявності

6,11 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Ємність470 мкФ
Робоча напруга16 В
Максимальна температура105 °C
Розмір (Ø×L)8×12 мм
ВиробникHITANO
ТипЕлектролітичний, радіальний

Оптрон PC817 ( PC817C ) оригінал, DIP4

В наявності

16,45 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип виходуфототранзистор
КорпусDIP-4
Кількість виводів4
Напруга ізоляції Viso5 кВ (rms)
CTR серії50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C)
Ic для рангу C10–20 мА (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C)
Vceo80 В
Ic50 мА
Максимальний прямий струм IF50 мА
Пряма напруга VF1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА
Робоча температура-30…+100 °C
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247

В наявності

345,92 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vds500 В
Струм Id21 А (при 25 °C, макс.)
Імпульсний струм Id63 А (макс.)
Опір Rds(on)190 мОм (Vgs 10 В, макс.)
Заряд затвору Qg95 нКл (тип., Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.1–3.9 В
Потужність Ptot208 Вт (макс.)
Rth(j-c)0.6 К/Вт (макс.)
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5