Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP5NK60ZFP оригінал
56,40 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP5NK60ZFP – високовольтний N-канальний MOSFET STMicroelectronics для імпульсних (ключових) схем. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм Id | 5 А при TC = 25 °C; 3.16 А при TC = 100 °C |
| Rds(on) | 1.2 Ом тип., 1.6 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 26 нКл тип., 34 нКл макс. (VDD = 400 В, ID = 5 А, VGS = 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 690 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 25 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
STP5NK60ZFP – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-220FP. Напруга стік–витік Vds – 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА). Струм стоку Id – 5 А при TC = 25 °C і 3.16 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 1.2 Ом типово і 1.6 Ом максимум (VGS = 10 В, ID = 2.5 А). Заряд затвора Qg – 26 нКл типово, 34 нКл максимум (VDD = 400 В, ID = 5 А, VGS = 0–10 В). Вхідна ємність Ciss типово 690 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 25 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Затвор захищений стабілітроном, кожен транзистор проходить 100% тест на лавинний пробій, використано технологію SuperMESH.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, корпус із розпіновкою, Vds, Id при тій самій температурі корпусу та Rds(on) при тій самій напрузі на затворі. Якщо Qg у кандидата помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні (ключові) застосування. Високовольтний N-канальний MOSFET із захистом затвора стабілітроном, технологія SuperMESH, висока стійкість до dv/dt.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP5NK60ZFP?
Потрібен N-канальний MOSFET у такому самому корпусі TO-220FP з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 600 В. Порівняйте також Id при тій самій температурі корпусу та Rds(on) при порівнянній напрузі на затворі за datasheet.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Перевірте діод між витоком і стоком, потім переконайтеся, що в закритому стані між стоком і витоком немає провідності. Порядок виводів звіряйте з datasheet.
Навіщо стабілітрон у затворі?
За документом виробника затвор цього транзистора захищений стабілітроном (Zener-protected). Порогова напруга Vgs(th) – від 3.0 до 4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА).
Документація виробника: STP5NK60ZFP (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.