Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-92 |
Транзистор STQ1NK60ZR (1NK60ZR) , TO-92
34,78 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STQ1NK60ZR (1NK60ZR) – високовольтний N-канальний MOSFET STMicroelectronics у корпусі TO-92 для імпульсних (ключових) схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-92 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА) |
| Струм Id | 0.3 А при TL = 25 °C; 0.2 А при TL = 100 °C |
| Rds(on) | 11 Ом тип., 15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0.3 А) |
| Заряд затвора Qg | 4.9 нКл тип., 6.9 нКл макс. (VDD = 480 В, ID = 0.8 А, VGS = 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3–4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА) |
| Потужність Pd | 3 Вт при TL = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
STQ1NK60ZR, на корпусі позначений як 1NK60ZR, – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-92. Напруга стік–витік Vds – 600 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА). Струм стоку Id – 0.3 А при TL = 25 °C і 0.2 А при TL = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 11 Ом типово і 15 Ом максимум (VGS = 10 В, ID = 0.3 А). Заряд затвора Qg – 4.9 нКл типово, 6.9 нКл максимум (VDD = 480 В, ID = 0.8 А, VGS = 0–10 В). Вхідна ємність Ciss типово 94 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 3 Вт при TL = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Затвор захищений стабілітроном, є захист від електростатичного розряду ESD 800 В (HBM), 100% тест на лавинний пробій, технологія SuperMESH.
Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, корпус із розпіновкою, Vds, Id при тій самій температурі і Rds(on) при тій самій напрузі на затворі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні (ключові) застосування. Високовольтний N-канальний MOSFET із захистом затвора стабілітроном, технологія SuperMESH.
Чим замінити STQ1NK60ZR?
Потрібен N-канальний MOSFET у корпусі TO-92 з тією самою розпіновкою, з Vds не нижче 600 В і струмом Id не менше, ніж 0.3 А при 25 °C. Порівнюйте за datasheet.
Як перевірити польовий транзистор мультиметром?
Перевірте діод між витоком і стоком, потім переконайтеся, що в закритому стані між стоком і витоком немає провідності. Порядок виводів звіряйте з datasheet.
Що позначає 1NK60ZR на корпусі?
Це маркування цього транзистора, STQ1NK60ZR.
Чи захищений затвор?
За документом виробника затвор захищений стабілітроном (Zener-protected), є захист ESD 800 В (HBM). Порогова напруга Vgs(th) – від 3 до 4.5 В (VDS = VGS, ID = 50 мкА).
Документація виробника: STQ1NK60ZR-AP (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.