Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50 оригінал , TO-3P
164,50 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA24N50 – оригінальний N-канальний польовий транзистор серії QFET на 500 В та 24 А у корпусі TO-3P. Використовується в імпульсних блоках живлення та схемах PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) |
| Напруга Vdss | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 24 А (Tc 25 °C); 15.2 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 96 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 200 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл типово (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Розсіювана потужність Pd | 290 Вт (Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P (у datasheet TO-3PN) |
| Стан | Оригінал |
FQA24N50 – N-канальний MOSFET серії QFET від Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor), виготовлений за планарною DMOS-технологією. Напруга стік-витік Vdss – 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Безперервний струм стоку Id – 24 А при Tc 25 °C і 15.2 А при Tc 100 °C, імпульсний Idm – 96 А при Tc 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 200 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 12 А. Заряд затвора Qg – 90 нКл типово при VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 290 Вт при Tc 25 °C, напруга затвор-витік Vgss – ±30 В.
Товар у нашому магазині – оригінал, не демонтаж. У datasheet корпус названо TO-3PN, у назві товару – TO-3P. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу Vdss, струм Id, опір Rds(on) і заряд затвора Qg: якщо Qg більший, перевірте, чи впорається драйвер. Замінник має бути N-канальним у тому ж корпусі. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення з високим ККД (switch mode power supply)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Електронні баласти для ламп на напівмостовій схемі
Чим замінити FQA24N50?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з не меншою напругою Vdss, ніж 500 В, і струмом Id не нижче потрібного вашій схемі. Порівняйте Rds(on) і заряд затвора Qg: якщо Qg більший, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить FQA24N50 для PFC?
Так, у datasheet серед застосувань названо корекцію коефіцієнта потужності (PFC), імпульсні джерела живлення та електронні баласти.
Чому корпус називають і TO-3P, і TO-3PN?
У назві товару вказано TO-3P, у datasheet виробника – TO-3PN. Перед заміною порівняйте розміри та розпіновку зі своєю платою.
Документація виробника: FQA24N50 Rev. C0, N-Channel QFET MOSFET.
Параметри наведено за datasheet виробника FQA24N50 Rev. C0 (Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.