Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N15R оригінал, TO220(60V,155A)
101,05 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
S60N15R – оригінальний N-канальний польовий транзистор SI-TECH у корпусі TO-220 на 60 В і 155 А. Для DC-DC перетворювачів, керування двигунами та джерел живлення.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 155 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 98 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. (макс. 4.2), VGS 10 В, ID 40 А |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
S60N15R – N-канальний MOSFET виробництва SI-TECH у корпусі TO-220. Напруга Vds – 60 В (VGS 0, ID 250 мкА). Струм стоку Id – 155 А при Tc 25 °C і 98 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 3.5 мОм типово (макс. 4.2 мОм) при VGS 10 В, ID 40 А. Поріг Vgs(th) – 2.4–3.6 В при VDS = VGS, ID 250 мкА, типово 3 В. Заряд затвора Qg – 114 нКл типово (VDD 40 В, VGS 10 В, ID 40 А). Вхідна ємність Ciss типово 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 208 Вт при Tc 25 °C, температура переходу до 150 °C (діапазон –55…+150 °C).
Це оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds не нижче 60 В, Id не нижче потрібного, Rds(on) при VGS 10 В і корпус TO-220. Заряд затвора Qg перевірте окремо, якщо заміна йде в схему з готовим драйвером.
Де застосовують
- Керування DC-двигунами
- DC-DC перетворювачі
- BMS
- SMPS
- Автомобільна електроніка
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 60, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×155, Rds(on) VGS 10 В тип. 3.5 ≤ 1.3×3.5 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Vds вищий (100 В); Qg порівняйте за документом. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити S60N15R?
Підійде N-канальний транзистор у TO-220 з Vds не нижче 60 В, з близьким струмом Id при Tc 25 °C і Rds(on) не гірше при VGS 10 В. У нашому каталозі є G042N10 (Vds 100 В), порівняйте його за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити S60N15R мультиметром?
У режимі діода між стоком і витоком має бути падіння напруги тільки в одному напрямку, а між затвором і іншими виводами – обрив. Щоб перевірити відкриття, подайте на затвор напругу вище порога Vgs(th) 2.4–3.6 В.
Для чого підходить S60N15R?
Для керування DC-двигунами, DC-DC перетворювачів, BMS, SMPS та автомобільної електроніки. Id 155 А вказано при Tc 25 °C, при Tc 100 °C – 98 А.
Документація виробника: S60N15R (SI-TECH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.