Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Транзистор STB10NK60Z ( B10NK60Z )(600V,10A) , D2PAK
117,50 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STB10NK60Z (B10NK60Z) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics на 600 В та 10 А у корпусі D2PAK для імпульсних схем.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, SuperMESH, із захисним стабілітроном затвор–витік |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 10 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 5,7 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0,75 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,00–4,50 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл типово (VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 115 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | D2PAK |
STB10NK60Z (B10NK60Z) – N-канальний MOSFET серії SuperMESH від STMicroelectronics у корпусі D2PAK, із захисним стабілітроном затвор–витік. Напруга Vds – 600 В при VGS = 0 В, ID = 250 мкА. Струм стоку Id – 10 А при TC = 25 °C і 5,7 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) – не більше 0,75 Ом при VGS = 10 В, ID = 4,5 А, типово 0,68 Ом. Порогова напруга Vgs(th) – 3,00–4,50 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА, типово 3,75 В. Заряд затвора Qg – 48 нКл типово при VDD = 480 В, ID = 8 А, VGS = 0…10 В, максимум 70 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 1370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 115 Вт при TC = 25 °C. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Вбудований діод є, trr 570 нс типово.
При заміні дивіться на канал (N), напругу Vds не нижче 600 В та корпус D2PAK. За даними виробника, в інших корпусах випускаються STP10NK60Z, STP10NK60ZFP і STW10NK60Z. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні (перемикаючі) схеми
Чим замінити STB10NK60Z?
За даними виробника, ця ж серія випускається під номерами STP10NK60Z, STP10NK60ZFP і STW10NK60Z, але в інших корпусах. Для плати під D2PAK потрібен той самий корпус, напруга Vds не нижче 600 В і канал N.
Як перевірити транзистор мультиметром?
Перевірте відсутність пробою між затвором, стоком і витоком та роботу вбудованого діода стік–витік.
Який струм витримує STB10NK60Z?
Id – 10 А при TC = 25 °C і 5,7 А при TC = 100 °C. Реальний струм залежить від охолодження корпусу.
Що за стабілітрон у затворі?
У транзисторі є захисний стабілітрон затвор–витік (Zener). Він захищає затвор від перенапруги.
Документація виробника: DS2635 Rev 12 (STB10NK60ZT4).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.