Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор R6015ANX оригінал , TO220F

164,50 ₴

Немає в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Немає в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

R6015ANX – N-канальний MOSFET ROHM Semiconductor у корпусі TO-220FM для імпульсних блоків живлення. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (VGS = 0 В)
Струм Id (Tc 25 °C)15 А
Струм Id (Tc 100 °C)7.0 А
Опір Rds(on) тип.0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 7.5 А, Tj 25 °C; макс. 0.3 Ом)
Поріг Vgs(th)2.5–4.5 В (VDS = 10 В, ID = 1 мА)
Потужність Pd77 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

R6015ANX – N-канальний польовий транзистор ROHM Semiconductor у корпусі TO-220FM (TO-220F). Напруга Vds 600 В (VGS = 0 В), струм Id 15 А при Tc 25 °C і 7.0 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) типово 0.23 Ом (VGS = 10 В, ID = 7.5 А, Tj 25 °C), максимум 0.3 Ом. Поріг Vgs(th) 2.5–4.5 В при VDS = 10 В, ID = 1 мА. Потужність Pd 77 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Параметри за datasheet ROHM Semiconductor.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-220F, напругу, струм і опір відкритого каналу при тому самому Vgs. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Імпульсні блоки живлення
Часто питають
Чим замінити R6015ANX?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з напругою Vds не нижче 600 В і не гіршими струмом та опором відкритого каналу. Параметри порівнюйте за datasheet.

Як перевірити транзистор R6015ANX?

Мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути внутрішній діод, а затвор не повинен проводити струм ні на витік, ні на стік.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який струм витримує R6015ANX?

15 А при Tc 25 °C і 7.0 А при Tc 100 °C.

Datasheet

Документація виробника: R6015ANX (ROHM Semiconductor).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

R6015ANX (ROHM Semiconductor) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Trench Gate
Напруга Vdss250 В
Струм Id25 (Tc 25 °C)50 А
Rds(on)60 мОм (макс.) при Vgs 10 В
Vgs(th)3.0–5.0 В при Id 1 мА
Заряд затвора Qg(on)78 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання400 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220

В наявності

70,97 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Trench
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)160 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)112 А
Опір Rds(on) (тип.)3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм
Заряд затвора Qg105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd220 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
ВиробникNCE Power
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5