Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Транзистор P2103HVG , so-8(Заміна для E6N03 , AO4800 , AO4812 , AP4232GM , AP4936M , FDS6930B , FDS8978 , IRF7303 )
47,00 ₴
4998 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
P2103HVG – здвоєний N-канальний польовий транзистор UNIKC на 30 В в корпусі SO-8 зі вбудованим діодом.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SO-8 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNIKC |
| Тип каналу | N-канал, здвоєний |
| Напруга Vds | 30 В (VGS = 0 В) |
| Струм Id (TA 25 °C) | 8 А |
| Струм Id (TA 70 °C) | 6 А |
| Rds(on) | 21 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 7 А) |
| Vgs(th) | 0,8–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 16 нКл тип. (VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TA 25 °C) | 2 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | SO-8 |
P2103HVG – здвоєний N-канальний MOSFET (Dual N-Channel, режим збагачення) виробництва UNIKC у корпусі SO-8. За даташитом: напруга Vds 30 В (VGS = 0 В), струм стоку Id 8 А при TA 25 °C і 6 А при TA 70 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) не більше 21 мОм при VGS = 10 В, ID = 7 А (типово 14,5 мОм); при VGS = 4,5 В, ID = 6 А типово 22 мОм, максимум 32 мОм. Порогова напруга Vgs(th) 0,8–2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА). Заряд затвора Qg типово 16 нКл при VGS = 10 В (7 нКл при VGS = 4,5 В). Вхідна ємність Ciss типово 700 пФ (f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd 2 Вт при TA 25 °C і 1,28 Вт при TA 70 °C, максимальна температура переходу Tj 150 °C. Вбудований діод: VSD 1 В, trr 18 нс при IF = 7 А.
У назві товару вказано, що P2103HVG може замінити E6N03, AO4800, AO4812, AP4232GM, AP4936M, FDS6930B, FDS8978 та IRF7303. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну, дивіться на тип каналу, корпус, Vds, Id і Rds(on) при однаковій напрузі на затворі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Чим замінити P2103HVG?
У назві товару вказано, що P2103HVG може замінити E6N03, AO4800, AO4812, AP4232GM, AP4936M, FDS6930B, FDS8978 та IRF7303, але це заміна в один бік. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у P2103HVG вбудований діод?
Так, у даташиті вказано вбудований діод: VSD 1 В, trr 18 нс при IF = 7 А.
Як перевірити такий транзистор?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте вбудовані діоди між стоком і витоком, а також відсутність пробою між затвором, стоком і витоком. Транзистор здвоєний, тому перевіряйте обидва канали.
Чим P2103HVG відрізняється від одиночного MOSFET?
У корпусі два N-канальні транзистори, тому при заміні потрібен збіг за розпіновкою корпусу.
Документація виробника: P2103HVG (UNIKC).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.