Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор SPW35N60C3 ( 35N60C3) оригінал демонтаж, TO247
216,20 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SPW35N60C3 – N-канальний польовий транзистор Infineon (CoolMOS) у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (мін.; VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 34.6 А (TC = 25 °C); 21.9 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.1 Ом (макс.; VGS = 10 В, ID = 21,9 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В (VDS = VGS, ID = 1,9 мА) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл (тип.; VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ |
| Потужність розсіювання Pd | 313 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
SPW35N60C3 (маркування 35N60C3) – N-канальний MOSFET Infineon серії CoolMOS у корпусі TO-247. За даташитом SPW35N60C3 (Infineon), Rev. 2.5, напруга Vds не менша за 600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА), струм стоку Id 34.6 А при TC = 25 °C і 21.9 А при TC = 100 °C. Опір Rds(on) не більший за 0.1 Ом при VGS = 10 В, ID = 21,9 А, Tj = 25 °C (типове значення 0,081 Ом). Заряд затвора Qg типово 150 нКл при VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4500 пФ. Потужність розсіювання 313 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус, а при більшому заряді затвора перевірте, чи впорається драйвер.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 600, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×34.6=27.7, Rds(on) Vgs 10 В max 0.06 ≤ 1.3×0.1=0.13, корпус TO-247 = TO-247 | Взаємозамінність перевіряйте за даташитом; Qg цієї деталі 67 нКл | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити SPW35N60C3?
Підбирайте N-канальний MOSFET у TO-247 з Vds не нижче 600 В, Id при 25 °C близьким до 34.6 А або більшим та Rds(on) не вищим за 0.1 Ом. У каталозі є 60R060P7 (IPW60R060P7), що проходить ці умови; взаємозамінність перевіряйте за даташитом.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між затвором, стоком і витоком. Затвор повинен бути ізольований від інших виводів.
Який заряд затвора і чи потрібен потужний драйвер?
Qg типово 150 нКл (макс. 200 нКл) при VDD = 480 В, ID = 34,6 А, VGS = 0…10 В. Для швидкого перемикання потрібен драйвер, що дає достатній струм заряду затвора.
Документація виробника: SPW35N60C3 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.