Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Транзистор FIR12N80AN ( HM12N80M ) , TO-3P(800V,12A)
117,50 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FIR12N80AN ( HM12N80M ) – N-канальний польовий транзистор на 800 В і 12 А в корпусі TO-3P, виробник American First Semiconductor.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 800 В |
| Струм Id (Tj 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 5.0 А) | 1.0 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 3–5 В |
| Qg | 45 нКл (тип.), 58 нКл (макс.) |
| Pd (Tj 25 °C) | 239 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Vgs макс. | ±30 В |
| Корпус | TO-3P |
| Канал | N-канал |
| Виробник | American First Semiconductor |
FIR12N80AN ( HM12N80M ) – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P, виробник American First Semiconductor. Напруга стік–витік Vdss – 800 В. Струм стоку Id – 12 А при Tj 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 1.0 Ом при Vgs 10 В і Id 5.0 А. Порогова напруга Vgs(th) – 3–5 В при Vds = Vgs і Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 45 нКл (тип.), 58 нКл (макс.) при Vds 640 В, Vgs 10 В, Id 11.5 А. Розсіювана потужність – 239 Вт при Tj 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C, напруга затвор–витік до ±30 В. У документі на транзистор вказано малі міжелектродні ємності, швидке перемикання, розширену область безпечної роботи та 100% перевірку на лавинний пробій.
Для заміни дивіться на корпус TO-3P і розпіновку, а також на напругу не нижче 800 В та струм не нижче 12 А. Порівнюйте Rds(on) і Qg за однакових умов вимірювання: від Qg залежить навантаження на драйвер затвора. У документі також згадано FIR12N80FG. Магазин у Запоріжжі, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Чим замінити FIR12N80AN?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vdss не нижче 800 В і струмом не нижче 12 А при Tj 25 °C. Порівняйте Rds(on) і Qg за однакових умов та перевірте datasheet заміни.
Чи є у FIR12N80AN інша назва?
Так, у назві товару вказано HM12N80M. У документі також є позначення FIR12N80FG.
Який корпус і що це за транзистор?
Корпус TO-3P, N-канальний польовий транзистор на 800 В.
На що звернути увагу при заміні в блоці живлення?
На Qg: у FIR12N80AN він 45 нКл (тип.) при Vds 640 В, Vgs 10 В, Id 11.5 А. Якщо у заміни заряд затвора помітно більший, перевірте драйвер.
Документація виробника: FIR12N80ANG (FOSTER).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.