Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK13A60D ( K13A60D ) оригінал , TO220F
173,90 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TK13A60D – N-канальний польовий транзистор Toshiba на 600 В і 13 А в корпусі TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (VDSS) | 600 В |
| Струм стоку Id (DC) | 13 А (Ta 25 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,33 Ом тип., 0,43 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (Vdd ≈ 400 В, Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Розсіювана потужність Pd | 52 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Час зворотного відновлення діода trr | 1600 нс (Idr 13 А, Vgs 0 В, dI/dt 100 А/мкс) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
TK13A60D (також K13A60D) – N-канальний MOSFET виробництва Toshiba в корпусі TO-220F (JEITA SC-67, TOSHIBA 2-10U1B). Напруга Vds (VDSS) – 600 В. Струм стоку Id (DC) – 13 А при Ta 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,33 Ом типово і 0,43 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6,5 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (Vds 10 В, Id 1 мА). Заряд затвора Qg – 40 нКл (Vdd ≈ 400 В, Vgs 10 В, Id 13 А). Потужність розсіювання Pd – 52 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу Tch – 150 °C. Час зворотного відновлення діода trr – 1600 нс (Idr 13 А, Vgs 0 В, dI/dt 100 А/мкс).
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу, струм, Rds(on), заряд затвора і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні регулятори напруги
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити TK13A60D?
Підбирайте транзистор з тим самим каналом, корпусом TO-220F, не меншою напругою і струмом, порівнюючи Rds(on) і заряд затвора за datasheet.
Як перевірити MOSFET тестером?
Перевірте відсутність пробою між стоком, витоком і затвором. Це базова перевірка, повну роботу в схемі вона не гарантує.
Який час відновлення вбудованого діода?
trr – 1600 нс (Idr 13 А, Vgs 0 В, dI/dt 100 А/мкс). Враховуйте це в схемах, де діод проводить струм.
Документація виробника: TK13A60D (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.