Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор STP26NM60N ( 26NM60N ) оригінал демонтаж, TO220

141,00 ₴

5 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

STP26NM60N (26NM60N) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220. Оригінал, демонтаж: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)20 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)12.6 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 10 А)135 мОм тип., 165 мОм макс.
Заряд затвора Qg60 нКл
Вхідна ємність Ciss1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Поріг Vgs(th)2–4 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)140 Вт
Макс. температура Tj150 °C
Тип каналуN-канал
КорпусTO-220
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

STP26NM60N (маркування 26NM60N) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh II у корпусі TO-220. Напруга Vds – 600 В. Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 12.6 А при Tc 100 °C. Опір Rds(on) – 135 мОм типове і 165 мОм максимальне при Vgs 10 В, Id 10 А. Заряд затвора Qg – 60 нКл при Vdd 480 В, Id 20 А, Vgs 0–10 В. Вхідна ємність Ciss типово 1800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Поріг Vgs(th) – 2–4 В (типово 3 В) при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Потужність Pd – 140 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура Tj – 150 °C.

Оригінал, демонтаж. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тому ж Vgs і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Комутаційні застосування
  • Високоефективні перетворювачі
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити STP26NM60N?

Підбирайте транзистор з тим самим каналом і корпусом TO-220, з Vds не нижче 600 В і Rds(on) не гіршим при Vgs 10 В.

Як перевірити транзистор після монтажу?

Перевірте, що між стоком і витоком немає пробою, а затвор не пробитий на інші виводи. Поріг відкриття за даташитом – 2–4 В при Id 250 мкА.

Який опір відкритого каналу?

135 мОм типово, 165 мОм максимально при Vgs 10 В, Id 10 А.

Datasheet

Документація виробника: DS6239 Rev 8 (STB26NM60N, STP26NM60N).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

DS6239 Rev 8 (STB26NM60N, STP26NM60N) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220

В наявності

69,56 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникHUAYI
Тип каналуN (режим збагачення)
Напруга Vds80 В (TC 25 °C)
Струм стоку Id200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C)
Rds(on)2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А)
Вхідна ємність Ciss8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd345 Вт (TC 25 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-220FB-3L
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5