Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Транзистор CRSS052N08N оригінал, D2PAK

164,50 ₴

16 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

CRSS052N08N – N-канальний польовий транзистор CRMICRO у корпусі D2PAK для керування двигунами й батареями. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO
Тип каналуN-канал, SkyMOS1
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (25 °C)135 А (кремній); 120 А (обмеження корпусу)
Струм стоку Id (100 °C)86 А
Опір Rds(on)4.3 мОм тип., 5.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А)
Заряд затвора Qg55 нКл
Вхідна ємність Ciss3086 пФ
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Потужність розсіювання Pd174 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал
Опис

CRSS052N08N – N-канальний MOSFET серії SkyMOS1 виробництва CRMICRO у корпусі TO-263 (D2PAK) для поверхневого монтажу. Напруга Vds – 85 В. Струм стоку Id при TC 25 °C – 135 А за кремнієм, 120 А з обмеженням корпусу; при TC 100 °C – 86 А. Опір відкритого каналу Rds(on) при VGS=10 В, ID=50 А: 4.3 мОм типово, 5.2 мОм максимально. Заряд затвора Qg – 55 нКл при VGS=10 В, VDS=40 В, ID=50 А. Вхідна ємність Ciss типово 3086 пФ. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при ID=250 µA. Потужність розсіювання – 174 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Параметри наведено за документом CRST055N08N / CRSS052N08N (CRMICRO). При підборі заміни порівнюйте Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора, а корпус беріть той самий – D2PAK. Версія цієї серії в корпусі TO-220 має номер CRST055N08N, посадочне місце в неї інше. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Керування двигунами
  • Керування батареями
  • Джерела безперебійного живлення
Часто питають
Чим замінити CRSS052N08N?

Шукайте N-канальний MOSFET у D2PAK з Vds не нижче 85 В, Rds(on) не вище 4.3 мОм при VGS=10 В і достатнім Id. Версія цієї серії в корпусі TO-220 – CRST055N08N, але корпус інший.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Який драйвер потрібен для CRSS052N08N?

Опір каналу вказано при VGS=10 В. Заряд затвора Qg – 55 нКл, тому драйвер має давати достатній струм для швидкого перемикання.

Чому в Id два значення?

Id при TC 25 °C – 135 А за кремнієм і 120 А з обмеженням корпусу. Для розрахунку беріть менше значення – 120 А.

Datasheet

Документація виробника: CRSS052N08N (CRMICRO).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

CRSS052N08N (CRMICRO) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникInfineon (International Rectifier), серія StrongIRFET
КорпусTO-220
Напруга Vds100 В
Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)192 А
Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)136 А
Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А)3,5 мОм
Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А)4,2 мОм
Vgs(th)2,0–4,0 В
Qg тип.170 нКл
Вхідна ємність Ciss9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Pd (Tc = 25 °C)441 Вт
Vgs макс.±20 В
Tj-55…+175 °C
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F

В наявності

104,81 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id12 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А)
Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А)
Вхідна ємність Ciss2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникOSEN
СтанОригінал

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор CS20N65 оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds650 В (VGS = 0 В)
Струм стоку Id20 А (безперервний)
Rds(on)0.35 Ом тип., 0.4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 10 А)
Vgs(th)3.0–4.0 В
Заряд затвора Qg80 нКл (VDD = 520 В, ID = 20 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss2701 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5