Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор VND14NV04 ( VND14 NV04 ) оригінал, TO252
160,27 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
VND14NV04 – захищений (smart) N-канальний MOSFET OMNIFET II у корпусі TO-252 (DPAK). Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Захищений N-канальний MOSFET, OMNIFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга обмеження Vclamp | 40–55 В (тип. 45 В), VIN = 0 В, ID = 7 А |
| Струм обмеження Ilim | 12–24 А (тип. 18 А), VIN = 5 В, VDS = 13 В |
| Поріг входу VIN(th) | 0,5–2,5 В, VDS = VIN, ID = 1 мА |
| Потужність Ptot | 74 Вт, TC = 25 °C |
| Теплове відключення Tjsh | 150–200 °C (тип. 175 °C), VIN = 5 В |
| Енергія лавини Eas | 400 мДж, Tj = 25 °C (старт), VDD = 24 В, L = 24 мГн |
| Стан | Оригінал |
VND14NV04 (VND14 NV04) – захищений N-канальний MOSFET серії OMNIFET II виробництва STMicroelectronics у корпусі TO-252 (DPAK). У кристал вбудовані обмеження струму, тепловий захист і обмеження напруги стоку. Напруга обмеження Vclamp – 40–55 В (тип. 45 В) при VIN = 0 В, ID = 7 А. Струм обмеження Ilim – 12–24 А (тип. 18 А) при VIN = 5 В, VDS = 13 В. Поріг входу VIN(th) – 0,5–2,5 В при VDS = VIN, ID = 1 мА. Потужність розсіювання Ptot – 74 Вт при TC = 25 °C. Тепловий захист спрацьовує при 150–200 °C (тип. 175 °C), VIN = 5 В.
Це оригінал, не демонтаж. Звичайний MOSFET не має обмеження струму й теплового відключення, тому в схемі, де вони використовуються, його ставити не можна. За даними виробника прямі заміни – VNB14NV04, VND14NV04-1, VNS14NV04; перед заміною порівняйте корпус і цоколівку за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Заміна звичайних силових MOSFET у застосуваннях постійного струму до 50 кГц
- Вбудовані тепловий захист, лінійне обмеження струму, захист від перенапруги, діагностика через вхідний вивід
Чим замінити VND14NV04?
За даними виробника, прямі заміни – VNB14NV04, VND14NV04-1 і VNS14NV04. Перед заміною порівняйте корпус і цоколівку за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим VND14NV04 відрізняється від звичайного MOSFET?
У ньому вбудовані обмеження струму, тепловий захист і обмеження напруги стоку. Струм обмеження – 12–24 А при VIN = 5 В, VDS = 13 В.
Яка напруга на вході відкриває канал?
Поріг входу VIN(th) – 0,5–2,5 В при VDS = VIN, ID = 1 мА.
Документація виробника: VND14NV04 (Doc ID 7393 Rev 9).
Опір Rds(on) у документі подано неоднозначно, тому в картці його немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.