Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор AUIRF3205ZS ( заміна для IRF3205S , F3205S ) оригінал демонтаж, TO263
70,50 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AUIRF3205ZS – N-канальний MOSFET Infineon на 55 В у корпусі D2-Pak (TO-263). Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 55 В, VGS = 0 В, ID = 250 мкА (мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 110 А, TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); 75 А – обмеження корпусом |
| Струм стоку Id (100 °C) | 78 А, TC = 100 °C, VGS = 10 В |
| Опір Rds(on) | 4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.), VGS = 10 В, ID = 66 А |
| Поріг Vgs(th) | 2,0–4,0 В, VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.), ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт, TC = 25 °C |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
AUIRF3205ZS – N-канальний HEXFET автомобільного класу виробництва Infineon у корпусі D2-Pak (TO-263). Напруга Vds – 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 110 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом); обмеження корпусом – 75 А. При TC = 100 °C, VGS = 10 В – 78 А. Опір Rds(on) – 4,9 мОм (тип.), 6,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 66 А. Заряд затвора Qg – 76 нКл (тип.), 110 нКл (макс.) при ID = 66 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність Pd – 170 Вт при TC = 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. AUIRF3205ZS може замінити IRF3205S і F3205S, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи іншу заміну, беріть той самий корпус TO-263, N-канал, Vds не нижче 55 В і порівняний Rds(on) при VGS = 10 В. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Автомобільна електроніка та інші застосування
- Наднизький опір, швидке перемикання, дозволена повторювана лавина до Tjmax
Чим замінити AUIRF3205ZS?
Беріть N-канальний MOSFET у корпусі TO-263 з Vds не нижче 55 В і порівняним Rds(on) при VGS = 10 В. Порівнюйте параметри за однаковими умовами вимірювання в datasheet.
Чи може AUIRF3205ZS замінити IRF3205S?
AUIRF3205ZS може замінити IRF3205S і F3205S. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Який струм витримує AUIRF3205ZS?
110 А при TC = 25 °C, VGS = 10 В (обмеження кристалом), обмеження корпусом – 75 А. При TC = 100 °C – 78 А.
Документація виробника: AUIRF3205ZS (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.