Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 оригінал ( заміна для YH3206 ) , TO220
141,00 ₴
28 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFB3206 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) Infineon у корпусі TO-220. Оригінал, може замінити YH3206.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id | 210 А обмежено кремнієм, 120 А обмежено виводами (VGS = 10 В, TC = 25 °C); 150 А (VGS = 10 В, TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 2,4 мОм тип., 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Qg | 120 нКл тип., 170 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 150 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
IRFB3206 – N-канальний польовий транзистор HEXFET виробництва Infineon у корпусі TO-220. Напруга Vds – 60 В (при VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id при VGS = 10 В і TC = 25 °C: 210 А (обмежено кремнієм) і 120 А (обмежено виводами корпусу); при TC = 100 °C – 150 А. Опір Rds(on): 2,4 мОм типово і 3,0 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 75 А. Заряд затвора Qg – 120 нКл типово, 170 нКл максимум (ID = 75 А, VDS = 30 В, VGS = 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 6540 пФ. Pd – 300 Вт при TC = 25 °C, Tj до 175 °C.
Це оригінал, не демонтаж. IRFB3206 може замінити YH3206. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи іншу заміну, дивіться на той самий канал і корпус TO-220, Vds не нижче 60 В, а також порівняйте Id і Rds(on) при VGS = 10 В. Якщо Qg у заміни помітно більший, перевірте драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення у SMPS
- джерела безперебійного живлення
- швидкі силові ключі
- жорстко комутовані та високочастотні схеми
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRFB3206 | N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(100 °C) 150 ≥ 0.8×150 = 120, Rds(on) макс. 3,0 ≤ 1.3×3,0 = 3,9 мОм при VGS = 10 В, корпус TO-220 | це демонтаж б/в, знятий з плати; параметри ті самі | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRFB3206?
Дивіться на N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 60 В, порівнюючи Id і Rds(on) при VGS = 10 В. У нашому каталозі є IRFB3206 у стані демонтаж. Перед заміною порівняйте datasheet.
Чи може IRFB3206 замінити YH3206?
Так, IRFB3206 може замінити YH3206. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому в Id два значення при TC = 25 °C?
Кремній дозволяє 210 А, а виводи корпусу обмежують струм до 120 А. Для розрахунку орієнтуйтеся на менше значення.
Документація виробника: IRFB3206PBF (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.