Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HSM оригінал, TO247
342,16 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор OST80N65HSM у корпусі TO-247, оригінал – на напругу 650 В і струм до 80 А (100 °C), із вбудованим швидким діодом.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 114 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 80 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.35 В (тип.) |
| Вбудований діод | є, trr 97 нс |
| Заряд затвора Qg | 224 нКл |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.2 В |
| Розсіювана потужність Pd | 395 Вт |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
OST80N65HSM – оригінальний IGBT-транзистор виробника Oriental Semiconductor у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (мін.), струм колектора Ic – 114 А при 25 °C і 80 А при 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.35 В (тип., при Vge 15 В, Ic 80 А, Tj 25 °C; макс. 1.6 В). Транзистор має вбудований швидкий і м'який зворотний діод із часом відновлення trr 97 нс (тип., VR 400 В, IF 80 А). Заряд затвора Qg – 224 нКл, порогова напруга затвора Vge(th) – 4.2 В (тип.), розсіювана потужність Pd – 395 Вт, максимальна температура переходу Tj – 175 °C.
Перед встановленням звірте маркування на корпусі з номером OST80N65HSM і переконайтеся, що корпус TO-247 підходить до посадкового місця на платі. З нашого каталогу за параметрами підходить IGBT-транзистор KGF75N65KDF (75N65KDF) – детальніше в розділі аналогів.
Де застосовують
- Перетворювачі індукційного нагріву (induction converters)
- Джерела безперебійного живлення (uninterruptible power supplies)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| KGF75N65KDF (75N65KDF) | Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100°C) 75 А ≥ 0.8×80 А=64 А, Vce(sat) порівнянне (1.77 В проти 1.35 В тип.), вбудований діод є | Vce(sat) аналога по-різному вказаний джерелами (1.77 В виробник KEC / 2.2 В LCSC), час відновлення діода trr не знайдено – звірте за даташитом перед заміною. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити OST80N65HSM?
За параметрами з нашого каталогу підходить KGF75N65KDF (75N65KDF): напруга Vces 650 В, як і в OST80N65HSM, струм Ic при 100 °C – 75 А (у OST80N65HSM – 80 А), є вбудований діод.
Чи має OST80N65HSM вбудований діод?
Так, вбудований швидкий і м'який зворотний діод із часом відновлення trr 97 нс (тип., VR 400 В, IF 80 А).
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Звірте маркування на корпусі з номером OST80N65HSM і переконайтеся, що корпус TO-247 підходить до посадкового місця на платі.
Чи підходить OST80N65HSM для індукційного нагріву?
Так, за даними виробника його застосовують у перетворювачах індукційного нагріву та джерелах безперебійного живлення.
Документація виробника: OST80N65HSMF, Enhancement Mode N-Channel Power IGBT, V1.0.
Динамічні параметри Eoff/tf (таблиця Dynamic Characteristics, стор. 4 даташиту) і струм витоку ICES пошкоджені при вилученні тексту з PDF, тому в картці не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.