Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор FGH60N60SMD оригінал демонтаж б/в, TO247

235,00 ₴

10 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

FGH60N60SMD – IGBT-транзистор onsemi (Field Stop, з антипаралельним діодом), TO-247-3LD. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга Vces600 В
Струм Ic (TC = 25 °C)120 А
Струм Ic (TC = 100 °C)60 А
Імпульсний струм Icm180 А
Vce(sat) (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C)1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.)
Потужність Pd (TC = 25 °C)600 Вт
Вхідна ємність Cies2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
Вбудований діодє (антипаралельний)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

FGH60N60SMD – IGBT-транзистор onsemi типу Field Stop з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-247-3LD. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, мінімум). Струм колектора Ic – 120 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В (тип.) при IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 600 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Діод: Vfm 2.1 В (тип.) при IF = 30 А, trr 30 нс (тип.) при IF = 30 А, diF/dt = 200 А/мкс.

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни звіряйте з datasheet Vces, Ic при TC = 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус з тією самою розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Сонячні інвертори
  • ДБЖ (UPS)
  • Зварювальні апарати
  • Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
  • Телеком
  • Системи накопичення енергії (ESS)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чи є в FGH60N60SMD вбудований діод?

Так, антипаралельний діод: IF 60 А при TC = 25 °C, 30 А при TC = 100 °C.

Чим замінити FGH60N60SMD?

Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з тією самою розпіновкою, з Vces не нижче 600 В і Ic при TC = 100 °C, близьким до 60 А. Порівнюйте Vce(sat) і наявність діода за datasheet.

Який заряд затвора у FGH60N60SMD?

Qg – 189 нКл (тип.), 284 нКл (макс.) при VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В. Це важливо для вибору драйвера.

Datasheet

Документація виробника: FGH60N60SMD/D, Rev. 4.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FGH60N60SMD/D, Rev. 4 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5