Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор KGF40N65KDC ( 40N65KDC ) оригінал, TO247

345,92 ₴

36 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

На канікулах до 20.11

Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

KGF40N65KDC (40N65KDC) – IGBT-транзистор KEC з вбудованим діодом у корпусі TO-247, оригінал. Застосовують для керування електродвигунами, в UPS і загальних інверторах.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникKEC
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (Ta=25 °C)
Струм Ic (Tc=25 °C)80 А
Струм Ic (Tc=100 °C)40 А
Vce(sat)1.75 В (VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C)
Заряд затвора Qg90 нКл
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (Tc=25 °C)208 Вт
Вбудований діодє
Макс. температура переходу175 °C
СтанОригінал
Опис

KGF40N65KDC (40N65KDC) – IGBT-транзистор виробництва KEC в корпусі TO-247 з вбудованим діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (Ta=25 °C). Струм колектора Ic – 80 А при Tc=25 °C і 40 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.75 В при VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C (максимум 2.3 В); при Tc=175 °C – 2.2 В. Заряд затвора Qg – 90 нКл (VCC=300 В, VGE=15 В, IC=40 А). Вхідна ємність Cies типово 2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 30 нс при Tc=25 °C (VCC=300 В, IC=40 А, VGE=15 В, Rg=10 Ом). Потужність розсіювання Pd – 208 Вт при Tc=25 °C і 104 Вт при Tc=100 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.

Це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc=100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg і наявність вбудованого діода, а також корпус і розпіновку. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Керування електродвигунами
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Загальні інвертори
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
IHW40N120R3 Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) тип. 1.55 ≤ 1.3×1.75=2.27, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Vces значно вищий; перевірте режим драйвера й динамічні параметри за datasheet. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити KGF40N65KDC?

У каталозі є IGBT у TO-247, що проходять порівняння за Vces, Ic при Tc=100 °C і Vce(sat); вони перелічені в таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet, зокрема заряд затвора Qg (90 нКл) і діод.

Як перевірити KGF40N65KDC?

Тестером у режимі діода перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором. Діод між емітером і колектором має поводитися як звичайний діод. Динамічні параметри так не виміряти.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Яка пряма напруга вбудованого діода?

Vf – 1.91 В при IF=20 А, Tc=25 °C (максимум 2.5 В); 1.76 В при Tc=175 °C. Час зворотного відновлення trr – 97 нс при IF=20 А, di/dt=200 А/мкс, Tc=25 °C.

Datasheet

Документація виробника: KGF40N65KDC Rev. 2.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

KGF40N65KDC Rev. 2 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
На канікулах до 20.11
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5