Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RS18N50F оригінал , TO220F
141,00 ₴
51 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RS18N50F – оригінальний N-канальний польовий транзистор REASUNOS на 500 В і 18 А у корпусі TO-220F. Застосовується в імпульсних блоках живлення, UPS і схемах PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В при Tc 25 °C |
| Струм стоку Id | 18 А при Tc 25 °C |
| Імпульсний струм Idm | 72 А |
| Rds(on) | 0.34 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 9 А (тип. 0.28 Ом) |
| Заряд затвора Qg | 39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 39 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. Tj | 150 °C |
| trr | 310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс |
| Vgs | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | REASUNOS |
| Стан | Оригінал |
RS18N50F – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва REASUNOS у корпусі TO-220F. Напруга стік–витік Vds – 500 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 18 А при Tc 25 °C, імпульсний Idm – 72 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 0.34 Ом при Vgs 10 В і Id 9 А (типове значення 0.28 Ом). Заряд затвора Qg – 39.5 нКл при Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2415 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при Vgs=Vds, Id 250 мкА. Потужність розсіювання – 39 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – 310 нс при Is 18 А, di/dt 100 А/мкс.
Стан: оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, Vds, Id, Rds(on) при тому самому Vgs, заряд затвора Qg і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити RS18N50F?
Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з Vds не нижче 500 В, зі струмом Id і Rds(on) при Vgs 10 В не гіршими за наведені вище. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.
Як перевірити MOSFET мультиметром?
Виміряйте опір між стоком і витоком у обидва боки: у справного транзистора діод корпусу проводить в один бік. Між затвором і двома іншими виводами опір має бути дуже великим.
Чи підходить RS18N50F для PFC та імпульсних блоків живлення?
Так, ці застосування названі в документації: SMPS, UPS і PFC. Для таких схем дивіться на Rds(on), Qg і trr вбудованого діода.
Документація виробника: RS18N50F (REASUNOS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.