Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JNG25N120HS оригінал, TO247
235,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JNG25N120HS – IGBT-транзистор Jiaen (JIAENSEMI) на 1200 В зі вбудованим діодом у корпусі TO247. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм колектора Ic | 45 А при TC = 25 °C, 25 А при TC = 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В, макс. 2,5 В (VGE = 15 В, IC = 25 А, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VCC = 960 В, VGE = 15 В, IC = 25 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Jiaen (JIAENSEMI) |
| Стан | Оригінал |
JNG25N120HS – IGBT-транзистор Jiaen (JIAENSEMI) у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В при VGE = 0 В, IC = 250 мкА. Струм колектора Ic – 45 А при TC = 25 °C і 25 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2,2 В (макс. 2,5 В) при VGE = 15 В, IC = 25 А, TC = 25 °C. Заряд затвора Qg – 130 нКл при VCC = 960 В, VGE = 15 В, IC = 25 А. Вхідна ємність Cies типово 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 170 нс, втрати вимкнення Eoff – 1,4 мДж при VCC = 600 В, VGE = 15 В, IC = 25 А, RG = 10 Ом, TC = 25 °C. У корпусі є вбудований діод: Vf 2,3 В (макс. 2,5 В) при IF = 25 А, TC = 25 °C. Потужність розсіювання – 220 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода, корпус і заряд затвора. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі.
Де застосовують
- Індукційний нагрів (IH)
- ДБЖ (UPS)
- Загальні інвертори та інші схеми з м'яким перемиканням
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×25=20, Vce(sat) 25 °C(max) 1.75 ≤ 1.3×2.2=2.86, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | зворотно-провідний IGBT для м'якої комутації; перевірте драйвер і схему | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JNG25N120HS?
Підбирайте IGBT на 1200 В або вище, у корпусі TO-247, з вбудованим діодом і близьким струмом при 100 °C. У таблиці аналогів є IHW40N120R3, але це зворотно-провідний IGBT для м'якої комутації, тому перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у JNG25N120HS вбудований діод?
Так: Vf 2,3 В (макс. 2,5 В) при IF = 25 А, TC = 25 °C, trr 190 нс при VCE = 600 В, IF = 25 А, dIF/dt = 500 А/мкс.
Для чого використовують JNG25N120HS?
Для індукційного нагріву, ДБЖ та загальних інверторів зі схемами м'якого перемикання.
Документація виробника: JNG25N120HS (Jiaen).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.