Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA30N50 ( FQA30N50C , 30N50 ) оригінал (30A,500V), TO-3P
235,00 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA30N50 (FQA30N50C, 30N50) – N-канальний польовий транзистор на 500 В і 30 А в корпусі TO-3P. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 30 А (Tc=25 °C, безперервний) |
| Rds(on) | 250 мОм макс. (VGS=10 В, ID=15 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc=25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C макс. |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FQA30N50 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P, у назві товару також зазначено FQA30N50C і 30N50. За даташитом найближчої деталі 30N50 (Inchange Semiconductor): напруга Vds 500 В (VGS=0, ID=250 мкА, мін.), струм стоку Id 30 А при Tc=25 °C (безперервний), опір відкритого каналу Rds(on) 250 мОм макс. при VGS=10 В, ID=15 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В, потужність розсіювання Pd 300 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу 150 °C. Вбудований діод є, Vsd макс. 2 В при IS=30 А, VGS=0.
Оригінал, не демонтаж. Заміну добирайте за типом каналу, корпусом TO-3P, Vds не нижче 500 В, Id і Rds(on) не гірше наведених. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні та резонансні джерела живлення
- DC-DC перетворювачі
Чим замінити FQA30N50?
У нашому каталозі зараз немає перевіреного аналога. Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 500 В, порівнянними Id і Rds(on) при VGS=10 В.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить FQA30N50 для імпульсних джерел живлення?
За даташитом найближчої деталі 30N50 (Inchange Semiconductor) її застосовують в імпульсних та резонансних джерелах живлення і DC-DC перетворювачах. Перевірте Vds і Id для вашої схеми.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VDS=VGS, ID=250 мкА. Rds(on) 250 мОм макс. задано при VGS=10 В.
Найближчий datasheet: 30N50 (Inchange Semiconductor).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.