Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал, TO220
64,86 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP75NF75 (P75NF75) – оригінальний N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-220: 75 В, 80 А при Tc 25 °C.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 80 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C), обмежено корпусом |
| Rds(on) | 0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл тип. (VDD 60 В, ID 80 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
STP75NF75 (P75NF75) – N-канальний MOSFET серії STripFET II від STMicroelectronics у корпусі TO-220. Напруга стік-витік Vds – 75 В при VGS = 0. Струм стоку Id – 80 А при Tc 25 °C і 70 А при Tc 100 °C, обидва значення обмежені корпусом. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0,0095 Ом типово і 0,011 Ом максимум при VGS 10 В, ID 40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Заряд затвора Qg – 117 нКл типово при VDD 60 В, ID 80 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Заміну підбирайте за каналом, напругою, струмом і опором відкритого каналу: канал N, Vds не нижче 75 В, Rds(on) не вище 0,011 Ом при VGS 10 В, той самий корпус TO-220. Прямі заміни за даними виробника – STB75NF75 і STP75NF75FP. Деталі з нашого каталогу, які проходять ці умови, наведено в таблиці аналогів.
Де застосовують
- Первинний ключ у ізольованих DC-DC перетворювачах високої ефективності й частоти для телеком і комп'ютерних застосувань
- Схеми з низькою потужністю керування затвором
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 75, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 0.0039 ≤ 1.3×0.011=0.0143, корпус TO-220 = TO-220 | заряд затвора Qg не порівнювали, перевірте драйвер | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 75, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 0.008 ≤ 1.3×0.011=0.0143, корпус TO-220 = TO-220 | заряд затвора Qg не порівнювали, перевірте драйвер | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 75, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 0.0052 ≤ 1.3×0.011=0.0143, корпус TO-220 = TO-220 | заряд затвора Qg не порівнювали, перевірте драйвер | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 75, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 0.0038 ≤ 1.3×0.011=0.0143, корпус TO-220 = TO-220 | заряд затвора Qg не порівнювали, перевірте драйвер | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 75, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×80=64, Rds(on) Vgs 10 В max 0.0042 ≤ 1.3×0.011=0.0143, корпус TO-220 = TO-220 | заряд затвора Qg не порівнювали, перевірте драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити STP75NF75?
Підходить N-канальний MOSFET у корпусі TO-220 з Vds не нижче 75 В і Rds(on) не вище 0,011 Ом при VGS 10 В. Прямі заміни за даними виробника – STB75NF75 і STP75NF75FP. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
STP75NF75 і P75NF75 – це одна деталь?
Так, P75NF75 – скорочене маркування цього транзистора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому струм 80 А не завжди досяжний?
За даташитом 80 А при Tc 25 °C обмежені корпусом, а при Tc 100 °C – 70 А. Розрахунок робіть із запасом за температурою радіатора.
Документація виробника: STP75NF75 Rev 8.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.