Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор K10T60 ( IKB10N60T ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
164,50 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Магазин на канікулах. Замовлення знову приймаємо з 20.11.
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K10T60 (IKB10N60T) – IGBT-транзистор Infineon з антипаралельним швидким діодом у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 24 А |
| Струм Ic (100 °C) | 18 А |
| Потужність Ptot | 110 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,1–5,7 В, тип. 4,6 В (Ic = 0,3 мА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 62 нКл (Vcc = 480 В, Ic = 10 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 551 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний швидкий Emitter Controlled HE |
| Vf діода | 1,6 В тип., 2,0 В макс. (If = 10 А, Tj = 25 °C) |
| trr діода | 115 нс (Tj = 25 °C, Vr = 400 В, If = 10 А, diF/dt = 880 А/мкс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
K10T60 (IKB10N60T) – IGBT-транзистор Infineon з антипаралельним швидким діодом Emitter Controlled HE у корпусі D2PAK (PG-TO263-3). Напруга колектор–емітер Vces 600 В при Tj ≥ 25 °C. Струм колектора Ic 24 А при Tc = 25 °C і 18 А при Tc = 100 °C, потужність розсіювання Ptot 110 Вт при Tc = 25 °C, температура переходу до 175 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,5 В (тип.), 2,05 В (макс.) при Vge = 15 В, Ic = 10 А, Tj = 25 °C. Заряд затвора Qg 62 нКл при Vcc = 480 В, Ic = 10 А, Vge = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 551 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Пряма напруга діода Vf 1,6 В (тип.), 2,0 В (макс.) при If = 10 А, Tj = 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і заряд затвора, щоб драйвер впорався з новою деталлю. Корпус і розпіновка мають збігатися. Прямі заміни за даними виробника – IKB10N60TATMA1 та IGB10N60T. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Частотні перетворювачі для пральних машин, вентиляторів, насосів і пилососів.
Чим замінити K10T60 (IKB10N60T)?
Прямі заміни за даними виробника – IKB10N60TATMA1 та IGB10N60T. У нашому каталозі в цій категорії зараз немає деталі, яка проходить правила підбору, тому перевіряйте datasheet самостійно.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором, а також вбудований діод між емітером і колектором.
Яка напруга відкривання затвора?
Порогова напруга Vge(th) від 4,1 до 5,7 В (тип. 4,6 В) при Ic = 0,3 мА, Vce = Vge.
Документація виробника: IKB10N60T (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 10000 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.