Магазин
Демонтаж
Мікросхема FSQ0565RQ ( Q0565R ) демонтаж, TO220F-6 ( FSQ0465RQ , Q0465R )
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим ключем |
| Корпус | TO-220F-6L |
| Напруга Vds | 650 В (Vcc 0 В, Id 100 мкА) |
| Струм стоку Id | 2.8 А (Tc 25 °C, граничний) |
| Розсіювана потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Пік-струм обмеження | 3.0 А (Tj 25 °C, типово) |
| Частота перемикання | 66.7 кГц |
| Робоча температура | -25…+85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSQ0365R ( Q0365R ) оригінал ( заміна для FSQ0265R , Q0265R ), DIP8
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер зі вбудованим ключем |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds | 650 В (Vcc 0 В, Id 100 мкА) |
| Rds(on) | не більше 4.5 Ом |
| Пік-струм обмеження | 1.5 А (Tj 25 °C, типово) |
| Імпульсний струм Idm | 12 А (граничний) |
| Напруга живлення Vcc | до 20 В (граничне) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSL206MR ( L206MRB ) , DIP
В наявності
42,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | 8-DIP (PDIP8) для FSL206MRN / FSL206MRBN |
| Напруга Vds (BVDSS) | 650 В (Vcc 0 В, Id 250 мкА) |
| Опір Rds(on) | 14 Ом типове, макс. 19 Ом (Vgs 10 В, Id 0.3 А) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 1.5 А |
| Пік-струм обмеження | 0.6 А (Vfb 4 В, Vcc 10 В, типово 0.54–0.66 А) |
| Частота перемикання | 67 кГц (типово 61–73 кГц) |
| Пороги UVLO (старт / стоп) | 8 / 7 В |
| Напруга внутрішнього регулятора | 7.8 В |
| Робоча температура | -40…+115 °C |
Демонтаж
Мікросхема FSL136MR демонтаж ( FSL136MRS ) , DIP8
В наявності
77,08 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга Vds (BVDSS) | 650 В (Vcc 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 3 А (гранично допустимий) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 12 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 Ом типове, макс. 4.0 Ом (Vgs 10 В, Tc 25 °C) |
| Частота перемикання | 67 кГц (типово 61–73 кГц) |
| Пік-струм обмеження | 2.15 А (Tj 25 °C, типово) |
| Пороги UVLO (старт / стоп) | 12 / 8 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 26 В |
| Розсіювана потужність Pd | 1.5 Вт |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Мікросхема FSFR2100XSL демонтаж ( FSFR2100 , FSFA2100 )
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Напруга Vds (MOSFET) | 500 В (мінімум, BVDSS) |
| Струм стоку Id | 10.5 А (Tc 25 °C, постійний) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 32 А |
| Опір Rds(on) | 0.51 Ом (максимум; типове 0.41 Ом) |
| Розсіювана потужність Pd | 12 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Частота генератора | 94–106 кГц (RT 5.2 кОм) |
| Пауза між ключами | 350 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSFR1800US ( FSFR1800 )
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 7,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 4,5 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 23 А |
| Опір Rds(on), макс. | 0,95 Ом (Vgs 10 В, Id 3,0 А; тип. 0,77 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 7,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,7 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Вихідна потужність без радіатора / з радіатором | 120 / 260 Вт (Vin 350–400 В, відкрита конструкція, 50 °C) |
Мікросхема FSFR1700XSL оригінал
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | 9-SIP (L-forming) |
| Напруга Vds (BVDSS) | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 6,0 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 3,9 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Idm | 20 А |
| Опір Rds(on), макс. | 1,25 Ом (Vgs 10 В, Id 2,0 А; тип. 1,00 Ом) |
| Час відновлення діода trr | 160 нс (Vgs 0 В, Idiode 6,0 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Розсіювана потужність Pd | 11,6 Вт (на один MOSFET, коли відкриті обидва) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Мертвий час | 350 нс |
| Макс. робоча частота | 300 кГц |
| Частота генератора | 94–106 кГц (RT 5,2 кОм; тип. 100) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема FSD210 оригінал, smd 7-LSOP
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Green Mode Fairchild Power Switch) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (VCC=0 В, ID=100 мкА, Ta 25 °C, min) |
| RDS(on) | 28 Ом тип. / 32 Ом макс. (Tj 25 °C, ID=25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (126–142 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. напруга VCC | 20 В |
| Корпус | smd 7-LSOP |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема FSD200 демонтаж, DIP7
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Green Mode Fairchild Power Switch) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (VCC=0 В, ID=100 мкА, Ta 25 °C, min) |
| RDS(on) | 28 Ом тип. / 32 Ом макс. (Tj 25 °C, ID=25 мА) |
| Частота перетворення | 134 кГц (126–142 кГц, Tj 25 °C) |
| Макс. напруга VCC | 10 В |
| Корпус | DIP7 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема FSB117H ( B117H ) , DIP8
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із SenseFET (Fairchild Power Switch, mWSaver) |
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Напруга BVDSS | 700 В (ID=250 мкА, VGS=0 В, 25 °C, min) |
| Частота перетворення | 100 кГц (94–106 кГц, VDD=15 В, 25 °C) |
| Макс. напруга VDD | 30 В |
| VDD-ON / VDD-OFF | 12 В / 6 В (25 °C) |
| Споживання без навантаження | менше 40 мВт (230 В AC) |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема FR9886 , so-8 ( MT2482 , SSY1920 , SSY1930 )
В наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Синхронний понижувальний DC/DC-перетворювач |
| Виробник | Fitipower Integrated Technology |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vin | 4,5–23 В |
| Вихідна напруга | 0,925–20 В |
| Вихідний струм | 2,5 А (безперервний) |
| Частота перетворення | 340 кГц (Vin 12 В, Ta 25 °C) |
| Rds(on) верхнього ключа | 120 мОм (Vin 12 В, Ta 25 °C) |
| Rds(on) нижнього ключа | 100 мОм (Vin 12 В, Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема FM6316FE ( FM6316) , so-8
В наявності
15,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | FUMAN ELECTRONICS |
| Корпус | ESOP-8 |
| Напруга живлення Vcc | 4–5,5 В (тип. 5 В) |
| Напруга закінчення заряду на виводі BAT | 4,20 (4,16–4,24) В |
| Вихідна напруга підвищувача VOUT | 5 В |
| Частота перетворення | 1,0 (0,8–1,2) МГц |
| ККД підвищувача | 90 % |
| Струм у режимі очікування | 16 (10–30) мкА |
| Робоча температура | -20 … +85 °C |
Мікросхема FAN8082D ( 8082D ) , so-8
В наявності
45,12 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення, макс. | 13 В |
| Робоча напруга SVCC | 7–12 В |
| Робоча напруга PVCC | 4–8 В |
| Вихідний струм, макс. | 0,8 А |
| Розсіювана потужність | 330 мВт |
| Струм спокою | 6,5 (4–9,5) мА |
| Тепловий захист вмикається при | 165 °C |
| Робоча температура | -25 … +75 °C |
Мікросхема FAN8082 , DIP8
В наявності
43,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення, макс. | 18 В |
| Робоча напруга SVCC, PVCC | 7–18 В |
| Вихідний струм, макс. | 1,6 А |
| Розсіювана потужність | 1,0 Вт |
| Струм спокою | 6,5 (4–9,5) мА |
| Тепловий захист вмикається при | 165 °C |
| Робоча температура | -25 … +75 °C |
Мікросхема FAN7930C , so-8 ( FAN7930 )
В наявності
35,25 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | PFC-контролер критичного режиму (CRM) |
| Корпус | SO-8 |
| Маркування | 7930C (FAN7930CMX-G) |
| Поріг вмикання VCC | 11–13 В, VCC = 14 В, TA = -40…+125 °C |
| Рекомендована напруга живлення | 13–20 В |
| Гістерезис UVLO | 3,5 В |
| Поріг OVP | 2,675 В (2,620–2,730 В), TA = 25 °C |
| Піковий струм затвора | +500 / -800 мА |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема FAN7930B ( FAN7930BG , FL7930BG ) , so-8
В наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | PFC-контролер критичного режиму (CRM) |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг вмикання VCC | 12 В (11–13 В), VCC зростає |
| Поріг вимикання VCC | 8,5 В (7,5–9,5 В), VCC спадає |
| Рекомендована напруга живлення | 13–20 В |
| Робочий струм споживання | 1,5 мА тип., 3,0 мА макс., 50 кГц, CI = 1 нФ |
| Піковий струм затвора | +500 / -800 мА |
| Поріг OVP на вході INV | 2,675 В (2,620–2,730 В), TA = 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема FAN7602C , so-8
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення VCC, макс. (абсолютне) | 25 В |
| Поріг вмикання VCC | 12 В (11–13 В), VCC зростає |
| Поріг вимикання VCC | 8 В (7–9 В), VCC спадає |
| Робоча частота | 65 кГц (59–73 кГц), TA = 25 °C |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % (70–80 %) |
| Піковий струм виходу на затвор | 450 мА (source) / 600 мА (sink) |
| Температура переходу | -40…+150 °C |
Мікросхема FAN7601 , DIP8
В наявності
44,18 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення Vcc, макс. | 20 В |
| Поріг UVLO (вмикання/вимикання) | 12 / 8 В |
| Опорна напруга Vref | 5,0 В |
| Робоча частота, до | 300 кГц |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 95 % |
| Робочий струм споживання, макс. | 4 мА |
| Захист OVP | 19 В |
| Температура | -25 … +125 °C |
Мікросхема FAN7554 , DIP8
В наявності
34,78 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VCC, макс. | 30 В |
| Поріг UVLO (вимкнення / увімкнення) | 9 / 15 В |
| Робоча частота, до | 500 кГц |
| Струм виходу (totem-pole) | 1 А |
| Опорна напруга | 5 В |
| Розсіювана потужність | 0,85 Вт |
| Температура | -25…+85 °C |
Мікросхема FAN7529 , so-8
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг запуску VCC | 12 В |
| Поріг вимкнення VCC | 8,5 В |
| Гістерезис UVLO | 3,5 В |
| Струм споживання при запуску | 40 мкА |
| Робочий струм споживання | 1,5 мА |
| Температура | -40…+125 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
Мікросхема FAN7527B ( FAN7527 ) , so-8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | активний PFC-контролер для електронних баластів та малопотужних SMPS |
| Напруга живлення VCC, макс. | 30 В (абсолютний максимум) |
| Поріг старту UVLO | 11,5 В typ (10,5–12,5 В), VCC = 14 В |
| Гістерезис UVLO | 3 В typ (2–4 В) |
| Робочий струм живлення | 3 мА typ / 6 мА max (VCC = 14 В, VM2 = 4 В) |
| Опорна напруга входу помилки | 2,500 В typ (2,465–2,535 В), VCC = 14 В, TA 25 °C |
| Піковий вихідний струм драйвера | 500 мА (абсолютний максимум) |
| Розсіювана потужність | 0,8 Вт |
| Тепловий опір перехід-середовище | 150 °C/Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -25…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема FAN7527B ( FAN7527 ) , DIP8
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | активний PFC-контролер для електронних баластів та малопотужних SMPS |
| Напруга живлення VCC, макс. | 30 В (абсолютний максимум) |
| Поріг старту UVLO | 11,5 В typ (10,5–12,5 В), VCC = 14 В |
| Гістерезис UVLO | 3 В typ (2–4 В) |
| Робочий струм живлення | 3 мА typ / 6 мА max (VCC = 14 В, VM2 = 4 В) |
| Опорна напруга входу помилки | 2,500 В typ (2,465–2,535 В), VCC = 14 В, TA 25 °C |
| Піковий вихідний струм драйвера | 500 мА (абсолютний максимум) |
| Розсіювана потужність | 1,1 Вт |
| Тепловий опір перехід-середовище | 110 °C/Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Робочий діапазон температур | -25…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема FAN73711 ( FAN73711MX , 73711 ) оригінал, so-8
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | драйвер верхнього ключа MOSFET/IGBT, бутстрепне живлення |
| Плаваючий канал (робочий), до | 600 В |
| Абсолютний максимум VB | 625 В (TA 25 °C) |
| Вихідний струм (джерело/стік) | 4 / 4 А |
| Напруга живлення VDD/VBS | 10–20 В |
| Затримка вмикання | 150 нс typ (VS = 0 В, CLOAD 1000 пФ, VDD = VBS = 15 В, TA 25 °C) |
| Затримка вимикання | 150 нс typ (VS = 0 В, CLOAD 1000 пФ, VDD = VBS = 15 В, TA 25 °C) |
| Вхідна логіка | сумісна з 3,3 В та 5 В |
| Розсіювана потужність | 0,625 Вт (плата 76,2 x 114,3 x 1,6 мм FR-4) |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |