Магазин
Мікросхема DS18B20 ( 18B20 ) DALLAS , to-92 (із старих запасів ,працюють і у двопровідній, і у трипровідній схемі )
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | цифровий термометр, інтерфейс 1-Wire |
| Напруга живлення VDD | 3.0–5.5 В |
| Діапазон вимірюваних температур | -55…+125 °C |
| Похибка (-10…+85 °C) | ±0,5 °C |
| Похибка (-55…+125 °C) | ±2 °C |
| Роздільна здатність | 9–12 біт, за замовчуванням 12 біт |
| Час перетворення (12 біт, макс.) | 750 мс |
| Унікальний код | 64 біти |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | Maxim Integrated (Dallas Semiconductor) |
Мікросхема D9329A ( BD9329A , BD9329 , D9329 ) , so-8
В наявності
72,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Вхідна напруга | 4,2–18 В (типово 12 В) |
| Макс. вхідна напруга VIN | 20 В (Absolute Maximum Ratings) |
| Вихідна напруга | 0,9 – (VIN × 0,7) В |
| Вихідний струм | 3,0 А (макс., безперервний) |
| Частота перемикання | 380 кГц (типово, фіксована) |
| Опір верхнього ключа | 0,15 Ом (типово, ISW −0,8 А, VIN 12 В, Ta 25 °C) |
| Опір нижнього ключа | 0,13 Ом (типово) |
| Робоча температура | −40…+85 °C |
| Корпус | ESOP-8 |
Мікросхема CXA3810M ( A3810M )
В наявності
352,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sony Semiconductor Solutions |
| Призначення | AC-DC контролер: PFC і резонансний |
| Режим PFC | критичний режим провідності |
| Корпус | SOP-24 |
| VCC, макс. | 24,0 В |
| VREF | 5,00 В (4,85–5,15 В) при VCC 10,5–18 В; Ta 27 °C |
| Vact (UVLO) | 11,0 В (10,2–11,8 В) при Ta 27 °C, VCC 12 В |
| Voff (UVLO) | 9,6 В (9,0–10,2 В) при Ta 27 °C, VCC 12 В |
| Струм споживання в роботі | 3,0 мА (макс. 3,5 мА) |
Демонтаж
Демонтаж
Мікросхема CS8326S , so-16
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chipstar |
| Корпус | SO-16 |
| Напруга живлення (робочий діапазон) | 3,0–5,0 В |
| Вихід BOOST (PVDD) | 7,5 В |
| Вихідна потужність (THD+N 10%, Vin 3,7 В, RL 4 Ом) | 7,0 Вт |
| Вихідна потужність (THD+N 1%, Vin 3,7 В, RL 4 Ом) | 5,5 Вт |
| ККД | 72 % |
| PSRR (на частоті 217 Гц) | не менше 70 дБ |
| Час запуску | 260 мс |
| Струм спокою | 10 мА |
| Струм у вимкненому стані | менше 0,1 мкА |
| Робоча температура | –40…+85 °C |
Мікросхема CR6853T оригінал, DIP8
В наявності
40,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Вхідна напруга мережі (AC) | 90–264 В |
| Напруга живлення VDD (рекомендовані умови) | 10–30 В |
| Макс. напруга VDD (абсолютний максимум) | 40 В |
| Захист VDD від перенапруги | 34 В |
| Обмеження напруги GATE | 18 В |
| Частота ШІМ (рекомендовано; RI 100 кОм) | 30–150 кГц |
| Макс. вихідна потужність (рекомендовані умови) | 0–60 Вт |
| Робоча температура (рекомендовані умови) | -20…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема CR6848T демонтаж, DIP8
В наявності
28,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chengdu Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VDD, макс. (абсолютний максимум) | 40 В |
| Напруга живлення VDD, рекомендована | 11–20 В |
| Вихідна потужність, рекомендована | 0–60 Вт |
| Частота ШІМ, рекомендована | 48–100 кГц |
| Струм запуску | близько 10 мкА |
| Робочий струм | близько 2 мА |
| Захист від перенапруги | 26.7 В |
| Обмеження напруги затвора | 16.5 В |
| Потужність розсіювання (абсолютний максимум) | 300 мВт |
| Робоча температура навколишнього середовища | -20…85 °C |
| Стан | Демонтаж б/в |
Мікросхема CR6842T , DIP8 ( SG6842 )
В наявності
53,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chengdu Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення VDD, макс. (абсолютний максимум) | 40 В |
| Поріг запуску (VDD=15 В, Ta 27 °C) | 16.5 (16.0–17.0) В |
| Струм запуску (VDD=17 В, Ta 27 °C) | 7.5 (тип.) / 30 (макс.) мкА |
| Робочий струм (VDD=15 В, VFB=VSENSE=0 В, Ta 27 °C) | 3.0 (тип.) / 5 (макс.) мА |
| Частота в номінальному режимі (RI=26 кОм) | 67 (63–70) кГц |
| Частота в режимі Green (RI=26 кОм) | 27 (25–29) кГц |
| Обмеження напруги затвора | 16.5 В |
| Час плавного пуску | 1 мс |
Мікросхема CR6238T , DIP8 ( PR6238T , ZL0805W )
В наявності
34,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Первинний ШІМ-контролер із вбудованим високовольтним MOSFET |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. вихідна потужність | 10 Вт |
| Напруга живлення VDD, рекомендована | 10–23 В |
| Напруга живлення VDD, макс. | 28.5 В |
| Напруга запуску VDD | 14.5 В (VDD 16 В, 25 °C) |
| Напруга вимкнення VDD | 9 В (VDD 16 В, 25 °C) |
| Макс. частота генератора | 60 кГц |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
Мікросхема CR6236T , DIP8
В наявності
49,35 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Первинний ШІМ-перемикач CC/CV із вбудованим MOSFET |
| Виробник | Chip Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою MOSFET (BVdss) | 600 В |
| Rds(on) | 8 Ом тип. / 11.5 Ом макс. |
| Струм стоку, неперервний | 1 А |
| Струм стоку, імпульсний | 4 А |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 8 Вт (adapter, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC | 7 Вт (adapter, 50 °C) |
| Температура переходу | -20…150 °C |
Мікросхема CR6229T
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ШІМ-контролер із вбудованим MOSFET |
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга стоку, макс. | 650 В |
| Rds(on) | 2.0 Ом тип. / 2.5 Ом макс. (Vgs 10 В, Ids 1 А, 25 °C) |
| Робоча частота | 50 кГц (45–55 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90 %) |
| Напруга живлення VDD, макс. | 30 В |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 % | 28 Вт (open frame, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC | 24 Вт (open frame, 50 °C) |
| Температура переходу | -20…150 °C |
Мікросхема CR6228T , DIP
В наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга на стоку | 650 В |
| BVDSS | 650 В тип., 600 В мін. |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90) (FB = 3,3 В, CS = 0 В) |
| Струм запуску | 20 мкА макс. |
| Вихідна потужність | 27 Вт (230 В AC ±15 %), 16 Вт (85–265 В AC), 50 °C навколишнього |
| Температура переходу | –20…150 °C |
Мікросхема CR6224T , DIP
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Chip-Rail |
| Корпус | DIP8 |
| Макс. напруга на стоку | 650 В |
| BVDSS | 650 В тип., 620 В мін. (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА) |
| RDS(on) | 5,0 Ом тип., 5,8 Ом макс. (VGS = 10 В, IDS = 1 А) |
| Частота перетворення | 50 кГц (45–55) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 80 % (70–90) |
| Вихідна потужність | 15 Вт (230 В AC ±15 %), 12 Вт (85–265 В AC), 50 °C навколишнього |
| Температура переходу | –20…150 °C |
Мікросхема CQ1265RT ( CQ0965RT )
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Drain-Source BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 5,3 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 3,4 А |
| Імпульсний струм IDM | 36 А |
| RDS(on) | 0,75 Ом тип., 0,9 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 50 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,5 °C/Вт |
| Поріг запуску Vcc | 15 В (14–16 В) |
| Поріг вимкнення Vcc | 9 В (8–10 В) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц) |
| Корпус | TO-220F-5L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
Мікросхема CQ0765RT ( CQ0565RT )
В наявності
67,21 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Drain-Source BVDSS | 650 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 3,8 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 2,4 А |
| Імпульсний струм IDM | 15 А |
| RDS(on) | 1,4 Ом тип., 1,6 Ом макс. (VGS 10 В, ID 2,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 45 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2,6 °C/Вт |
| Поріг запуску Vcc | 15 В (14–16 В) |
| Поріг вимкнення Vcc | 9 В (8–10 В) |
| Частота генератора | 20 кГц (18–22 кГц) |
| Корпус | TO-220F-5L |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |