Магазин
Мікросхема 78M12 ( CJ78M12 , AIP78M12 , 78D12 , MC78M12BDTG , 8M12BG ) , D-PAK
В наявності
21,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга (тип.) | 12 В (MC78M12B/C, Tj 25 °C, Vi 19 В, Io 350 мА) |
| Вихідна напруга в усьому режимі | 11,4–12,6 В (MC78M12B/C, Vi 14,5–27 В, Io 5–350 мА) |
| Максимальний вихідний струм | 500 мА (з достатнім тепловідведенням) |
| Піковий вихідний струм (тип.) | 700 мА (Tj 25 °C) |
| Максимальна вхідна напруга | 35 В (для версій 5–18 В) |
| Мінімальна різниця Vвх–Vвих (тип.) | 2,0 В (Tj 25 °C) |
| Струм обмеження при КЗ (тип.) | 350 мА (Tj 25 °C, Vi 35 В) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема 78M09 ( 8M09BG ) , D-Pak
В наявності
18,33 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга (тип.) | 9,0 В (MC78M09C/B, Tj 25 °C, Vi 15 В, Io 350 мА) |
| Вихідна напруга в усьому режимі | 8,55–9,45 В (Vi 11,5–23 В, Io 5–350 мА) |
| Максимальний вихідний струм | 500 мА (з достатнім тепловідведенням) |
| Піковий вихідний струм (тип.) | 700 мА (Tj 25 °C) |
| Максимальна вхідна напруга | 35 В (для версій 5–18 В) |
| Мінімальна різниця Vвх–Vвих (тип.) | 2,0 В (Tj 25 °C) |
| Струм обмеження при КЗ (тип.) | 350 мА (Tj 25 °C, Vi 35 В) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Мікросхема 74HC595D ( HC595AG ) оригінал, so-16
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 8-бітний зсувний регістр із регістром-защіпкою і 3-state виходами |
| Напруга живлення Vcc | 2,0–6,0 В |
| Частота тактів (мін.) при Vcc = 4,5 В | 30 МГц, 25 °C |
| Частота тактів (мін.) при Vcc = 6 В | 35 МГц, 25 °C |
| VOH (мін.), виходи Qn | 3,84 В при IO = -6 мА, Vcc = 4,5 В, 25 °C |
| Ptot (SO16) | 500 мВт |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 74HC573D , smd
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Вісім прозорих D-защіпок з 3-state виходами |
| Напруга живлення Vcc | 2–6 В |
| Затримка поширення (тип.) | 21 нс |
| Струм споживання Icc (макс.) | 80 мкА |
| Вихідний струм | ±6 мА при Vcc = 5 В |
| Корпус | SO-20 |
| Кількість виводів | 20 |
Мікросхема 74HC4066N ( SN74HC4066N ) оригінал, DIP14
В наявності
49,35 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Чотириканальний двобічний аналоговий ключ |
| Напруга живлення Vcc | 1–6 В |
| Амплітуда сигналу | до 6 В (пік) |
| Опір ключа ron (тип.) | 50 Ом при Vcc = 6 В |
| Час вмикання (тип.) | 18 нс |
| Струм споживання Icc (макс.) | 20 мкА |
| Корпус | DIP14 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 74HC4052M ( 74HC4052D ) , so-16
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Здвоєний 4-канальний аналоговий мультиплексор (2 × SP4T) |
| Напруга живлення VCC | 2,0–10,0 В |
| RON (тип.) | 80 Ом при VCC – VEE = 4,5 В; 70 Ом при 6,0 В; 60 Ом при 9,0 В |
| Діапазон аналогового сигналу | -5…+5 В при VEE = -5 В |
| Струм ключа ISW | ±25 мА (абс. макс.) |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Число виводів | 16 |
Мікросхема 74HC164N , DIP14
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 8-бітний зсувний регістр |
| Напруга живлення VCC | 2–6 В |
| Макс. частота тактів fMAX | 30 МГц мін., VCC 4,5 В, 25 °C |
| Затримка CLK до Q | 34 нс макс., VCC 4,5 В, 25 °C (тип. 14 нс при VCC 5 В, CL 15 пФ) |
| Температура зберігання | -65…150 °C |
| Корпус | DIP14 |
| Число виводів | 14 |
Мікросхема 74HC164 , smd
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | 8-бітний зсувний регістр |
| Напруга живлення VCC | 2,0–6,0 В |
| Макс. частота тактів fmax | 30 МГц (тип. 71), VCC 4,5 В, 25 °C |
| Затримка CP до Qn | 34 нс макс. (тип. 15), VCC 4,5 В, 25 °C, CL 50 пФ |
| Струм споживання ICC | 8 мкА макс., 25 °C |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Корпус | SO-14 |
| Число виводів | 14 |
Мікросхема 74HC14N ( SN74HC14N ) , DIP
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | шість інверторів з тригером Шмітта на входах |
| Напруга живлення VCC | 2…6 В |
| Напруга живлення VCC (гранично допустима) | -0,5…7 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Затримка tpd, VCC = 4,5 В | 12 нс тип., 25 нс макс. (TA = 25 °C) |
| Струм споживання ICC | 2 мкА макс. (VCC = 6 В, TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ci | 3 пФ тип., 10 пФ макс. (VCC = 5 В) |
| Навантажувальна здатність | до 10 входів LSTTL |
| Корпус | DIP14 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N), 14 виводів |
Мікросхема 74HC14D ( HC14 , 74HC14 , 74HC14A ) , smd
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | шість інверторів з тригером Шмітта на входах |
| Напруга живлення VCC | 2,0…6,0 В |
| Напруга живлення VCC (гранично допустима) | -0,5…+7 В |
| Температура навколишнього середовища | -40…+125 °C (також нормовано -40…+85 °C) |
| Розсіювана потужність Ptot | 500 мВт, SO14 |
| Затримка tpd, VCC = 4,5 В | 15 нс тип., 25 нс макс. (CL = 50 пФ, Tamb = 25 °C) |
| Гістерезис VH, VCC = 4,5 В | 0,4 мін. / 0,98 тип. / 1,4 макс. В (Tamb = 25 °C) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема 4093BT ( HEF4093BT , HCF4093 , 4093BM ) , so-14
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | чотири елементи 2І-НЕ з тригером Шмітта на входах |
| Напруга живлення VDD (рекомендована) | 3…15 В |
| Напруга живлення VDD (гранично допустима) | -0,5…+18 В, відносно VSS = 0 В |
| Температура навколишнього середовища | -40…+125 °C |
| Розсіювана потужність Ptot | 500 мВт при Tamb = -40…+125 °C, SO14 |
| Затримка tPHL, VDD = 5 В | 90 нс тип., 185 нс макс. (CL = 50 пФ, Tamb = 25 °C) |
| Корпус | SO-14 |
Мікросхема 4093 ( CD4093BE , HCF4093BE )
В наявності
18,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | CMOS, 4 елементи 2І-НЕ з тригером Шмітта |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гістерезис (тип.) | 0,9 В (VDD = 5 В); 2,3 В (VDD = 10 В) |
| Корпус | DIP14 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N) 14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема 4027BE ( CD4027BE )
В наявності
21,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | CMOS, здвоєний JK-тригер |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Макс. тактова частота (тип.) | 7 / 16 / 24 МГц при VDD = 5 / 10 / 15 В, TA = 25 °C |
| Затримка такт – Q (тип.) | 150 / 65 / 45 нс при VDD = 5 / 10 / 15 В, TA = 25 °C |
| Запас завадостійкості | 1 / 2 / 2,5 В при VDD = 5 / 10 / 15 В |
| Корпус | DIP16 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N) 16 |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема 4024BE
В наявності
11,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | CMOS, двійковий лічильник |
| Кількість розрядів | 7 |
| Корпус | DIP14 |
| Корпус (докладно) | PDIP (N) 14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Робочий діапазон температур | -55…125 °C |
Мікросхема 4020BE ( CD4020BE ) , DIP16
В наявності
22,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 14-розрядний асинхронний двійковий лічильник/дільник CMOS |
| Корпус | DIP16 |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В |
| Макс. напруга живлення VDD | -0,5…+20 В (відносно VSS) |
| Макс. частота вхідних імпульсів | 3,5 / 8 / 12 МГц (VDD 5 / 10 / 15 В, TA 25 °C) |
| Розсіювана потужність | 500 мВт (TA -55…+100 °C) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 4013M ( HCF4013 ) smd
В наявності
7,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset |
| Корпус | smd |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В (рекомендовані умови) |
| Макс. напруга живлення VDD | 20 В (абсолютний максимум, відносно VSS) |
| Частота перемикання (Toggle Rate) | 16 МГц (VDD 10 В, типове значення) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Затримка такт – Q | 65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В) |
Мікросхема 4013BE ( CD4013BE , CD4013BP , HCF4013BE ) , DIP14
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний D-тригер CMOS з асинхронними входами Set/Reset |
| Корпус | DIP14 |
| Напруга живлення VDD | 3–18 В (рекомендовані умови) |
| Макс. напруга живлення VDD | 20 В (абсолютний максимум, відносно VSS) |
| Частота перемикання (Toggle Rate) | 16 МГц (VDD 10 В, типове значення) |
| Макс. вхідний струм | 1 мкА (VDD 18 В, у всьому діапазоні температур) |
| Затримка такт – Q | 65 нс тип. / 130 нс макс. (VDD 10 В) |
| Робоча температура | -55…125 °C |
Мікросхема 4011BE ( CD4011BE , HCF4011BE , 4011BP , К561ЛА7 ) , DIP
В наявності
17,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 4 елементи 2І-НІ (Quad 2-Input NAND) |
| Виробник (за datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+20 В відносно Vss |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 60 нс |
| Розсіювана потужність PD | 500 мВт (TA = -55…+100 °C) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 40106 ( HEF40106BT , CD40106 , HCF40106 ) оригінал, so-14
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 6 інверторів з тригером Шмітта на входах |
| Виробник (за datasheet) | Nexperia |
| Корпус | SO-14 |
| Корпус (докладно) | SO14 (SOT108-1), 14 виводів, ширина 3,9 мм |
| Напруга живлення VDD | 3…15 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+18 В |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 35 нс |
| Струм спокою IDD (макс., VDD = 5 В) | 0,25 мкА |
| Повна розсіювана потужність Ptot | 500 мВт |
| Робоча температура | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 4001BE ( CD4001BE ) , DIP14
В наявності
14,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Функція | 4 елементи 2АБО-НІ (Quad 2-Input NOR) |
| Виробник (за datasheet) | Texas Instruments |
| Корпус | DIP14 |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга живлення VDD | 3…18 В |
| Гранична напруга VDD | -0,5…+20 В відносно Vss |
| Затримка tPHL, tPLH (типова, VDD = 10 В) | 60 нс |
| Розсіювана потужність PD | 500 мВт (TA = -55…+100 °C) |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
Мікросхема 25X40 ( W25X40CLSIG , W25X40CLSNIG , W25X40BVSIG , 25X40VSIG ) , smd 8pin
В наявності
43,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 4 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual Output / Dual I/O) |
| Напруга живлення | 2,3–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 104 МГц |
| Струм у робочому режимі | 1 мА (typ.) |
| Струм у режимі Power-down | <1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C (industrial) |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (більше) |
| Зберігання даних | 20 років (більше) |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
Мікросхема 25X10 ( W25X10BVNIG ) , smd 8pin
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 1 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual Output) |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 75 МГц |
| Струм у робочому режимі | 5 мА (typ.) |
| Струм у режимі Power-down | 1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (мінімум) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 25Q80 , smd 8pin
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 8 Мбіт |
| Інтерфейс | SPI (Standard / Dual / Quad) |
| Напруга живлення | 2,7–3,6 В |
| Макс. частота SPI | 80 МГц |
| Струм у режимі Power-down | <1 мкА (typ.) |
| Робочий діапазон температур | –40…+85 °C (industrial) |
| Цикли стирання/запису | 100 000 (мінімум) |
| Зберігання даних | 20 років |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |