Магазин
Мікросхема 25Q64 , smd 8pin
В наявності
80,37 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 64 Mbit (67108864 біт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Частота SPI | 133 МГц |
| Ресурс циклів стирання/запису | 100000 циклів (мінімум, на сектор) |
| Зберігання даних | понад 20 років |
| Струм Power-down | <1 мкА (типове значення) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Інтерфейс | SPI / Dual SPI / Quad SPI |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання) |
| Корпус | smd 8 pin |
Мікросхема 25Q32 оригінал( 25Q32JVSIQ , W25Q32JVSIQ , W25Q32JVSSIQ )(заміна для W25Q32BVSSIG , 25Q32BVSIG , W25Q32FVSSIG , 25Q32FVSIG , 25Q32VSIG , W25Q32VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Winbond |
| Обсяг пам'яті | 32 Mbit (33554432 біт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Частота SPI | 133 МГц |
| Ресурс циклів стирання/запису | 100000 циклів (мінімум, на сектор) |
| Зберігання даних | понад 20 років |
| Струм Power-down | <1 мкА (типове значення) |
| Розмір сектора | 4 КБ |
| Інтерфейс | SPI / Dual SPI / Quad SPI |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання) |
| Корпус | SOIC-8 208 mil |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 25Q32 ( EN25Q32B-104HIP ) оригінал, smd 8pin виробник cFeon
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Eon Silicon Solution (cFeon) |
| Тип | Послідовна флеш-пам’ять SPI (Standard, Dual, Quad) |
| Корпус | smd 8 pin |
| Обсяг пам'яті | 32 Мбіт (4096 Кбайт) |
| Напруга живлення | 2.7–3.6 В |
| Тактова частота | 104 МГц (1 біт), 80 МГц (2 біти), 50 МГц (4 біти) |
| Струм в активному режимі | 12 мА (тип.) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Ресурс | 100 тис. циклів запису/стирання |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24LC08B-I/P
В наявності
15,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип пам'яті | EEPROM з інтерфейсом I2C |
| Ємність | 8 кбіт |
| Напруга живлення | 2,5–5,5 В |
| Максимальна тактова частота | 400 кГц (VCC 2,5–5,5 В) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Буфер сторінкового запису | 16 байт |
| Час циклу запису | 5 мс (макс.) |
| Циклів стирання/запису | не менше 1 000 000 (25 °C) |
| Збереження даних | понад 200 років |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Microchip Technology |
Мікросхема 24LC04B-I/P
В наявності
20,21 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип пам'яті | EEPROM з інтерфейсом I2C |
| Ємність | 4 кбіт |
| Напруга живлення | 2,5–5,5 В |
| Максимальна тактова частота | 400 кГц (VCC 2,5–5,5 В) |
| Робочий діапазон температур | -40…+85 °C |
| Буфер сторінкового запису | 16 байт |
| Час циклу запису | 5 мс (макс.) |
| Циклів стирання/запису | не менше 1 000 000 (25 °C) |
| Збереження даних | понад 200 років |
| Корпус | DIP8 |
| Виробник | Microchip Technology |
Мікросхема 24C64 ( AT24C64N , AT24C64AN , 24C64RP , ST24C64WP ) , so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс |
| Ємність | 64 Кбіт (8192 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,7–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,8–5,5 В |
| Тактова частота SCL | 100 кГц (1,8; 2,5; 2,7 В), 400 кГц (5 В) |
| Сторінковий запис | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим) |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 24C512 ( AT24C512 , 2FC ) , so-8
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, I2C-сумісна (2-wire) |
| Ємність | 512 Кбіт (65 536 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,5–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,7–3,6 В |
| Тактова частота SCL | 400 кГц (1,7 В), 1 МГц (2,5–5,5 В) |
| Сторінковий запис | 128 байт |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 40 років |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема 24C512 ( 24512A – маркування ) , DIP8
В наявності
101,99 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс (I2C-сумісний) |
| Ємність | 512 Кбіт (65 536 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,7–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,8–3,6 В |
| Тактова частота SCL | 1 МГц (5 В), 400 кГц (2,7 В), 100 кГц (1,8 В) |
| Сторінковий запис | 128 байт |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 100 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим) |
| Зберігання даних | 40 років |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C32 ( AT24C32A , ST24C32W6 ) (DIP8)
В наявності
23,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 32 Кбіт (4096 x 8) |
| Інтерфейс | 2-wire (I2C-сумісний) |
| Напруга живлення Vcc | 2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання) |
| Розмір сторінки запису | 32 байти |
| Час циклу запису | 10 мс (максимум) |
| Струм спокою (Low-Power) | 2 мкА при Vcc = 5,5 В |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Корпус | DIP8 |
| Корпус (докладно) | DIP8 (8-pin PDIP, 0,300″) |
Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8
В наявності
19,74 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 8K (8192 біт) |
| Організація | 1024 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -55…+125 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Обсяг пам'яті | 4K (4096 біт) |
| Організація | 512 x 8 |
| Інтерфейс | I2C (двопровідний) |
| Напруга живлення | 2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В) |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В) |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Час циклу запису (макс.) | 5 мс |
| Циклів запису | 1 000 000 |
| Зберігання даних | 100 років |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | DIP8 |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 4 Кбіт (512 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | SO-8 |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
16,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Демонтаж