Магазин

25Q64 мікросхема smd 8pin, фото маркування

Мікросхема 25Q64 , smd 8pin

В наявності

80,37 ₴

Параметр	Значення
Обсяг пам'яті	64 Mbit (67108864 біт)
Напруга живлення	2.7–3.6 В
Частота SPI	133 МГц
Ресурс циклів стирання/запису	100000 циклів (мінімум, на сектор)
Зберігання даних	понад 20 років
Струм Power-down	<1 мкА (типове значення)
Розмір сектора	4 КБ
Інтерфейс	SPI / Dual SPI / Quad SPI
Робочий діапазон температур	-40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання)
Корпус	smd 8 pin

На канікулах до 20.11

W25Q32JVSIQ 25Q32 мікросхема SOIC 208-mil, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 25Q32 оригінал( 25Q32JVSIQ , W25Q32JVSIQ , W25Q32JVSSIQ )(заміна для W25Q32BVSSIG , 25Q32BVSIG , W25Q32FVSSIG , 25Q32FVSIG , 25Q32VSIG , W25Q32VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Winbond
Обсяг пам'яті	32 Mbit (33554432 біт)
Напруга живлення	2.7–3.6 В
Частота SPI	133 МГц
Ресурс циклів стирання/запису	100000 циклів (мінімум, на сектор)
Зберігання даних	понад 20 років
Струм Power-down	<1 мкА (типове значення)
Розмір сектора	4 КБ
Інтерфейс	SPI / Dual SPI / Quad SPI
Робочий діапазон температур	-40…+85 або -40…+105 °C (залежно від виконання)
Корпус	SOIC-8 208 mil
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

25Q32 (EN25Q32B-104HIP) флеш-пам'ять SMD 8 виводів, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 25Q32 ( EN25Q32B-104HIP ) оригінал, smd 8pin виробник cFeon

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Eon Silicon Solution (cFeon)
Тип	Послідовна флеш-пам’ять SPI (Standard, Dual, Quad)
Корпус	smd 8 pin
Обсяг пам'яті	32 Мбіт (4096 Кбайт)
Напруга живлення	2.7–3.6 В
Тактова частота	104 МГц (1 біт), 80 МГц (2 біти), 50 МГц (4 біти)
Струм в активному режимі	12 мА (тип.)
Робоча температура	-40…+85 °C
Ресурс	100 тис. циклів запису/стирання
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

25Q16 флеш-пам'ять SOIC 208-mil, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 25Q16 оригінал ( 25Q16JVSIQ , W25Q16JVSIQ , W25Q16JVSSIQ )(заміна для W25Q16BVSSIG , 25Q16BVSIG , W25Q16FVSSIG , 25Q16FVSIG , 25Q16VSIG , W25Q16VSSIG ) , SOIC 208-MIL виробник Winbond

В наявності

122,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	NOR Flash, послідовний SPI (Dual SPI, Quad SPI)
Обсяг пам'яті	16 Мбіт (2M x 8)
Напруга живлення	3 / 3,3 В
Корпус	SO-8
Ширина корпусу	208-mil
Виробник	Winbond
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

25L3206E флеш-пам'ять SPI 8-SOP, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 25L3206E ( MX25L3206E , MX25L3206EM2I-12G ) оригінал, smd

В наявності

126,90 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Macronix
Обсяг пам'яті	32 Мбіт (4M x 8)
Інтерфейс	SPI (Serial NOR Flash)
Тактова частота	86 МГц
Напруга живлення	2,7–3,6 В
Робоча температура	-40…+85 °C
Цикли стирання/запису	100000 (типово)
Збереження даних	20 років
Корпус	SOIC-8 208 mil
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

25L1005 SPI flash SOP-8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 25L1005 ( MX25L1005 , MX25L1005MC-12G , 25L1005A , MX25L1005A ) , so-8

В наявності

65,80 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Macronix
Тип	SPI flash-пам’ять
Ємність	1 Мбіт
Напруга живлення	2,7–3,6 В
Тактова частота SPI	85 МГц при 15 пФ + 1 TTL
Цикли стирання/запису	100000 (мін.)
Корпус	SO-8

На канікулах до 20.11

24LC08B-I/P EEPROM I2C DIP-8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 24LC08B-I/P

В наявності

15,04 ₴

Параметр	Значення
Тип пам'яті	EEPROM з інтерфейсом I2C
Ємність	8 кбіт
Напруга живлення	2,5–5,5 В
Максимальна тактова частота	400 кГц (VCC 2,5–5,5 В)
Робочий діапазон температур	-40…+85 °C
Буфер сторінкового запису	16 байт
Час циклу запису	5 мс (макс.)
Циклів стирання/запису	не менше 1 000 000 (25 °C)
Збереження даних	понад 200 років
Корпус	DIP8
Виробник	Microchip Technology

На канікулах до 20.11

24LC04B-I/P EEPROM I2C DIP-8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 24LC04B-I/P

В наявності

20,21 ₴

Параметр	Значення
Тип пам'яті	EEPROM з інтерфейсом I2C
Ємність	4 кбіт
Напруга живлення	2,5–5,5 В
Максимальна тактова частота	400 кГц (VCC 2,5–5,5 В)
Робочий діапазон температур	-40…+85 °C
Буфер сторінкового запису	16 байт
Час циклу запису	5 мс (макс.)
Циклів стирання/запису	не менше 1 000 000 (25 °C)
Збереження даних	понад 200 років
Корпус	DIP8
Виробник	Microchip Technology

На канікулах до 20.11

24C64 мікросхема EEPROM SO-8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема 24C64 ( AT24C64N , AT24C64AN , 24C64RP , ST24C64WP ) , so-8

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс
Ємність	64 Кбіт (8192 x 8)
Напруга живлення (стандартна версія)	2,7–5,5 В
Напруга живлення (низьковольтна версія)	1,8–5,5 В
Тактова частота SCL	100 кГц (1,8; 2,5; 2,7 В), 400 кГц (5 В)
Сторінковий запис	32 байти
Час циклу запису	10 мс, макс.
Ресурс запису	1 000 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим)
Зберігання даних	100 років
Корпус	SO-8

На канікулах до 20.11

24C512 мікросхема EEPROM SO-8, фото маркування 2FC

Додати в обране

Мікросхема 24C512 ( AT24C512 , 2FC ) , so-8

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	Послідовна EEPROM, I2C-сумісна (2-wire)
Ємність	512 Кбіт (65 536 x 8)
Напруга живлення (стандартна версія)	2,5–5,5 В
Напруга живлення (низьковольтна версія)	1,7–3,6 В
Тактова частота SCL	400 кГц (1,7 В), 1 МГц (2,5–5,5 В)
Сторінковий запис	128 байт
Час циклу запису	5 мс, макс.
Ресурс запису	1 000 000 циклів
Зберігання даних	40 років
Корпус	SO-8

На канікулах до 20.11

24C512 мікросхема EEPROM DIP8, фото маркування 24512A

Додати в обране

Мікросхема 24C512 ( 24512A – маркування ) , DIP8

В наявності

101,99 ₴

Параметр	Значення
Тип	Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс (I2C-сумісний)
Ємність	512 Кбіт (65 536 x 8)
Напруга живлення (стандартна версія)	2,7–5,5 В
Напруга живлення (низьковольтна версія)	1,8–3,6 В
Тактова частота SCL	1 МГц (5 В), 400 кГц (2,7 В), 100 кГц (1,8 В)
Сторінковий запис	128 байт
Час циклу запису	5 мс, макс.
Ресурс запису	100 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим)
Зберігання даних	40 років
Корпус	DIP8

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C32 ( AT24C32A , ST24C32W6 ) (DIP8)

В наявності

23,97 ₴

Параметр	Значення
Обсяг пам'яті	32 Кбіт (4096 x 8)
Інтерфейс	2-wire (I2C-сумісний)
Напруга живлення Vcc	2,7–5,5 В або 1,8–5,5 В (два виконання)
Розмір сторінки запису	32 байти
Час циклу запису	10 мс (максимум)
Струм спокою (Low-Power)	2 мкА при Vcc = 5,5 В
Ресурс запису	1 000 000 циклів
Зберігання даних	100 років
Корпус	DIP8
Корпус (докладно)	DIP8 (8-pin PDIP, 0,300″)

На канікулах до 20.11

MAX1771ESA підвищувальний DC-DC контролер SO-8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема MAX1771ESA ( MAX1771 ), so-8

В наявності

145,70 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Maxim (Analog Devices)
Тип	Підвищувальний DC-DC контролер
Вихідна напруга	12 В (задана) або регульована резисторами
Вхідна напруга	2–16,5 В
Вихідна потужність	до 24 Вт
Частота перемикання	до 300 кГц
Робоча температура	-40…85 °C
Корпус	SO-8

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C16 ( AT24C16 , ST24C16W6 ) , DIP8

В наявності

22,09 ₴

Параметр	Значення
Тип	послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс
Обсяг	16 Кбіт (2048 x 8)
Напруга живлення	1,8–5,5 В (також варіант 2,7–5,5 В)
Частота	100 кГц при 1,8 В; 400 кГц при 2,7 В і 5 В
Сторінковий запис	16 байт
Час запису	5 мс (макс.)
Ресурс запису	1 000 000 циклів
Зберігання даних	100 років
Корпус	DIP8

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C128 , smd

В наявності

37,60 ₴

Параметр	Значення
Тип	послідовна EEPROM, I2C
Обсяг	131 072 біт (16 384 x 8)
Напруга живлення	1,7–5,5 В
Частота SCL	400 кГц при 1,7 В; 1 МГц при 2,5 В, 2,7 В, 5,0 В
Сторінковий запис	64 байт
Час запису	5 мс (макс.)
Ресурс запису	1 000 000 циклів (25 °C, Page Mode, 3,3 В)
Зберігання даних	40 років
Виконання	SMD

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C1024 ( FM24C1024A , AT24C1024 , 2GB ) , so-8

В наявності

99,64 ₴

Параметр	Значення
Тип	послідовна EEPROM, I2C
Обсяг	1 048 576 біт (131 072 x 8)
Напруга живлення	1,8–3,6 В або 2,5–5,5 В
Частота SCL	400 кГц при 1,8 В; 1 МГц при 2,5 В і 5 В
Сторінковий запис	256 байт
Час запису	5 мс (типово)
Ресурс запису	1 000 000 циклів на сторінку
Зберігання даних	40 років
Корпус	SO-8

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C08WP ( ST24C08WP , M24C08-WMN6TP ) оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Обсяг пам'яті	8K (8192 біт)
Організація	1024 x 8
Інтерфейс	I2C (двопровідний)
Напруга живлення	2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL	100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису	16 байт
Час циклу запису (макс.)	5 мс
Циклів запису	1 000 000
Зберігання даних	100 років
Робоча температура	-55…+125 °C
Корпус	SO-8
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C08 ( AT24C08 , ST24C08W6 ) , DIP8

В наявності

19,74 ₴

Параметр	Значення
Обсяг пам'яті	8K (8192 біт)
Організація	1024 x 8
Інтерфейс	I2C (двопровідний)
Напруга живлення	2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL	100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису	16 байт
Час циклу запису (макс.)	5 мс
Циклів запису	1 000 000
Зберігання даних	100 років
Робоча температура	-55…+125 °C
Корпус	DIP8

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , 24C04WBN6 , AT24C04N ), DIP8

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Обсяг пам'яті	4K (4096 біт)
Організація	512 x 8
Інтерфейс	I2C (двопровідний)
Напруга живлення	2,7…5,5 В (версія 2,7 В); 1,8…5,5 В (версія 1,8 В)
Частота SCL	100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В, 5 В)
Розмір сторінки запису	16 байт
Час циклу запису (макс.)	5 мс
Циклів запису	1 000 000
Зберігання даних	100 років
Робоча температура	-40…+85 °C
Корпус	DIP8

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Ємність пам'яті	4 Кбіт (512 x 8)
Інтерфейс	I2C (two-wire)
Корпус	SO-8
Розмір сторінки запису	16 байт
Напруга живлення (версія -1.8)	1,8–5,5 В
Напруга живлення (версія -2.7)	2,7–5,5 В
Частота SCL	100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В)
Час циклу запису	5 мс, макс.
Ресурс запису	1 000 000 циклів
Зберігання даних	100 років
Захист запису	вивід WP
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Ємність пам'яті	2 Кбіт (256 x 8)
Інтерфейс	I2C (two-wire)
Корпус	DIP8
Розмір сторінки запису	8 байт
Напруга живлення (версія -1.8)	1,8–5,5 В
Напруга живлення (версія -2.7)	2,7–5,5 В
Частота SCL	100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В)
Час циклу запису	5 мс, макс.
Ресурс запису	1 000 000 циклів
Зберігання даних	100 років
Захист запису	вивід WP

На канікулах до 20.11

TMS91429CT трансформатор інвертора, фото маркування

Додати в обране

Трансформатор інвертора TMS91429CT ( QGAH02101 , TMS92515CT , TMS91904CT , TMS93145CT , Заміна для 1400271 з перефазуванням однієї вторички )

В наявності

181,89 ₴

Параметр	Значення
Тип	Трансформатор інвертора
Позначення	TMS91429CT, QGAH02101, TMS92515CT, TMS91904CT, TMS93145CT
Може замінити	1400271 (з перефазуванням однієї вторички)