Магазин
Мікросхема BTS142D оригінал, TO252
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Тип | N-канальний вертикальний MOSFET Smart SIPMOS із вбудованим захистом |
| Напруга Vds | 42 В |
| Rds(on) | 28 мОм (умови не вказані) |
| Струм ID(Nom) | 4.6 А |
| Енергія затискання EAS | 3.5 Дж |
| Вхідна напруга VIN | -0.2…10 В (неперервна) |
| Напруга затискання VDS(AZ) | 42–55 В (ID = 10 мА, Tj = -40…150 °C) |
| Температура переходу Tj | -40…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Конденсатор резонансний неполярний 0,47мкФ*1600V MKPH (0,47mkF*1600V MKPH) для індукціонки , варильної поверхні
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 0,47 мкФ |
| Номінальна напруга | 1600 В |
| Тип | MKPH |
| Полярність | неполярний |
Діод Шоттки MBR40200PT оригінал (40A,200V) , TO247-3pin
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шотткі, здвоєний зі спільним катодом |
| Виробник (за datasheet) | Micro Commercial Components (MCC) |
| Корпус | TO-247 |
| Vrrm | 200 В |
| IF(AV) | 40 А (Tc = 110 °C, номінальна Vr, 20 кГц, шпаруватість 50 %) |
| IFSM | 250 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Vf (макс.) | 0,91 В (IFM = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vf | 0,80 В (IFM = 20 А, Tj = 125 °C) |
| Ir | 0,05 мА (номінальна Vr, Tj = 25 °C); 25 мА (номінальна Vr, Tj = 125 °C) |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
| Rth(j-c) типовий | 0,5 °C/Вт |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR30200PT оригінал (30A,200V) , TO247-3pin
В наявності
64,86 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 200 В |
| Середній прямий струм Io | 30 А (на весь корпус, TC 125 °C) |
| Пряме падіння напруги Vf | 900 мВ (If=15А) |
| Зворотний струм витоку Ir | 10 мкА (Vr=200В) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки STPS30H100CT оригінал ( заміна для MBR30H100CT ) , TO220-3pin
В наявності
59,69 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Конфігурація | здвоєний 2 × 15 А, спільний катод |
| Корпус | TO-220 |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 100 В |
| Середній прямий струм If(av) | 15 А на діод, Tc = 155 °C, δ = 0,5 (30 А на прилад) |
| Прямий струм If(rms) | 30 А |
| Ударний прямий струм Ifsm | 250 А, tp = 10 мс, синусоїда, на діод |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0.80 В при If = 15 А, Tj = 25 °C |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5 мкА при Vr = Vrrm, Tj = 25 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.6 °C/Вт на діод |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод SFR15F60F2 оригінал, TO220F-2pin
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | швидкий діод, одиночний |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм Iav | 15 А |
| Ударний струм Ifsm | 100 А (t 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2.4 В (IF 20 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 60 нс (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irec 0,25 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод RHRP3060 оригінал демонтаж (30A,600V), TO220-2pin
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Тип | Діод надшвидкий (hyperfast), одиночний |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм Iav | 30 А при Tc 120 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 2,1 В при IF 30 А, Tc 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 45 нс при IF 30 А, dIF/dt 200 А/мкс |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 250 мкА при VR 600 В, Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діодний міст HD35SB100 ( D35SB100 ) оригінал
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В |
| Середній випрямлений струм If(av) | 35 А (з радіатором, Tc 100 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 400 А (8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1,05 В при 17,5 А |
| Зворотний струм Ir | 5 мкА (Ta 25 °C) |
| Робоча температура Tj | до 150 °C |
| Корпус | SIP-4P |
| Середній випрямлений струм без радіатора | 10 А (Ta 25 °C) |
| Температура зберігання Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод MURF1060CT оригінал (заміна для MUR1060FCT ), TO220F-3pin загальний катод
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод швидкий (ultrafast), здвоєний |
| Конфігурація | спільний катод, два діоди в корпусі |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В при Tc 25 °C |
| Середній прямий струм Iav | 5 А на діод, 10 А на обидва діоди, Tc 100 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,6 В при IF 5 А, Tc 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 35 нс при VR 30 В, IF 1 А, -dI/dt 50 А/мкс |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 5 мкА при VR 600 В, Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Діод HFA04TB60 оригінал (600V,4A), TO220-2pin
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | Діод ультрашвидкий (HEXFRED), одиночний |
| Зворотна напруга VR | 600 В |
| Прямий струм IF | 4 А при Tc 100 °C |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1,8 В при IF 4 А, Tj 25 °C |
| Час відновлення trr (макс.) | 42 нс при IF 4 А, dIF/dt 200 А/мкс, VR 200 В, Tj 25 °C |
| Ємність переходу Ct (макс.) | 8 пФ при VR 200 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSA20N50MR оригінал, TO-3P
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, планарна DMOS |
| Виробник | Truesemi |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C), 13 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | макс. 0.3 Ом, тип. 0.25 Ом (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл тип. (Vds 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJH65T14 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено зоною безпечної роботи); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 180 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В тип. (Ic = 50 А, Vge = 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є, швидкий |
| Прямий струм діода | 20 А (Tc 100 °C) |
| trr діода | 250 нс (If = 20 А, Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP60T12A оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 60 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C, обмеження кристалом); 100 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 4.0 мОм макс., тип. 3.5 (Vgs 10 В, Id 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1.0–2.4 В (тип. 1.7, Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 180 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGT15N60FDA ( 15N60FDA ) оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 15 А (TC 25 °C, TO-220IS) |
| Струм Ic (100 °C) | 7.5 А (TC 100 °C, TO-220IS) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 35 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF60N65KDF ( 60N65KDF ) оригінал (заміна для KGF50N65KDF , 50N65KDF ), TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 650 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | 20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) | 1.77 В тип., 2.2 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 60 А, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 340 Вт (Tc 25 °C); 170 Вт (Tc 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2981 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JRA28N50 оригінал, TO-3P
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Тип | Польовий транзистор (MOSFET) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JCS120N08 оригінал, TO220
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (Id 250 мкА, Vgs 0 В) |
| Струм стоку Id | 120 А (Tc 25 °C); 96 А (Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 6.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 40 А, 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 5700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRFPS43N50K оригінал демонтаж, Super-247
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 47 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C); 29 А (Vgs 10 В, Tc 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0.090 Ом макс., тип. 0.078 (Vgs 10 В, Id 28 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 540 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 8310 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFI730G оригінал, TO220F
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Vishay |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 400 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 3.7 А (Vgs 10 В, Tc 25 °C), 2.3 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1.0 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 2.1 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 38 нКл макс. (Vgs 10 В, Id 3.7 А, Vds 320 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IGW60T60K оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IGW40T60U оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HYG100N20 ( HYG100N20NS1W , HYG100N20W ) оригінал, TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GP028N08A ( HGP028N08A ) оригінал, TO220
В наявності
200,22 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга пробою Vdss | 80 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 182 А |
| Rds(on) за Vgs 10 В, TA 25 °C | 2.9 мОм тип. / 3.4 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл тип. |
| Заряд Qgs | 20 нКл тип. |
| Заряд Qgd | 36 нКл тип. |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDP18N50 , TO220
В наявності
103,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,265 Ом макс. (VGS 10 В, ID 9 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (VDS 400 В, ID 18 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 235 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |