Магазин

IGBT-транзистор GT30F133 ( 30F133 ) оригінал (Заміна для IRG7R313U ) , DPAK

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-252 (D-PAK)
Номер деталі	GT30F133 (30F133)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

IRG4PH50UD IGBT TO-247AC, фото маркування G4PH50UD

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор IRG4PH50UD ( G4PH50UD ) оригінал демонтаж б/в(1200V,45A) , TO247

В наявності

243,46 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vces	1200 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА)
Струм Ic	45 А (Tc 25 °C); 24 А (Tc 100 °C)
Vce(on)	2.78 В тип., 3.7 В макс. (Ic 24 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)	3.0–6.0 В (Vce = Vge, Ic 250 мкА)
Заряд затвора Qg	160 нКл тип. (Ic 24 А, Vcc 400 В, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies	3600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Вбудований діод	є, HEXFRED
Температура Tj	–55…+150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IRG4PH40UD IGBT-транзистор TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор IRG4PH40UD оригінал демонтаж б/в( IRG4PH40UD2-E ) (1200V,41A,160W) , TO247

В наявності

243,46 ₴

Параметр	Значення
Виробник	International Rectifier (IRF)
Корпус	TO-247
Напруга Vces	1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Ic (25 °C)	41 А (TC = 25 °C)
Струм Ic (100 °C)	21 А (TC = 100 °C)
Vce(on)	2,43 В тип., 3,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 21 А, Tj 25 °C)
Потужність Pd	160 Вт (TC = 25 °C)
Діод	є, HEXFRED, надшвидкий, м’який
Температура переходу Tj	−55…+150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

YGF20N65T2 IGBT TO-220F, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор YGF20N65T2 оригінал , TO220F

В наявності

122,67 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vces	650 В (Tj 25 °C)
Номінальний струм Ic	20 А
Vce(sat)	1.65 В тип., 2.05 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)	4.4–6.4 В (Ic 250 мкА)
Заряд затвора Qg	45 нКл тип.
Вхідна ємність Cies	1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TO-220F)	30.6 Вт (Tj 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Діод	є, Vf 1.9 В тип. (If 20 А, Tj 25 °C)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

K20T60 IKW20N60T IGBT TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор K20T60 ( IKW20N60T ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vce	600 В
Струм Ic при 25 °C	40 А (Tc = 25 °C)
Струм Ic при 100 °C	20 А (Tc = 100 °C)
Напруга Vge	±20 В
Потужність Ptot	166 Вт (Tc = 25 °C)
Vce(sat)	1.5 В тип., 2.05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 20 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	120 нКл тип.
Вхідна ємність Cies	1100 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу	175 °C
Діод	є, EmCon HE, If = 20 А (Tc = 100 °C)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IRG4PC50UD IGBT TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор IRG4PC50UD ( G4PC50UD ) оригінал демонтаж б/в (600V,55A,200W) , TO247

В наявності

200,22 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vces	600 В
Струм Ic при 25 °C	55 А (Tc = 25 °C)
Струм Ic при 100 °C	27 А (Tc = 100 °C)
Імпульсний струм Icm	220 А
Напруга Vge	±20 В
Потужність Pd	200 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Cies	4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Vce(on)	1.65 В тип., 2.0 В макс. (Ic = 27 А, Vge = 15 В, Tj 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Діод	є, HEXFRED, If = 25 А (Tc = 100 °C)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IRG4PC50U IGBT TO-247AC, фото маркування G4PC50U

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор IRG4PC50U ( G4PC50U ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

200,22 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT n-канал UltraFast, без вбудованого діода
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Корпус	TO-247
Напруга Vces	600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА)
Струм Ic при 25 °C	55 А
Струм Ic при 100 °C	27 А
Імпульсний струм Icm	220 А
Vce(on) тип.	1,65 В (IC = 27 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)	3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Напруга затвор-емітер Vge	±20 В
Розсіювана потужність Pd	200 Вт (TC = 25 °C)
Qg тип.	180 нКл (IC = 27 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies	4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Робоча температура Tj	від -55 до +150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IRG4PC40W IGBT TO-247AC, фото маркування G4PC40W

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор IRG4PC40W ( G4PC40W ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT n-канал, без вбудованого діода
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Корпус	TO-247
Напруга Vces	600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА)
Струм Ic при 25 °C	40 А
Струм Ic при 100 °C	20 А
Імпульсний струм Icm	160 А
Vce(on) тип.	2,05 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)	3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Напруга затвор-емітер Vge	±20 В
Розсіювана потужність Pd	160 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies	1900 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Ets тип.	0,34 мДж (IC = 20 А, VCC = 480 В, VGE = 15 В, RG = 10 Ом, Tj 25 °C)
Робоча температура Tj	від -55 до +150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

IRG4PC40UD IGBT TO-247AC, фото маркування G4PC40UD

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор IRG4PC40UD ( G4PC40UD ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

213,85 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT n-канал з антипаралельним діодом
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Корпус	TO-247
Напруга Vces	600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА)
Струм Ic при 25 °C	40 А
Струм Ic при 100 °C	20 А
Імпульсний струм Icm	160 А
Vce(on) тип.	1,72 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C)
Vge(th)	3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Напруга затвор-емітер Vge	±20 В
Розсіювана потужність Pd	160 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies	2100 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Діод If	15 А (TC = 100 °C)
Робоча температура Tj	від -55 до +150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

HGTG10N120BND IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор HGTG10N120BND оригінал (1200V,35A,298W) , TO247

В наявності

202,57 ₴

Параметр	Значення
Виробник	onsemi (ON Semiconductor)
Тип	IGBT NPT з антипаралельним швидким діодом
Напруга BVCES	1200 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм IC25	35 А (TC = 25 °C)
Струм IC110	17 А (TC = 110 °C)
Імпульсний струм ICM	80 А
Напруга насичення VCE(sat)	2,45 В тип., 2,7 В макс. (IC = 10 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C)
Заряд затвора QG(ON)	100 нКл тип., 120 нКл макс.
Розсіювана потужність PD	298 Вт (TC = 25 °C)
Діапазон температур переходу TJ	-55…150 °C
Тепловий опір перехід–корпус	0,42 °C/Вт (макс.)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

H20R1202 (IHW20N120R2) IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор H20R1202 ( IHW20N120R2 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для H20R120 , IHW20N120R ), TO-247

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип	IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Soft Switching
Напруга VCE	1200 В
Номінальний струм IC	20 А
Напруга насичення VCE(sat)	1,55 В (Tj = 25 °C, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Макс. температура переходу Tj,max	175 °C
Напруга затвор–емітер VGE	±20 В (перехідна, tp < 5 мс, ±25 В)
Тепловий опір перехід–корпус	0,45 К/Вт (макс.)
Вбудований діод	є, монолітний (body diode)
Корпус	TO-247
Вхідна ємність Cies	1887 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

H15R1203 IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал, TO-247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vces	1200 В
Струм Ic (25 °C)	30.0 А
Струм Ic (100 °C)	15.0 А
Vce(sat) (15А/15В/25°C)	1.48 В тип. / 1.70 В макс.
Пряма напруга діода Vf	1.55 В тип. / 1.75 В макс.
Порогова напруга Vge(th)	5.1–6.4 В (тип. 5.8 В)
Розсіювана потужність Ptot	254.0 Вт
Максимальна Tvj	175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

GW45HF60WD IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор GW45HF60WD оригінал демонтаж б/в ( STGW45HF60WD , GW45HF60WDA , GW45HF60WDB , STGW45HF60WDB , STGW45HF60WDA , STGW45HF60WDI ) , TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vces	600 В
Струм Ic при 25 °C	70 А
Струм Ic при 100 °C	45 А
Імпульсний струм Icp	150 А
Потужність Ptot	250 Вт при Tc = 25 °C
Vce(sat)	1.68–2.50 В при Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tj 25 °C
Заряд затвора Qg	160 нКл (тип.)
Вхідна ємність Cies	2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діод	є, ультрашвидкий
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

GT60N321 IGBT-транзистор TO-264, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор GT60N321 оригінал демонтаж б/в, TO264

В наявності

256,62 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Напруга Vces	1000 В
Струм Ic (DC)	60 А
Імпульсний струм Icp	120 А (1 мс)
Потужність Pc	170 Вт при Tc = 25 °C
Вхідна ємність Cies	4000 пФ
Vge	±25 В
Tj max	150 °C
Vce(sat)	2.3 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В
Вбудований діод	є (FRD)
Корпус	TO-264
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор GT45G122 оригінал демонтаж б/в ( GT45G123 , GT45G124 ) , TO220F

В наявності

169,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	400 В
Напруга насичення Vce(sat), тип.	2,4 В
Вбудований діод	немає
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

GT35J321 IGBT TO-3P(N)IS, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор GT35J321 оригінал, TO-3P(N)IS

В наявності

379,76 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Напруга Vces	600 В
Струм Ic (Tc = 25 °C)	37 А
Струм Ic (Tc = 100 °C)	18 А
Vce(sat) (IC = 50 А, VGE = 15 В, тип.)	1,9 В
Потужність Pc (Tc = 25 °C)	75 Вт
Вхідна ємність Cies	2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц)
Діод	є
Корпус	TO-3P(N)IS
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

GT30J322 IGBT TO-3P(N)IS, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор GT30J322 оригінал демонтаж б/в , TO-3P(N)IS ізольований корпус

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Toshiba
Напруга Vces	600 В
Струм Ic (Ta = 25 °C)	30 А
Імпульсний струм Icp (1 мс)	100 А
Vce(sat) (IC = 50 А, VGE = 15 В, тип.)	2,1 В
Потужність Pc (TC = 25 °C)	75 Вт
Вхідна ємність Cies	2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц)
Діод	є
Корпус	TO-3P(N)IS
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

GT30F132 IGBT-транзистор D2PAK (TO-263), фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор GT30F132 , D2PAK (TO-263)

В наявності

65,80 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	360 В
Монтаж	поверхневий (SMD)
Корпус	D2PAK

На канікулах до 20.11

Додати в обране

IGBT-транзистор GP10NC60KD ( STGP10NC60KD ) оригінал (Заміна для IRGB6B60KD , GB6B60KD , IRG4BC20UD ), TO220

В наявності

156,04 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Напруга Vces	600 В
Струм Ic (TC = 25 °C)	20 А
Струм Ic (TC = 100 °C)	10 А
Vce(sat) (VGE = 15 В, IC = 5 А, TC = 25 °C, тип.)	2,2 В
Потужність Ptot (TC = 25 °C)	65 Вт
Вхідна ємність Cies	380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FGL60N100BNTD IGBT TO-264, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор FGL60N100BNTD ( G60N100 , G60N100BNTD , TGL60N100ND1 , 60N100ND1 ) оригінал демонтаж б/в , TO264

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	onsemi (Fairchild)
Тип	IGBT NPT Trench з вбудованим швидким діодом
Напруга Vces	1000 В
Струм Ic	60 А (Tc 25 °C); 42 А (Tc 100 °C)
Vce(sat) тип. / макс.	2,5 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg	275 нКл (Vce 600 В, Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Вхідна ємність Cies	6000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	180 Вт (Tc 25 °C); 72 Вт (Tc 100 °C)
Діапазон Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-264
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

FGL40N120AND IGBT TO-264, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор FGL40N120AND ( FGL40N120 , TGL40N120FD , G40N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO264

В наявності

265,55 ₴

Параметр	Значення
Виробник	onsemi (Fairchild)
Тип	IGBT NPT з вбудованим швидким діодом
Напруга Vces	1200 В
Струм Ic	64 А (Tc 25 °C); 40 А (Tc 100 °C)
Vce(sat) тип. / макс.	2,6 / 3,2 В (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg тип.	220 нКл (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies	3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	500 Вт (Tc 25 °C); 200 Вт (Tc 100 °C)
Діапазон Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-264
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

DG302 IGBT-транзистор D2PAK, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор DG302 ( DG3C3020CL ) оригінал ( 300V,250A ) , D2PAK

В наявності

150,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	330 В
Струм колектора Ic	45 А
Імпульсний струм Icp	250 А
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

BTS2140-1B IGBT-транзистор D2PAK, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор BTS2140-1B ( BTS2140 ) оригінал, D2PAK

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT для систем запалювання
Напруга пробою BVces	370–430 В
Струм колектора Ic	20 А (25 °C), 14 А (110 °C)
Потужність Pd	125 Вт (25 °C)
Порогова напруга Vge(th)	1,3–2,2 В
Корпус	D2PAK
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

IGBT-транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) оригінал, TO-3P (1800V,40A)

В наявності

564,00 ₴

Параметр	Значення
Корпус	TO-3P
Корпус (докладно)	TO-3P(N)
Струм колектора Ic	40 А (постійний, макс.)
Час спаду tf	150 нс (Ic=40 А, тип.)
Час відновлення вбудованого діода trr	1000 нс (If=15 А, тип.)
Максимальна температура переходу Tj	175 °C (макс.)
Розсіювана потужність Pd	375 Вт (Tc 25 °C)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин