Магазин
Демонтаж
Транзистор CS20N65 оригінал (заміна для CS20N65C3 ), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 650 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А) | 0,5 Ом (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0…4,0 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (тип.) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ99N65G2BF оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction (SJMOS), швидкий вбудований діод |
| Виробник | CRMICRO |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм Id | 31 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vgs(th) | 2,9–4,9 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| trr | 140 нс тип. (ISD 17 А, dI/dt 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 255 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1900 пФ |
| Tj | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK4106 ( K4106 ) оригінал, TO220F
В наявності
109,98 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, MOSVI |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220F (SC-67, 2-10R1B) |
| Напруга Vds | 500 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id (DC) | 12 А (Ta 25 °C), імпульсний 48 А (1 мс) |
| Rds(on) | 0,4 Ом тип., 0,52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS 10 В, ID 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 42 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Оптрон LTV-T350 ( LTV-T350S-TA1 ) оригінал, SMD-8
В наявності
75,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Lite-On |
| Тип виходу | IC-драйвер затвора IGBT/MOSFET |
| Піковий вихідний струм | 2,5 А (макс.) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В |
| Вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції | 5000 В (діюче) |
| Затримка поширення | 500 нс (макс.) |
| CMR | 25 кВ/мкс (мін.) |
| Струм споживання ICC | 3,0 мА (макс.) |
| Робоча температура | -40…105 °C |
| Корпус | SMD-8 |
| Стан | Оригінал |
Діод MUR6060DCT оригінал (600V,60A) , TO3P-3pin
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vrrm | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга пробою Vbr | 620 В мін. (Ir 100 мкА) |
| Струм Iav на діод | 30 А (Tc 135 °C) |
| Струм Iav обидва діоди | 60 А (Tc 25 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 300 А на діод (t 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,7 В макс. (If 30 А; Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 60 нс макс. |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Конфігурація | спільний катод |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Діод DSEP30-12A оригінал демонтаж, TO247-2pin
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vrrm | 1200 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм If(av) | 30 А (Tc = 120 °C) |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (t = 10 мс; Tvj = 25 °C) |
| Пряма напруга Vf | 2,74 В (If = 30 А; Tvj = 25 °C) |
| Час відновлення trr | 60 нс (If = 30 А; Vr = 800 В; Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 165 Вт (Tc = 25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Конфігурація | одиночний |
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал, TO220
В наявності
64,86 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, STripFET II |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0) |
| Струм Id | 80 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C), обмежено корпусом |
| Rds(on) | 0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (VGS 10 В, ID 40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл тип. (VDD 60 В, ID 80 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал, TO247
В наявності
139,59 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20.7 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 13.1 А |
| Rds(on) | 0.16 Ом тип., 0.19 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 13.1 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1–3.9 В (тип. 3 В) |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS20N60 оригінал, TO220
В наявності
85,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 14 А |
| Rds(on) | 0.36 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 61 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Оптрон FOD3150ASD ( 3150A , FOD3150A ) , sop-8
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип виходу | драйвер затвора, push-pull |
| Піковий вихідний струм | 3 А (абсолютний максимум) |
| IOH | -1.0 А (мін.), -2.0 А (тип.) при VO = VDD – 3 В |
| IOL | 1.0 А (мін.), 2.0 А (тип.) при VO = VSS + 3 В |
| Напруга живлення VDD–VSS | 15–30 В |
| Робочий вхідний струм IF(ON) | 7–16 мА |
| Напруга ізоляції VISO | 5000 В (діюче, 1 хв) |
| Робоча температура | -40…100 °C |
| Корпус | SO-8 |
Мікросхема NSI1311D ( NSI1311-DSWVR , NSi1311D ) оригінал, sop8(300mil)
В наявності
84,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOW-8-300mil |
| Ізоляція | до 5000 В rms |
| Вхідний діапазон VIN | 0.02–2 В (несиметричний вхід, високий вхідний опір) |
| Коефіцієнт підсилення | 1 (фіксований) |
| Живлення VDD1 | 3.0–5.5 В (рекомендовані умови) |
| Живлення VDD2 | 3.0–5.5 В (рекомендовані умови) |
| Смуга пропускання | 400 кГц (тип.) |
| Відношення сигнал/шум | 82 дБ (тип., смуга 10 кГц) |
| Похибка зміщення | ±1.5 мВ (макс.) |
| Похибка підсилення | ±0.3 % (макс.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI1300D25D ( NSI1300D25-DSWVR , NSi1300D25D ) оригінал, sop8(300mil)
В наявності
350,15 ₴
Транзистор TGAN80N60F2DS ( 80N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Vce(sat), типове | 1.75 В (Ic 80 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл (Vcc 400 В, Ic 80 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5140 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 481 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STF33N60M2 ( 33N60M2 ) оригінал, TO220F
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В) |
| Струм Id (TC 25 °C) | 26 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 16 А |
| Rds(on) | 108 мОм тип., 125 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 13 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 45.5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1781 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 35 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP15T14D оригінал, D2PAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 150 В |
| Струм Id при 25 °C | 140 А |
| Струм Id при 100 °C | 100 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 70 А | 5,6 мОм (тип.), 6,2 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 340 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | NCE |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40TD65BT оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 650 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 286 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE20TD60BF оригінал, TO220F
В наявності
94,47 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 34.5 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDP1921 ( MDP1921TH ) оригінал, TO220
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id при 25 °C | 153 А (обмеження корпусом 120 А) |
| Струм Id при 100 °C | 97 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В, Id 50 А | 3,8 мОм (тип.), 4,5 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd при 25 °C | 223 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip Semicon |
| Стан | Оригінал |