Магазин

FCH47N60F MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Транзистор FCH47N60F оригінал демонтаж (заміна для FCH47N60 , FCH47N60N , COS47N60 ), TO247

В наявності

352,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	onsemi
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id	47 А (Tc 25 °C), 29.7 А (Tc 100 °C)
Rds(on)	0.062 Ом тип., 0.073 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 23.5 А)
Потужність Pd	417 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	5900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

CS20N65 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CS20N65 оригінал (заміна для CS20N65C3 ), TO220

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Корпус	TO-220
Напруга Vdss	650 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	20 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)	14 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А)	0,5 Ом (макс.)
Vgs(th)	2,0…4,0 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	250 Вт
Заряд затвора Qg	65 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	2400 пФ (тип.)
Макс. температура Tj	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

CRJQ99N65G2BF MOSFET N-канал TO247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор CRJQ99N65G2BF оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, Super Junction (SJMOS), швидкий вбудований діод
Виробник	CRMICRO
Корпус	TO-247
Напруга Vds	650 В
Струм Id	31 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C)
Vgs(th)	2,9–4,9 В (VDS = VGS, ID 250 мкА)
trr	140 нс тип. (ISD 17 А, dI/dt 100 А/мкс)
Потужність Pd	255 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	1900 пФ
Tj	-55…+150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SK4106 MOSFET N-канал TO220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SK4106 ( K4106 ) оригінал, TO220F

В наявності

109,98 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, MOSVI
Виробник	Toshiba
Корпус	TO-220F
Корпус (докладно)	TO-220F (SC-67, 2-10R1B)
Напруга Vds	500 В (Ta 25 °C)
Струм Id (DC)	12 А (Ta 25 °C), імпульсний 48 А (1 мс)
Rds(on)	0,4 Ом тип., 0,52 Ом макс. (VGS 10 В, ID 6 А)
Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS 10 В, ID 1 мА)
Заряд затвора Qg	42 нКл тип. (VDD 400 В, VGS 10 В, ID 12 А)
Вхідна ємність Ciss	1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	45 Вт (Tc 25 °C)
Tch макс.	150 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Оптрон LTV-T350 ( LTV-T350S-TA1 ) оригінал, SMD-8

В наявності

75,20 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Lite-On
Тип виходу	IC-драйвер затвора IGBT/MOSFET
Піковий вихідний струм	2,5 А (макс.)
Напруга живлення VCC	15–30 В
Вхідний струм IF(ON)	7–16 мА
Напруга ізоляції	5000 В (діюче)
Затримка поширення	500 нс (макс.)
CMR	25 кВ/мкс (мін.)
Струм споживання ICC	3,0 мА (макс.)
Робоча температура	-40…105 °C
Корпус	SMD-8
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Електролітичний конденсатор 390 мкФ 450 В, жорсткі виводи

Додати в обране

Електролітичний конденсатор 390uF 450V 105C ( 390мкФ 450В 105град , 390450105гр ) жорсткі виводи 25*50мм

В наявності

338,40 ₴

Параметр	Значення
Ємність	390 мкФ
Робоча напруга	450 В
Максимальна температура	105 °C
Розмір (Ø×L)	25×50 мм
Виводи	жорсткі

На канікулах до 20.11

MUR6060DCT діод швидкий TO-3PN, фото маркування

Додати в обране

Діод MUR6060DCT оригінал (600V,60A) , TO3P-3pin

В наявності

235,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vrrm	600 В (Tc 25 °C)
Напруга пробою Vbr	620 В мін. (Ir 100 мкА)
Струм Iav на діод	30 А (Tc 135 °C)
Струм Iav обидва діоди	60 А (Tc 25 °C)
Ударний струм Ifsm	300 А на діод (t 8,3 мс)
Пряма напруга Vf	1,7 В макс. (If 30 А; Tc 25 °C)
Час відновлення trr	60 нс макс.
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3P
Корпус (докладно)	TO-3P(N)
Конфігурація	спільний катод
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

DSEP30-12A діод швидкий TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Діод DSEP30-12A оригінал демонтаж, TO247-2pin

В наявності

126,90 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vrrm	1200 В (Tvj = 25 °C)
Струм If(av)	30 А (Tc = 120 °C)
Ударний струм Ifsm	200 А (t = 10 мс; Tvj = 25 °C)
Пряма напруга Vf	2,74 В (If = 30 А; Tvj = 25 °C)
Час відновлення trr	60 нс (If = 30 А; Vr = 800 В; Tvj = 25 °C)
Потужність Ptot	165 Вт (Tc = 25 °C)
Корпус	TO-247
Конфігурація	одиночний
Виробник	Littelfuse/IXYS
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

XNF30N60T IGBT-транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор XNF30N60T оригінал, TO220F

В наявності

129,72 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STP75NF75 MOSFET N-канал TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор STP75NF75 ( P75NF75 ) оригінал, TO220

В наявності

64,86 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал, STripFET II
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	TO-220
Напруга Vds	75 В (VGS = 0)
Струм Id	80 А (Tc 25 °C), 70 А (Tc 100 °C), обмежено корпусом
Rds(on)	0,0095 Ом тип., 0,011 Ом макс. (VGS 10 В, ID 40 А)
Vgs(th)	2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА)
Заряд затвора Qg	117 нКл тип. (VDD 60 В, ID 80 А, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss	3700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	175 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

SPW20N60C3 MOSFET TO247, фото маркування 20N60C3

Додати в обране

Транзистор SPW20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал, TO247

В наявності

139,59 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал
Напруга V(BR)DSS	600 В (Vgs 0 В, Id 0.25 мА, Tj 25 °C)
Струм Id (Tc 25 °C)	20.7 А
Струм Id (Tc 100 °C)	13.1 А
Rds(on)	0.16 Ом тип., 0.19 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 13.1 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	2.1–3.9 В (тип. 3 В)
Потужність Pd	208 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FHA24N90 польовий транзистор TO247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FHA24N90 оригінал (24A,900V), TO247

В наявності

202,10 ₴

Параметр	Значення
Струм Id	24 А
Напруга Vds	900 В
Тип	Польовий транзистор, N-канал
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор CS20N60 оригінал, TO220

В наявності

85,54 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (Tc 25 °C)
Струм Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (Tc 100 °C)	14 А
Rds(on)	0.36 Ом тип., 0.45 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Заряд затвора Qg	61 нКл
Вхідна ємність Ciss	2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	250 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FOD3150ASD оптрон sop-8, фото маркування

Додати в обране

Оптрон FOD3150ASD ( 3150A , FOD3150A ) , sop-8

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	onsemi
Тип виходу	драйвер затвора, push-pull
Піковий вихідний струм	3 А (абсолютний максимум)
IOH	-1.0 А (мін.), -2.0 А (тип.) при VO = VDD – 3 В
IOL	1.0 А (мін.), 2.0 А (тип.) при VO = VSS + 3 В
Напруга живлення VDD–VSS	15–30 В
Робочий вхідний струм IF(ON)	7–16 мА
Напруга ізоляції VISO	5000 В (діюче, 1 хв)
Робоча температура	-40…100 °C
Корпус	SO-8

На канікулах до 20.11

NSI1311D підсилювач SOP-8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема NSI1311D ( NSI1311-DSWVR , NSi1311D ) оригінал, sop8(300mil)

В наявності

84,60 ₴

Параметр	Значення
Виробник	NOVOSENSE
Корпус	SOW-8-300mil
Ізоляція	до 5000 В rms
Вхідний діапазон VIN	0.02–2 В (несиметричний вхід, високий вхідний опір)
Коефіцієнт підсилення	1 (фіксований)
Живлення VDD1	3.0–5.5 В (рекомендовані умови)
Живлення VDD2	3.0–5.5 В (рекомендовані умови)
Смуга пропускання	400 кГц (тип.)
Відношення сигнал/шум	82 дБ (тип., смуга 10 кГц)
Похибка зміщення	±1.5 мВ (макс.)
Похибка підсилення	±0.3 % (макс.)
CMTI	150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура	-40…125 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NSI1300D25D підсилювач SOP8, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема NSI1300D25D ( NSI1300D25-DSWVR , NSi1300D25D ) оригінал, sop8(300mil)

В наявності

350,15 ₴

Параметр	Значення
Виробник	NOVOSENSE
Корпус	SOW-8-300mil
Вхідний діапазон	±250 мВ
Коефіцієнт підсилення	8.2 В/В (Ta 25 °C)
Смуга пропускання	310 кГц (тип.)
Напруга ізоляції	до 5000 В (ефект.)
CMTI	150 кВ/мкс (тип.)
Напруга живлення	3.0–5.5 В
Робоча температура	-40…125 °C
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

ICE3AR2280JZ ШІМ-контролер DIP7, фото маркування

Додати в обране

Мікросхема ICE3AR2280JZ оригінал ( 3AR2280JZ ) , DIP7

В наявності

174,37 ₴

Параметр	Значення
Тип	ШІМ-контролер з вбудованим MOSFET
Виробник	Infineon
Напруга стік–витік Vds	800 В (макс.)
Rds(on)	2.26 Ом (тип., Tj = 25 °C)
Частота перетворення	100 кГц
Поріг вмикання VCC	17.0 В (тип.)
Поріг вимикання VCC	10.5 В (тип.)
Плавний старт	10 мс
Корпус	DIP7
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

DXG60N65HSEU IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

DXG60N65HSEU оригінальний транзистор, TO247

В наявності

216,20 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор
Напруга Vces	650 В
Струм Ic при 25 °C	120 А
Струм Ic при 100 °C	60 А
Імпульсний струм Icm	240 А
Заряд затвора Qg	210 нКл (тип.)
Потужність Pd	416 Вт (TC = 25 °C)
Вбудований діод	так
Розпіновка	1 – G, 2 – C, 3 – E
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

TGAN80N60F2DS IGBT TO-3P, фото маркування

Додати в обране

Транзистор TGAN80N60F2DS ( 80N60F2DS ) оригінал, TO-3P

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Trinno Technology
Напруга Vces	600 В (VGE 0 В, Ic 1 мА)
Напруга Vges	±20 В
Струм Ic (25 °C)	160 А
Струм Ic (100 °C)	80 А
Vce(sat), типове	1.75 В (Ic 80 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C)
Заряд затвора Qg	220 нКл (Vcc 400 В, Ic 80 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies	5140 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (25 °C)	481 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

STF33N60M2 MOSFET TO220F, фото маркування 33N60M2

Додати в обране

Транзистор STF33N60M2 ( 33N60M2 ) оригінал, TO220F

В наявності

305,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	STMicroelectronics
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В (Vgs 0 В)
Струм Id (TC 25 °C)	26 А
Струм Id (TC 100 °C)	16 А
Rds(on)	108 мОм тип., 125 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 13 А)
Vgs(th)	2–4 В (тип. 3 В)
Заряд затвора Qg	45.5 нКл
Вхідна ємність Ciss	1781 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	35 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу	150 °C
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCEP15T14D MOSFET D2PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCEP15T14D оригінал, D2PAK

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	150 В
Струм Id при 25 °C	140 А
Струм Id при 100 °C	100 А
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 70 А	5,6 мОм (тип.), 6,2 мОм (макс.)
Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	80 нКл
Вхідна ємність Ciss	5900 пФ (Vds 75 В, f 1 МГц)
Потужність Pd при 25 °C	340 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Тип каналу	N-канал
Корпус	D2PAK
Виробник	NCE
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCE40TD65BT IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCE40TD65BT оригінал, TO247

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Виробник	NCE (Wuxi NCE Power)
Напруга Vces	650 В
Напруга Vges	±30 В
Струм Ic (TC 25 °C)	80 А
Струм Ic (TC 100 °C)	40 А
Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)	1.7 В тип., 1.9 В макс.
Vge(th)	4.0–6.0 В
Заряд затвора Qg	176 нКл
Вхідна ємність Cies	4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	286 Вт
Макс. температура переходу	175 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

NCE20TD60BF IGBT-транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCE20TD60BF оригінал, TO220F

В наявності

94,47 ₴

Параметр	Значення
Виробник	NCE (Wuxi NCE Power)
Напруга Vces	600 В
Напруга Vges	±30 В
Струм Ic (TC 25 °C)	40 А
Струм Ic (TC 100 °C)	20 А
Vce(sat) (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)	1.7 В тип., 1.9 В макс.
Vge(th)	4.0–6.0 В
Заряд затвора Qg	97 нКл
Вхідна ємність Cies	2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	34.5 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор MDP1921 ( MDP1921TH ) оригінал, TO220

В наявності

103,40 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	100 В
Струм Id при 25 °C	153 А (обмеження корпусом 120 А)
Струм Id при 100 °C	97 А
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 50 А	3,8 мОм (тип.), 4,5 мОм (макс.)
Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	100 нКл
Вхідна ємність Ciss	6750 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Потужність Pd при 25 °C	223 Вт
Макс. температура переходу	150 °C
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Виробник	MagnaChip Semicon
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин