Магазин

BD680A транзистор PNP Darlington SOT-32, фото маркування

Транзистор BD680A (p-n-p)

В наявності

11,28 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP Darlington
Напруга Vceo	80 В (Ic 50 мА, VCEO(sus))
Напруга Vcbo	80 В (Ie = 0)
Струм колектора Ic	4 А (постійний)
Імпульсний струм Icm	6 А
Потужність Ptot	40 Вт
Tj макс.	150 °C
Vce(sat) макс.	2.8 В (Ic 2 А, Ib 40 мА, Tcase 25 °C)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

BD437 транзистор NPN SOT-32, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BD437

В наявності

19,74 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	45 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	45 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм колектора Ic	4 А (постійний)
Імпульсний струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Vce(sat) макс.	0.6 В (Ic = 2 А; Ib = 0,2 А; Tcase 25 °C)
fT мін.	3 МГц (Ic = 250 мА; Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

BD436 транзистор PNP SOT-32, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BD436 (p-n-p 32V,4A,36W)

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	32 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	32 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм Ic	4 А (постійний)
Струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C)
Гранична частота fT	3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор BD435 (n-p-n,32V,4A,36W)

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	32 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	32 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм Ic	4 А (постійний)
Струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C)
Гранична частота fT	3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

BD434 транзистор PNP SOT-32, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BD434

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	22 В (Ib = 0)
Напруга Vcbo	22 В (Ie = 0)
Напруга Vebo	5 В (Ic = 0)
Струм Ic	4 А (постійний)
Струм Icm	7 А (t ≤ 10 мс)
Потужність Ptot	36 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	0.5 В макс. (Ic = 2 А, Ib = 0,2 А, Tcase 25 °C)
Гранична частота fT	3 МГц мін. (Ic = 250 мА, Vce = 1 В)
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

BD244C PNP транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BD244C , TO220

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	-100 В при Ic = -30 мА, Ib = 0, Tc 25 °C
Напруга Vcbo	-100 В при Ta 25 °C
Напруга Vebo	-5 В при Ta 25 °C
Струм колектора Ic	-6 А (постійний)
Імпульсний струм Icm	-10 А
Розсіювана потужність Pc	65 Вт при Tc = 25 °C
Макс. температура переходу	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	-1.5 В макс. при Ic = -6 А, Ib = -1 А
hFE	30 мін. при Ic = -0,3 А, Vce = -4 В; 15 мін. при Ic = -3 А, Vce = -4 В
Гранична частота fT	3.0 МГц мін. при Ic = -0,5 А, Vce = -10 В, f = 1 МГц
Корпус	TO-220

На канікулах до 20.11

BD140 транзистор PNP TO-126, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BD140 , TO126 ( BD136 , BD138 )

В наявності

14,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo	-80 В
Напруга колектор–база Vcbo	-80 В
Напруга емітер–база Vebo	-5 В
Струм колектора Ic	-1.5 А
Імпульсний струм колектора Icm	-3 А
Потужність розсіювання Ptot	12.5 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	-0.5 В при Ic -0.5 А, Ib -0.05 А
Коефіцієнт підсилення hFE	40–250 при Ic -150 мА, Vce -2 В
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

BD139 транзистор NPN TO-126, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BD139 , TO126 ( BD135 , BD137 )

В наявності

14,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	80 В
Напруга колектор–база Vcbo	80 В
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	1.5 А
Імпульсний струм колектора Icm	3 А
Потужність розсіювання Ptot	12.5 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	0.5 В при Ic 0.5 А, Ib 0.05 А
Коефіцієнт підсилення hFE	40–250 при Ic 150 мА, Vce 2 В
Виробник	STMicroelectronics
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

STW20NM60 MOSFET TO-247, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор STW20NM60 ( W20NM60 , STW20NM60FD , W20NM60FD ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	600 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)	20 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)	12,6 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=10 А)	250 мОм (тип.), 290 мОм (макс.)
Vgs(th)	3–5 В
Qg	39 нКл (тип.), 54 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	1500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd (TC 25 °C)	192 Вт
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Виробник	STMicroelectronics
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

BC858B транзистор PNP SOT23, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC858B , sot23

В наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	30 В (відкрита база, Tamb 25 °C)
Напруга Vcbo	30 В (відкритий емітер)
Струм колектора Ic	100 мА (Tamb 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (Tamb 25 °C)
Потужність Ptot	250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4)
hFE	220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА)
Гранична частота fT	від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА)
Корпус	SOT-23
Виробник	Nexperia

На канікулах до 20.11

BC856B (3B) транзистор PNP SOT23, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC856B (3B-PNP) (65V,0.1A,0.25W) , sot23

В наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга Vceo	65 В (відкрита база, Tamb 25 °C)
Струм колектора Ic	100 мА (Tamb 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (Tamb 25 °C)
Потужність Ptot	250 мВт (Tamb 25 °C, плата FR4)
hFE	220–475 (Vce -5 В, Ic -2 мА, група B)
Гранична частота fT	від 100 МГц (Vce -5 В, Ic -10 мА)
Корпус	SOT-23
Виробник	Nexperia

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор IRF2805 оригінал (55V,75A),TO220

В наявності

156,98 ₴

Параметр	Значення
Напруга стік-витік V(BR)DSS	55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку ID (обмеження корпусом)	75 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В)
Струм стоку ID (100 °C)	120 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В)
Опір каналу Rds(on)	4.7 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 104 А)
Макс. напруга затвор-витік	±20 В
Макс. температура переходу	175 °C
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Корпус	TO-220
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Вхідна ємність Ciss	5110 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

BC847C NPN транзистор SOT-23, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC847C , sot23

В наявності

2,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	45 В
Напруга колектор–база Vcbo	50 В
Напруга емітер–база Vebo	6 В
Струм колектора Ic	100 мА
Потужність розсіювання Pd	225 мВт (TA 25 °C, плата FR-5)
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Ic 2 мА, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	0,25 В (макс., Ic 10 мА, Ib 0,5 мА)
Гранична частота fT (мін.)	100 МГц
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	SOT-23

На канікулах до 20.11

BC817-40 NPN транзистор SOT23, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC817-40 (45V,0.5A,0.25W) npn , sot23 ( 2SC3052 )

В наявності

2,82 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	45 В (Tamb 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	50 В (Tamb 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Tamb 25 °C)
Струм колектора Ic	500 мА (Tamb 25 °C)
Імпульсний струм Icm	1 А (tp ≤ 1 мс, Tamb 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	250–600 (Vce 1 В, Ic 100 мА)
Потужність розсіювання Ptot	250 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4)
Потужність розсіювання Ptot (площадка колектора 1 см²)	345 мВт (Tamb ≤ 25 °C, плата FR4)
Гранична частота fT (мін.)	100 МГц (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SOT-23

На канікулах до 20.11

BC640 PNP транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC640

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo	-80 В
Напруга колектор–база Vcbo	-80 В
Напруга емітер–база Vebo	-5 В
Струм колектора Ic	-0,5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd	625 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц (типово, Ic -50 мА, Vce -2 В, f 100 МГц)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

BC639 NPN транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC639

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN (епітаксіальний)
Напруга колектор–емітер Vceo	80 В (TA 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	100 В (TA 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic	1 А (TA 25 °C)
Потужність розсіювання Pd	1 Вт (TA 25 °C)
hFE, версія BC639-10	63…160 (VCE 2 В, IC 150 мА)
hFE, версія BC639-16	100…250 (VCE 2 В, IC 150 мА)
Vce(sat) макс.	0.5 В (IC 500 мА, IB 50 мА)
Гранична частота fT	100 МГц (VCE 5 В, IC 50 мА, f 100 МГц)
Тепловий опір перехід–середовище	125 °C/Вт
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

BC557C транзистор PNP TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC557C (45V,0.1A,0.5W,p-n-p) , to92

В наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo	-45 В (Ic -2 мА, Ib 0; для BC557)
Напруга колектор–база Vcbo	-50 В (Ic -100 мкА, Ie 0; для BC557)
Струм колектора Ic (постійний)	-100 мА (Tamb 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Vce -5 В, Ic -2 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	-0,65 В макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	-1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -5 мА)
Потужність розсіювання Pc	625 мВт (Tamb 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц мін. (Vce -5 В, Ic -10 мА, f 100 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

BC556B PNP транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC556B (65V,0.1A,0.5W,p-n-p) , to92

В наявності

3,29 ₴

Параметр	Значення
Тип	PNP
Напруга колектор–емітер Vceo (BC556)	65 В (TA 25 °C, база розімкнена)
Напруга колектор–база Vcbo (BC556)	80 В (TA 25 °C, емітер розімкнений)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (TA 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)	100 мА (TA 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm	200 мА (TA 25 °C)
Потужність розсіювання Ptot	500 мВт (TA 25 °C)
hFE (група B)	200…450 (VCE -5 В, IC -2 мА, Tj 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц (типове, VCE -5 В, IC -10 мА, f 100 МГц)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

BC550C транзистор NPN TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC550C , to92

В наявності

3,76 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, малошумний
Напруга Vceo	45 В (абс. макс.)
Напруга Vcbo	50 В (абс. макс.)
Напруга Vebo	5 В (абс. макс.)
Струм колектора Ic	100 мА
Потужність Pc	500 мВт
hFE (група C)	420–800 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TC 25 °C)
Частота fT	тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92
Виробник	onsemi (Fairchild)

На канікулах до 20.11

BC548B транзистор NPN TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC548B , to92

В наявності

1,88 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	30 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo	30 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo	5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	100 мА (TA 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (TA 25 °C)
Потужність Ptot	500 мВт (TA 25 °C)
hFE (група B)	200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C)
Частота fT	мін. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92
Виробник	Diotec Semiconductor

На канікулах до 20.11

BC547C транзистор NPN TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC547C , to92

В наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	45 В (Ic 1 мА, Ib 0; для BC547)
Напруга колектор–база Vcbo	50 В (Ic 100 мкА, Ie 0; для BC547)
Струм колектора Ic (постійний)	100 мА (Tamb 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE (група C)	420–800 (Vce 5 В, Ic 2 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 5 мА)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,1 В макс. (Ic 100 мА, Ib 5 мА)
Потужність розсіювання Pd	625 мВт (Tamb 25 °C)
Гранична частота fT	150 МГц мін. (Vce 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

BC547B транзистор NPN TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC547B , to92

В наявності

5,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	45 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo	50 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo	5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	100 мА (TA 25 °C)
Імпульсний струм Icm	200 мА (TA 25 °C)
Потужність Ptot	500 мВт (TA 25 °C)
hFE (група B)	200–450 (VCE 5 В, Ic 2 мА, TA 25 °C)
Частота fT	тип. 300 МГц (VCE 5 В, Ic 10 мА, f 100 МГц)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92
Виробник	Diotec Semiconductor

На канікулах до 20.11

BC546B NPN транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC546 (BC546B) , to92

В наявності

3,29 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	65 В
Напруга Vces	80 В
Напруга Vcbo	80 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	100 мА
Імпульсний струм Icm	200 мА
Потужність Ptot	500 мВт
Гранична частота fT	300 МГц
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

BC517 транзистор Дарлінгтона TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор BC517

В наявності

4,70 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Дарлінгтон
Напруга Vcbo	40 В
Напруга Vceo	30 В
Напруга Vebo	10 В
Струм колектора Ic	500 мА (постійний)
Потужність розсіювання Pd	625 мВт при Ta 25 °C
Макс. температура переходу	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	30000 мін. при Ic 100 мА, Vce 2 В
Напруга насичення Vce(sat)	1.0 В макс. при Ic 100 мА, Ib 1 мА
Напруга Vbe(sat)	1.5 В тип. (макс. 2,0 В) при Ic 100 мА, Ib 1 мА
Гранична частота fT	220 МГц тип.
Вихідна ємність Cob	5.0 пФ тип. при Vcb 10 В, f 1 МГц
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин