Магазин
Транзистор BC369
В наявності
9,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -20 В |
| Напруга Vcbo | -25 В |
| Напруга Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -1 А |
| Потужність Ptot | 800 мВт |
| Гранична частота fT (мін.) | 65 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SD965 ( D965 ) , to92
В наявності
6,58 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий епітаксіальний |
| Напруга Vcbo | 40 В |
| Напруга Vceo | 20 В |
| Напруга Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний); імпульсний Icp 8 А |
| Потужність розсіювання Pd | 0.75 Вт при Ta 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE1 | 230–600 при Vce 2 В, Ic 0,5 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1 В макс. при Ic 3 А, Ib 0,1 А |
| Гранична частота fT | 150 МГц тип. |
| Вихідна ємність Cob | 50 пФ макс. при Vcb 20 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор FIR60N06P ( FQP60N06 , RFP60N06 , CS60N06 , HM60N06P , WFP60N06 , CEP60N06 , KIA60N06 ) , TO220
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 80 А |
| Струм Id (100 °C) | 56 А |
| Rds(on) | 0,0062 Ом тип., макс. 0,0072 Ом (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 100 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
Транзистор 2SD882P (2SD882) , TO126
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, комплементарний до 2SB772 |
| Виробник | EVVOSEMI |
| Напруга Vceo | 30 В (мін., Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 40 В (мін., Ic 100 мкА, Ie 0) |
| Напруга Vebo | 6 В (мін., Ie 100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | 3 А (постійний) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 0.5 В (макс., Ic 2 А, Ib 0,2 А) |
| Vbe(sat) | 1.5 В (макс., Ic 2 А, Ib 0,2 А) |
| hFE | 160–320 (ранг P, Vce 2 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 50 МГц (мін., Vce 5 В, Ic 0,1 мА, f 10 МГц) |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор 2SD734
В наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний кремнієвий |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 25 В |
| Напруга Vceo | 20 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 0.7 А (постійний), імпульсний Icp 1,5 А |
| Потужність Pd | 0.6 Вт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| hFE | 60–560 (Vce 2 В, Ic 50 мА) |
| Гранична частота fT | 250 МГц (тип., Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Vce(sat) | 0.13 В (тип., Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Cob | 8 пФ (тип., Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SD718 ( D718 , KTD718 ) оригінал, TO-3P
В наявності
107,16 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий потужний |
| Виробник | SPTECH |
| Напруга Vceo | 120 В (мін., Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 120 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 2.5 В (макс., Ic 5 А, Ib 0,5 А) |
| hFE | 55–160 (Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Гранична частота fT | 12 МГц (мін., Ic 1 А, Vce 5 В) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD667 ( 2SD667A )
В наявності
11,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | JSCJ |
| Напруга Vceo | 80 В (2SD667), 100 В (2SD667A), Ta 25 °C |
| Напруга Vcbo | 120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–середовище | 139 °C/Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 60–320 (VCE=5 В, IC=150 мА) |
| Vce(sat) | 1 В макс. (IC=500 мА, IB=50 мА) |
| Корпус | TO-92L |
Транзистор FHP120N08 оригінал(80V,120A) , TO220(Заміна для CS120N08 )
В наявності
89,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В |
| Струм Id | 120 А (TC 25 °C), 84 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 6,0 мОм тип., 8,0 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 60 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 230 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD5076 оригінал
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм Ic | 5 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Icm | 16 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC=1 А, VCE=5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC=1 А, VCE=10 В) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SD5072 оригінал демонтаж
В наявності
53,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм Ic | 5 А (Tc 25 °C) |
| Струм імпульсний Icm | 16 А |
| Потужність Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 5,0 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC=4 А, IB=0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC=1 А, VCE=5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC=1 А, VCE=10 В) |
| VF діода | 2,0 В макс. (IF=5 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD5071
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SavantIC |
| Напруга Vcbo | 1500 В (розімкнений емітер) |
| Напруга Vceo | 800 В (розімкнена база) |
| Напруга Vebo | 6 В (розімкнений колектор) |
| Струм колектора Ic | 3,5 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icm | 10 А |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Vce(sat) | 8,0 В макс. (IC 2,5 А, IB 0,8 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC 2,5 А, IB 0,8 А) |
| hFE | 8 мін. (IC 0,5 А, VCE 5 В) |
| fT | 3 МГц мін. (IC 0,5 А, VCE 10 В) |
| Корпус | TO-3PML |
Транзистор 2SD5024 (3DD5024) , TO220F
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icm | 16 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 4 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10 мін. (VCE 5 В, IC 1 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC 4,5 А, IB 0,9 А) |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SD5023 (3DD5023) оригінал , TO220F
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Напруга BVcbo | 1500 В (Tc 25 °C) |
| Напруга BVceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга BVebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 6 А (Tc 25 °C, імпульс Icp 12 А) |
| Потужність Pc | 35 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 3 А, Ib 0,6 А) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD400
В наявності
15,51 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, епітаксіально-планарний кремнієвий |
| Виробник | SANYO |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга Vcbo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 1 А (Ta 25 °C, імпульс Icp 2 А) |
| Потужність Pc | 900 мВт (Ta 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | 60–560 (Vce 2 В, Ic 50 мА) |
| Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА) |
| Гранична частота fT | 180 МГц (Vce 10 В, Ic 50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
Демонтаж
Транзистор 2SD3402 ( 3DD3402 , D3402 ) оригінал демонтаж
В наявності
62,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Tc 25 °C, імпульс Icp 16 А) |
| Потужність Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE | 10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А, Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 6 А, Ib 1,2 А) |
| Гранична частота fT | 1,7 МГц мін. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SD2539 оригінал демонтаж
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, вбудований демпферний діод |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 7 А (імпульс Icp 14 А) |
| hFE | 8–28 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,0 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SD2498 оригінал
В наявності
36,66 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Toshiba |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 6 А (імпульс Icp 12 А) |
| Потужність Pc | 50 Вт |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (Vce 5 В, Ic 1 А); 5–9 (Vce 5 В, Ic 4 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В (макс., Ic 4 А, Ib 0,8 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц (тип.) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2495
В наявності
125,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Виробник | JMnic |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vcbo | 110 В |
| Напруга Vceo | 110 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 6 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В (макс., Ic 5 А, Ib 5 мА, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор 2SD2494
В наявності
136,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vcbo | 110 В |
| Напруга Vceo | 110 В (мін., Ic 30 мА) |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 6 А |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 5000 (мін., Vce 4 В, Ic 5 А) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,5 В (макс., Ic 5 А, Ib 5 мА) |
| Гранична частота fT | 60 МГц (тип.) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
Транзистор 2SD2390 + 2SB1560 ( D2390 + B1560 ) оригінали, TO-3P
В наявності
343,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN Дарлінгтон (2SD2390) + PNP (2SB1560) |
| Корпус | TO-3P |
| Vceo (2SD2390) | 150 В, Ta 25 °C |
| Vcbo (2SD2390) | 160 В, Ta 25 °C |
| Vebo (2SD2390) | 5 В, Ta 25 °C |
| Ic (2SD2390) | 10 А безперервний, Ta 25 °C |
| Pc (2SD2390) | 100 Вт, Tc 25 °C |
| Tj макс. (2SD2390) | 150 °C |
| hFE (2SD2390) | 5000 (мін.), Ic 7 А, Vce 4 В |
| Vce(sat) (2SD2390) | 2.5 В (макс.), Ic 7 А, Ib 7 мА |
| fT (2SD2390) | 55 МГц, Ie -2 А, Vce 12 В |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SD2375
В наявності
61,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | Panasonic |
| Vceo | 60 В (Ic 25 мА, Ib 0) |
| Vcbo | 80 В (Tc 25 °C) |
| Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Ic | 3 А (Tc 25 °C), піковий Icp 6 А |
| Pc | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 500–1500 (Vce 4 В, Ic 0,5 А) |
| Vce(sat) | макс. 1 В (Ic 2 А, Ib 0,05 А) |
| fT | тип. 50 МГц (Vce 12 В, Ic 0,2 А, f 10 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220D-A1 (full-pack) |
Транзистор 2SD2153 , SOT-89 (25V,2A,0.5W)
В наявності
91,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Vceo | 25 В (Ta 25 °C) |
| Vcbo | 30 В (Ta 25 °C) |
| Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Ic | 2 А (Ta 25 °C), імпульсний Icp 3 А (10 мс) |
| Pc | 0,5 Вт (Ta 25 °C) |
| hFE | 560–2700 (Vce 6 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | макс. 0,5 В (Ic 1 А, Ib 20 мА) |
| fT | 110 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Cob | 22 пФ (Vcb 10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
Транзистор 2SD209L ( D209L , 3DD209L ) оригінал, TO-3P
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Vceo | 400 В (Ic 10 мА, Ib 0; Tc 25 °C) |
| Vces | 700 В (Vbe 0; Tc 25 °C) |
| Vebo | 9 В |
| Ic | 12 А (Tc 25 °C), імпульсний Icp 24 А (5 мс) |
| Pc | 120 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 8–40 (Vce 5 В, Ic 5 А) |
| Vce(sat) | макс. 1,2 В (Ic 5 А, Ib 1 А) |
| fT | мін. 4 МГц (Vce 10 В, Ic 0,5 А) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |