Магазин

2SD2089 транзистор NPN TO-3P(H)IS, фото маркування

Транзистор 2SD2089

В наявності

115,15 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN з демпферним діодом
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	600 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	3,5 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pc	40 Вт (Tc 25 °C)
hFE	9–18 (IC=0,5 А, VCE=5 В)
Vce(sat)	1,0 В макс. (IC=2,2 А, IB=0,7 А)
VECF	1,5 В макс. (IF=2,2 А)
tf	0,5 мкс макс.
Корпус	TO-3P(H)IS

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SD207 (3DD207) демонтаж , TO-3

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	100 В (VCEO(SUS) мін., IC=10 мА, IB=0)
Напруга Vcbo	100 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	10 А (постійний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp	20 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	150 Вт (Tc 25 °C)
hFE	60–200 (IC=1 А, VCE=5 В)
Vce(sat)	1,5 В макс. (IC=5 А, IB=0,5 А)
fT	5,0 МГц мін. (IC=0,5 А, VCE=10 В, f=1 МГц)
Корпус	TO-3
Стан	Демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SD2061 транзистор NPN TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD2061 , TO220F

В наявності

39,01 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	60 В (IC=1 мА, IB=0; Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (постійний, Ta 25 °C)
Потужність Pc	2 Вт (Ta 25 °C)
hFE	100–320 (VCE=5 В, IC=0,5 А)
Vce(sat)	1 В макс. (IC=2 А, IB=0,2 А)
fT	8 МГц (VCE=5 В, IC=0,5 А, f=5 МГц)
Корпус	TO-220F

На канікулах до 20.11

2SD2059 транзистор NPN TO220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD2059 , TO220F оригінал

В наявності

63,92 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	100 В
Напруга Vcbo	100 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	5 А при Ta 25 °C
Потужність Pc	30 Вт при Tc 25 °C
hFE	40–240 при IC=1 А, VCE=5 В
Vce(sat)	2,0 В макс. при IC=4 А, IB=0,4 А
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SD2012 транзистор NPN TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD2012

В наявності

33,84 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	60 В
Напруга Vcbo	60 В
Напруга Vebo	7 В
Струм колектора Ic	3 А
Потужність Pc	2 Вт при Ta 25 °C
hFE	100–320 при VCE=5 В, IC=0,5 А
Vce(sat)	1 В макс. при IC=2 А, IB=0,2 А
Корпус	TO-220F

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SD200(3DD200) демонтаж , TO-3

В наявності

37,60 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	600 В
Напруга Vcbo	1500 В
Напруга Vebo	6 В
Струм колектора Ic	2,5 А
Потужність Pc	10 Вт при Tc 90 °C
Температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3
Стан	Демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SD200 3DD200 NPN транзистор TO-3, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD200(3DD200) , TO-3

В наявності

52,17 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SavantIC
Напруга Vceo	600 В (база відкрита)
Напруга Vcbo	1500 В (емітер відкритий)
Напруга Vebo	6 В (колектор відкритий)
Струм колектора Ic	2,5 А
Потужність Pc	10 Вт (Tc 90 °C)
Tj макс.	150 °C
Vce(sat) макс.	8,0 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А)
hFE1 мін.	8 (Ic 0,5 А, Vce 5 В)
Корпус	TO-3

На канікулах до 20.11

2SD1887 NPN транзистор TO-3PML, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1887 оригінал (Заміна 2SD1884 )

В наявності

65,80 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	10 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp	30 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	70 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Vce(sat) макс.	5,0 В (Ic 8 А, Ib 1,6 А)
hFE1 мін.	8 (Ic 1 А, Vce 5 В)
Корпус	TO-3PML
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SD1883 NPN транзистор TO-3PML, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1883 оригінал

В наявності

52,64 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SANYO
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	4 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp	12 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	50 Вт (Ta 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Vce(sat) макс.	5 В (Ic 2,5 А, Ib 0,8 А)
hFE1 мін.	8 (Vce 5 В, Ic 0,5 А)
Корпус	TO-3PML
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SD1876 транзистор NPN TO-3PML, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1876

В наявності

65,33 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SANYO
Корпус	TO-3PML
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	3 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp	12 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	50 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В (Ic 2 А, Ib 0,6 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE1	8 (Vce 5 В, Ic 0,5 А, Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE2	3–6 (Vce 5 В, Ic 2 А, Ta 25 °C)
Пряма напруга демпферного діода Vf	2,0 В (Iec 3 А, Ta 25 °C)
Час спаду tf	0,1 мкс тип., 0,3 мкс макс. (Ic 3 А, Ib1 0,8 А, Ib2 –1,6 А)
Струм відсічки Ices	1,0 мА (Vce 1500 В, Ta 25 °C)
Вбудований діод	є

На канікулах до 20.11

2SD1711 транзистор NPN TO-3PML, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1711

В наявності

62,98 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SavantIC
Корпус	TO-3PML
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (емітер розімкнений)
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (база розімкнена)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	5 А (постійний)
Потужність розсіювання Pc	100 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5.0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0.8 А, Tj 25 °C)
Напруга насичення база–емітер Vbe(sat)	1.5 В (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	10–40 (Ic 0.5 А, Vce 5 В)
Вбудований демпферний діод	є

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SD1710 оригінал демонтаж

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SPTECH
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В
Напруга емітер–база Vebo	6 В
Струм колектора Ic	5 А (постійний)
Імпульсний струм Icp	16 А
Потужність розсіювання Pc	50 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5.0 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А, Tc 25 °C)
Напруга насичення база–емітер Vbe(sat)	1.5 В макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	8 мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)
Час спаду tf	0.5 мкс макс. (Ic 4 А, Ib1 0.8 А, Ib2 1.6 А)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SD1691L NPN транзистор, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1691L

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	UTC (Unisonic Technologies)
Напруга колектор–емітер Vceo	60 В
Напруга колектор–база Vcbo	60 В
Напруга емітер–база Vebo	7 В
Струм колектора Ic	5 А
Імпульсний струм Icp (PW ≤10 мс, шпаруватість ≤50 %)	8 А
Струм бази Ib	1 А
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 2 А, Ib 0.2 А)	0.3 В
hFE (Ic 2 А, Vce 1 В)	160–400
hFE мін. (Ic 5 А, Vce 2 В)	50

На канікулах до 20.11

2SD1650 NPN транзистор TO-3PML, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1650

В наявності

65,33 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-3PML
Виробник	SavantIC
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В
Напруга емітер–база Vebo	6 В
Струм колектора Ic	3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)	50 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Vbe(sat) (Ic 2.5 А, Ib 0.8 А)	1.5 В
hFE мін. (Ic 0.5 А, Vce 5 В)	8
Гранична частота fT (Ic 0.5 А, Vce 10 В)	3 МГц
Вбудований демпферний діод	є
Vf діода (If 3.5 А)	2.0 В

На канікулах до 20.11

2SD1577 NPN транзистор TO-3PFa, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1577

В наявності

98,23 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-3PFa
Виробник	SavantIC
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В
Напруга колектор–емітер Vceo	700 В
Напруга емітер–база Vebo	6 В
Струм колектора Ic	5 А
Імпульсний струм колектора Icm	17 А
Струм бази Ib	3.5 А
Потужність розсіювання Pc (Tc 25 °C)	100 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat) макс. (Ic 4.5 А, Ib 2 А)	2.0 В
hFE (Ic 2 А, Vce 10 В)	4–15

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SD1557 ( D1557 , 3DD1557) оригінал демонтаж (заміна для 2SD2586 , 2SD2580 )

В наявності

103,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	JSMC
Напруга Vcbo	1700 В
Напруга Vceo	830 В
Напруга Vebo	8 В
Струм колектора Ic	10 А
Імпульсний струм Icp	20 А
Потужність Pc	50 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SD1555 транзистор TO-3P(H)IS, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SD1555 оригінал демонтаж

В наявності

64,39 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SavantIC
Напруга Vceo	600 В
Напруга Vcbo	1500 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	5 А
Потужність Pc	50 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3P(H)IS
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SD1554 транзистор TO-3P(H)IS, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1554 оригінал

В наявності

48,41 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SavantIC
Напруга Vceo	600 В
Напруга Vcbo	1500 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	3.5 А
Потужність Pc	40 Вт
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3P(H)IS
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SD1546 транзистор TO-3P(H)IS, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1546

В наявності

94,94 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SavantIC
Корпус	TO-3P(H)IS
Напруга Vceo	600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo	1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo	5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic	6 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib	3 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А, Tj 25 °C)
hFE	8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT	3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

На канікулах до 20.11

2SD1545 транзистор TO-3P(H)IS, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1545

В наявності

65,33 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SavantIC
Корпус	TO-3P(H)IS
Напруга Vceo	600 В (база розімкнена)
Напруга Vcbo	1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vebo	5 В (колектор розімкнений)
Струм Ic	5 А (постійний, Ta 25 °C)
Струм бази Ib	2,5 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Vce(sat)	5,0 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А, Tj 25 °C)
hFE	8 мін. (Ic 1 А, Vce 5 В)
fT	3 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SD1541

В наявності

135,83 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SavantIC
Корпус	TO-3PFa
Напруга Vcbo	1500 В (емітер розімкнений, Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (колектор розімкнений, Ta 25 °C)
Струм Ic	3 А (Tc 25 °C)
Імпульсний струм Icm	10 А
Потужність Pc	50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	130 °C
Vce(sat)	5,0 В макс. (Ic 2 А, Ib 0,75 А, Tj 25 °C)
hFE	4–12 (Ic 2 А, Vce 10 В)
Демпферний діод	є, Vf 2,2 В (Ic −4 А)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SD1427

В наявності

80,37 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	2-16D1A (Toshiba)
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	600 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	5 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	80 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5 В макс. (Ic 4 А, Ib 0,8 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)	8 (Vce 5 В, Ic 1,0 А)
Вбудований демпферний діод	є
Пряма напруга демпферного діода Vf	2,0 В макс. (If 5 А)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SD1403

В наявності

65,33 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–база Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	7 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	6 А (безперервний, Ta 25 °C)
Імпульсний струм колектора Icm	16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	120 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5,0 В макс. (Ic 5 А, Ib 1 А)
Коефіцієнт підсилення hFE (мін.)	8 (Ic 1 А, Vce 5 В)

На канікулах до 20.11

2SD1047 + 2SB817 пара транзисторів TO-3P, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SD1047+2SB817 ( D1047+B817 , KTD1047+KTB817 ) оригінали , TO-3P

В наявності

192,70 ₴

Параметр	Значення
Тип	комплементарна пара NPN (2SD1047) + PNP (2SB817)
Корпус	TO-3P
Vceo	140 В, Ta 25 °C; Ic 30 мА, Ib 0 (мін.)
Vcbo	160 В, Ta 25 °C
Vebo	6 В, Ta 25 °C
Ic	12 А, Ta 25 °C
Ptot	100 Вт, Ta 25 °C
Tj макс.	150 °C
hFE1	60–200, Vce 5 В, Ic 1 А
Vce(sat)	2.5 В (макс.), Ic 5 А, Ib 0.5 А
fT	15 МГц (typ), Vce 5 В, Ic 1 А
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин