Магазин

2SC945 транзистор NPN TO-92, фото маркування

Транзистор 2SC945 , to92

В наявності

3,29 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-92
Напруга колектор–база Vcbo	60 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	50 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	5,0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	100 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd	250 мВт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE2	90–600 (Vce 6,0 В, Ic 1,0 мА)
Гранична частота fT (тип.)	250 МГц (Vce 6,0 В, Ie −10 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 10 мА)

На канікулах до 20.11

2SC5966 транзистор TO-3PMLH, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SC5966 оригінал демонтаж

В наявності

128,31 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	1700 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	20 А, імпульсний Icp 40 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	100 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
hFE	мін. 15 (Vce 5 В, Ic 1 А); 4–7 (Vce 5 В, Ic 15 А)
Vce(sat)	3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А)
Vbe(sat)	1,5 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А)
Корпус	TO-3PMLH
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SC5902

В наявності

85,07 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	1700 В (емітер розімкнений, Tc 25 °C)
Напруга Vces	1700 В (E-B закорочено, Tc 25 °C)
Напруга Vebo мін.	7 В (IE 500 мА, IC 0)
Струм колектора Ic	9 А, імпульсний Icp 14 А (Tc 25 °C)
Струм бази Ib	3 А (Tc 25 °C)
Потужність Pd	40 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
hFE	5–10 (VCE 5 В, IC 4,5 А)
Vce(sat)	3 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А)
Vbe(sat)	1,5 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А)
Демпферний діод	є
Корпус	TOP-3E-A1 (SC-94)

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор FDA69N25 ( 69N25 ) оригінал демонтаж(250V,69A) , TO-3P

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	onsemi
Корпус	TO-3P
Напруга Vds	250 В
Струм Id (25 °C)	69 А
Струм Id (100 °C)	44,2 А
Rds(on)	0,034 Ом тип., макс. 0,041 Ом (VGS = 10 В, ID = 34,5 А)
Vgs(th)	3,0–5,0 В
Заряд затвора Qg	77 нКл тип.
Вхідна ємність Ciss	3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	480 Вт (TC = 25 °C)
Tj макс.	150 °C
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC5858 транзистор TO-264, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SC5858 оригінал демонтаж , TO264

В наявності

139,12 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	1700 В (Tc 25 °C)
Напруга Vceo	750 В (Tc 25 °C)
Напруга Vebo	5 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	22 А постійний, імпульсний 44 А (Tc 25 °C)
Потужність Pd	200 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.	150 °C
hFE	30–60 (VCE 5 В, IC 2 А)
Vce(sat)	1,5 В макс. (IC 17 А, IB 4,25 А)
Гранична частота fT	2 МГц тип. (VCE 10 В, IC 0,1 А)
Корпус	TO-264
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC5802D транзистор NPN TO-3P(H)IS, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5802D

В наявності

94,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vcbo	1500 В (емітер розімкнений)
Напруга Vceo	800 В (база розімкнена)
Напруга Vebo	6 В (колектор розімкнений)
Струм колектора Ic	10 А (імпульсний Icm 30 А)
Потужність розсіювання Pd	60 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	15–48 (IC 1 А, VCE 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	3,0 В (макс.) (IC 6 А, IB 1,5 А, Tj 25 °C)
Корпус	TO-3P(H)IS

На канікулах до 20.11

2SC5793 транзистор NPN TO-3PML, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SC5793 оригінал демонтаж , TO-3PML

В наявності

141,00 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	SANYO
Напруга Vcbo	1600 В
Напруга Vceo	800 В
Напруга Vebo	5 В
Струм колектора Ic	20 А (імпульсний Icp 40 А)
Потужність розсіювання Pd	95 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Час спаду tf	0,2 мкс (макс.) (IC 10 А, IB1 1,6 А, IB2 –5 А)
Напруга насичення Vbe(sat)	1,5 В (макс.) (IC 13,5 А, IB 3,4 А)
Корпус	TO-3PML
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC5707 транзистор NPN TO-252, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5707 , ТО252

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	onsemi (ex-SANYO)
Напруга Vceo	50 В
Напруга Vcbo	100 В
Струм колектора Ic	8 А (імпульсний Icp 11 А)
Коефіцієнт підсилення hFE	200–560 (VCE 2 В, IC 500 мА)
Гранична частота fT	330 МГц (тип.) (VCE 10 В, IC 500 мА)
Вихідна ємність Cob	28 пФ (тип.) (VCB 10 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)

На канікулах до 20.11

2SC5706 транзистор TP-FA smd, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5706 smd

В наявності

26,79 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	onsemi (Sanyo)
Напруга Vceo	50 В (Ic 1 мА, Rbe = ∞)
Напруга Vces	100 В (Ic 100 мкА, Rbe 0)
Напруга Vcbo	100 В
Напруга Vebo	6 В
Струм колектора Ic	5 А
Струм колектора імпульсний Icp	7,5 А
Коефіцієнт підсилення hFE	200–560 (Vce 2 В, Ic 500 мА)
Гранична частота fT	400 МГц, тип. (Vce 10 В, Ic 500 мА)
Vce(sat)	90 мВ тип., 135 мВ макс. (Ic 1 А, Ib 50 мА)
Вихідна ємність Cob	15 пФ, тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц)
Корпус	TP-FA (smd)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SC5586 оригінал

В наявності

57,81 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	550 В (Ic 30 мА)
Напруга Vcbo	900 В
Струм колектора Ic	5 А (постійний)
Потужність Pd	70 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	10–40 (Ic 1,8 А, Vce 4 В)
Напруга насичення Vce(sat)	0,5 В (макс., Ic 1,8 А, Ib 0,36 А)
Tj max	150 °C
Виробник	Inchange Semiconductor (ISC)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

FTP16N06A MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор FTP16N06A оригінал, TO220

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	55 В (VGS=0 В)
Струм Id	65 А (TC 25 °C)
Rds(on)	13 мОм тип., 16 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	40 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss	2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	170 Вт (TC 25 °C)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SC5296 транзистор TO-3PML, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5296 оригінал ( заміна для 2SD5296 , 2SC5250 )

В наявності

100,11 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0)
Напруга Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	8 А (Ta 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp	16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	60 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C)
Демпферний діод	так
Корпус	TO-3PML
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SC5249 транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5249

В наявності

80,84 ₴

Параметр	Значення
Напруга колектор-емітер Vceo	600 В
Струм колектора Ic	3 А
Потужність розсіювання Pc	35 Вт
Корпус	TO-220F

На канікулах до 20.11

2SC5241 транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5241 , TO220F

В наявності

50,76 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор-база Vcbo	600 В
Напруга колектор-емітер Vceo	450 В
Напруга емітер-база Vebo	7 В
Струм колектора Ic (DC)	5 А
Струм колектора імпульсний Icp	10 А
Струм бази Ib	2 А
Потужність розсіювання Pt	30 Вт
Температура переходу Tj	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	1,0 В макс. (Ic 2,5 А, Ib 0,5 А, Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	10 мін. (Vce 5 В, Ic 2,5 А, Tc 25 °C)
Гранична частота fT	20 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,5 А, Tc 25 °C)
Тепловий опір перехід-корпус	4,16 °C/Вт макс.
Корпус	TO-220F

На канікулах до 20.11

NCE40TD60BT IGBT-транзистор TO-247, фото маркування

Додати в обране

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Wuxi NCE Power
Тип	IGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces	600 В
Струм Ic (25 °C)	80 А
Струм Ic (100 °C)	40 А
Потужність Pd (25 °C)	286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)	1.7 В
Заряд затвора Qg	176 нКл
Вхідна ємність Cies	4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)	1.65 В
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SC5148 транзистор Toshiba 2-16E3A, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SC5148 оригінал демонтаж

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, кремнієвий triple diffused mesa
Напруга колектор-база Vcbo	1500 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор-емітер Vceo	600 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic (DC)	8 А (Ta 25 °C)
Струм колектора імпульсний Icp	16 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	50 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj max	150 °C
Напруга насичення Vce(sat)	5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,3 А)
Коефіцієнт підсилення hFE(1)	8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А)
Гранична частота fT	2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А)
Корпус	TOSHIBA 2-16E3A
Корпус (докладно)	Toshiba 2-16E3A (пластик, ізольований радіатор)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC5129 NPN транзистор TO-3P(H)IS, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC5129

В наявності

85,07 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	600 В
Напруга Vcbo	1500 В
Струм колектора Ic	10 А (постійний; імпульс 20 А)
Потужність Pd	50 Вт (Tc 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	10–30 (Ic 1 А, Vce 5 В); при Ic 6 А: 4–8
Напруга насичення Vce(sat)	3,0 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,5 А)
Гранична частота fT	1,7 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В)
Час спаду tf	0,3 мкс (макс., Icp 5 А, Ib1 1 А, 64 кГц)
Tj max	150 °C
Корпус	TO-3P(H)IS
Виробник	SavantIC

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	onsemi
Напруга колектор–емітер Vces	1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges	±25 В
Струм колектора Ic	60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm	90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd	500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)	1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Заряд затвора Qg	372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies	3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC4927 NPN транзистор TO-3PFM, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC4927

В наявності

128,31 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vces	1500 В
Струм колектора Ic	8 А (постійний; імпульс 9 А)
Потужність Pd	50 Вт
Напруга насичення Vce(sat)	5 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,2 А)
Напруга Vebo	6 В
Демпферний діод	є (If 8 А, Vf макс. 2,0 В)
Корпус	TO-3PFM
Виробник	Hitachi

На канікулах до 20.11

2SC4793 + 2SA1837 пара транзисторів TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC4793 + 2SA1837 ( KTC4793 + KTA1837 , C4793 + A1837 ) оригінали, TO220F

В наявності

100,11 ₴

Параметр	Значення
Тип	комплементарна пара NPN (2SC4793) + PNP (2SA1837)
Корпус	TO-220F
Vceo (2SC4793)	230 В, Tc 25 °C
Vcbo (2SC4793)	230 В, Tc 25 °C
Vebo (2SC4793)	5 В, Tc 25 °C
Ic (2SC4793)	1 А, Tc 25 °C
Pc (2SC4793)	20 Вт, Tc 25 °C
Tj макс. (2SC4793)	150 °C
hFE (2SC4793)	100–320, VCE 5 В, IC 100 мА
fT (2SC4793)	100 МГц (тип.), VCE 10 В, IC 100 мА
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SC4706 оригінал демонтаж

В наявності

85,54 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	600 В
Напруга Vcbo	900 В
Струм Ic	14 А (постійний; імпульс 28 А)
Pc	130 Вт (Tc 25 °C)
hFE	10–25 (IC=7 А, VCE=4 В)
Vce(sat)	0,5 В (макс., IC=7 А, IB=1,4 А)
fT	6 МГц (IE=−1,5 А, VCE=12 В)
Tj	150 °C
Виробник	SPTECH
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC4672 транзистор SOT-89, фото маркування DK

Додати в обране

Транзистор 2SC4672 (надпись DK)(50V,3A,2W,Uкэsat=0,1V)

В наявності

23,97 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	50 В
Напруга Vcbo	60 В
Струм Ic	2 А (постійний, Ta 25 °C)
Pd	500 мВт (Ta 25 °C)
hFE	82–390 (IC=0,5 А, VCE=2 В)
Vce(sat)	0,35 В (макс., IC=1 А, IB=50 мА)
fT	210 МГц (тип.)
Tj	150 °C
Корпус	SOT-89
Виробник	Zhuhai Hongjiacheng (HJC)

На канікулах до 20.11

NCE82H140 MOSFET TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор NCE82H140 оригінал, TO220

В наявності

57,34 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	82 В (TC 25 °C)
Струм Id	140 А (TC 25 °C), 99 А (TC 100 °C)
Rds(on)	4,3 мОм, макс. 5,2 мОм (VGS 10 В, ID 20 А)
Порогова напруга Vgs(th)	2–4 В
Заряд затвора Qg	158 нКл
Вхідна ємність Ciss	7900 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	220 Вт (TC 25 °C)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SC4460 транзистор TO-3PML, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC4460 оригінал

В наявності

79,90 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	500 В
Напруга Vcbo	800 В
Струм Ic	15 А (Ta 25 °C)
Pc	55 Вт (Tc 25 °C)
hFE	15–50 (VCE=5 В, IC=1,2 А)
Vce(sat)	1,0 В (макс., IC=6 А, IB=1,2 А)
fT	18 МГц (тип.)
Tj	150 °C
Корпус	TO-3PML
Виробник	SANYO
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин