Магазин
Транзистор 2SC945 , to92
В наявності
3,29 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 50 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5,0 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 мВт (Ta 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE2 | 90–600 (Vce 6,0 В, Ic 1,0 мА) |
| Гранична частота fT (тип.) | 250 МГц (Vce 6,0 В, Ie −10 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,3 В макс. (Ic 100 мА, Ib 10 мА) |
Демонтаж
Транзистор 2SC5966 оригінал демонтаж
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 20 А, імпульсний Icp 40 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | мін. 15 (Vce 5 В, Ic 1 А); 4–7 (Vce 5 В, Ic 15 А) |
| Vce(sat) | 3 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В (Ic 13,5 А, Ib 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PMLH |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5902
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (емітер розімкнений, Tc 25 °C) |
| Напруга Vces | 1700 В (E-B закорочено, Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo мін. | 7 В (IE 500 мА, IC 0) |
| Струм колектора Ic | 9 А, імпульсний Icp 14 А (Tc 25 °C) |
| Струм бази Ib | 3 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 5–10 (VCE 5 В, IC 4,5 А) |
| Vce(sat) | 3 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Vbe(sat) | 1,5 В макс. (IC 4,5 А, IB 1,13 А) |
| Демпферний діод | є |
| Корпус | TOP-3E-A1 (SC-94) |
Демонтаж
Транзистор FDA69N25 ( 69N25 ) оригінал демонтаж(250V,69A) , TO-3P
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 250 В |
| Струм Id (25 °C) | 69 А |
| Струм Id (100 °C) | 44,2 А |
| Rds(on) | 0,034 Ом тип., макс. 0,041 Ом (VGS = 10 В, ID = 34,5 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В |
| Заряд затвора Qg | 77 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 480 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор 2SC5858 оригінал демонтаж , TO264
В наявності
139,12 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1700 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vceo | 750 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 5 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 22 А постійний, імпульсний 44 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 30–60 (VCE 5 В, IC 2 А) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (IC 17 А, IB 4,25 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (VCE 10 В, IC 0,1 А) |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5802D
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vcbo | 1500 В (емітер розімкнений) |
| Напруга Vceo | 800 В (база розімкнена) |
| Напруга Vebo | 6 В (колектор розімкнений) |
| Струм колектора Ic | 10 А (імпульсний Icm 30 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–48 (IC 1 А, VCE 5 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс.) (IC 6 А, IB 1,5 А, Tj 25 °C) |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
Демонтаж
Транзистор 2SC5793 оригінал демонтаж , TO-3PML
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | SANYO |
| Напруга Vcbo | 1600 В |
| Напруга Vceo | 800 В |
| Напруга Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 20 А (імпульсний Icp 40 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 95 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час спаду tf | 0,2 мкс (макс.) (IC 10 А, IB1 1,6 А, IB2 –5 А) |
| Напруга насичення Vbe(sat) | 1,5 В (макс.) (IC 13,5 А, IB 3,4 А) |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5707 , ТО252
В наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (ex-SANYO) |
| Напруга Vceo | 50 В |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (імпульсний Icp 11 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (VCE 2 В, IC 500 мА) |
| Гранична частота fT | 330 МГц (тип.) (VCE 10 В, IC 500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 28 пФ (тип.) (VCB 10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор 2SC5706 smd
В наявності
26,79 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | onsemi (Sanyo) |
| Напруга Vceo | 50 В (Ic 1 мА, Rbe = ∞) |
| Напруга Vces | 100 В (Ic 100 мкА, Rbe 0) |
| Напруга Vcbo | 100 В |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Струм колектора Ic | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 7,5 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 200–560 (Vce 2 В, Ic 500 мА) |
| Гранична частота fT | 400 МГц, тип. (Vce 10 В, Ic 500 мА) |
| Vce(sat) | 90 мВ тип., 135 мВ макс. (Ic 1 А, Ib 50 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 15 пФ, тип. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TP-FA (smd) |
Транзистор 2SC5586 оригінал
В наявності
57,81 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 550 В (Ic 30 мА) |
| Напруга Vcbo | 900 В |
| Струм колектора Ic | 5 А (постійний) |
| Потужність Pd | 70 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–40 (Ic 1,8 А, Vce 4 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0,5 В (макс., Ic 1,8 А, Ib 0,36 А) |
| Tj max | 150 °C |
| Виробник | Inchange Semiconductor (ISC) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP16N06A оригінал, TO220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (VGS=0 В) |
| Струм Id | 65 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) | 13 мОм тип., 16 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 40 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 170 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5296 оригінал ( заміна для 2SD5296 , 2SC5250 )
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 800 В (Ta 25 °C; Ic 10 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 15–40 (Ic 1 А, Vce 5 В, Tc 25 °C) |
| Демпферний діод | так |
| Корпус | TO-3PML |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC5249
В наявності
80,84 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В |
| Струм колектора Ic | 3 А |
| Потужність розсіювання Pc | 35 Вт |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SC5241 , TO220F
В наявності
50,76 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор-база Vcbo | 600 В |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 450 В |
| Напруга емітер-база Vebo | 7 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 5 А |
| Струм колектора імпульсний Icp | 10 А |
| Струм бази Ib | 2 А |
| Потужність розсіювання Pt | 30 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,0 В макс. (Ic 2,5 А, Ib 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10 мін. (Vce 5 В, Ic 2,5 А, Tc 25 °C) |
| Гранична частота fT | 20 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,5 А, Tc 25 °C) |
| Тепловий опір перехід-корпус | 4,16 °C/Вт макс. |
| Корпус | TO-220F |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SC5148 оригінал демонтаж
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, кремнієвий triple diffused mesa |
| Напруга колектор-база Vcbo | 1500 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор-емітер Vceo | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic (DC) | 8 А (Ta 25 °C) |
| Струм колектора імпульсний Icp | 16 А (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pc | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj max | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В макс. (Ic 5 А, Ib 1,3 А) |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 8–25 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 2 МГц тип. (Vce 10 В, Ic 0,1 А) |
| Корпус | TOSHIBA 2-16E3A |
| Корпус (докладно) | Toshiba 2-16E3A (пластик, ізольований радіатор) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC5129
В наявності
85,07 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vcbo | 1500 В |
| Струм колектора Ic | 10 А (постійний; імпульс 20 А) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 10–30 (Ic 1 А, Vce 5 В); при Ic 6 А: 4–8 |
| Напруга насичення Vce(sat) | 3,0 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,5 А) |
| Гранична частота fT | 1,7 МГц (Ic 0,1 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,3 мкс (макс., Icp 5 А, Ib1 1 А, 64 кГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Виробник | SavantIC |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC4927
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В |
| Струм колектора Ic | 8 А (постійний; імпульс 9 А) |
| Потужність Pd | 50 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 5 В (макс., Ic 6 А, Ib 1,2 А) |
| Напруга Vebo | 6 В |
| Демпферний діод | є (If 8 А, Vf макс. 2,0 В) |
| Корпус | TO-3PFM |
| Виробник | Hitachi |
Транзистор 2SC4793 + 2SA1837 ( KTC4793 + KTA1837 , C4793 + A1837 ) оригінали, TO220F
В наявності
100,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | комплементарна пара NPN (2SC4793) + PNP (2SA1837) |
| Корпус | TO-220F |
| Vceo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vcbo (2SC4793) | 230 В, Tc 25 °C |
| Vebo (2SC4793) | 5 В, Tc 25 °C |
| Ic (2SC4793) | 1 А, Tc 25 °C |
| Pc (2SC4793) | 20 Вт, Tc 25 °C |
| Tj макс. (2SC4793) | 150 °C |
| hFE (2SC4793) | 100–320, VCE 5 В, IC 100 мА |
| fT (2SC4793) | 100 МГц (тип.), VCE 10 В, IC 100 мА |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SC4706 оригінал демонтаж
В наявності
85,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 600 В |
| Напруга Vcbo | 900 В |
| Струм Ic | 14 А (постійний; імпульс 28 А) |
| Pc | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 10–25 (IC=7 А, VCE=4 В) |
| Vce(sat) | 0,5 В (макс., IC=7 А, IB=1,4 А) |
| fT | 6 МГц (IE=−1,5 А, VCE=12 В) |
| Tj | 150 °C |
| Виробник | SPTECH |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 2SC4672 (надпись DK)(50V,3A,2W,Uкэsat=0,1V)
В наявності
23,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 50 В |
| Напруга Vcbo | 60 В |
| Струм Ic | 2 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Pd | 500 мВт (Ta 25 °C) |
| hFE | 82–390 (IC=0,5 А, VCE=2 В) |
| Vce(sat) | 0,35 В (макс., IC=1 А, IB=50 мА) |
| fT | 210 МГц (тип.) |
| Tj | 150 °C |
| Корпус | SOT-89 |
| Виробник | Zhuhai Hongjiacheng (HJC) |
Транзистор NCE82H140 оригінал, TO220
В наявності
57,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 82 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 140 А (TC 25 °C), 99 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 4,3 мОм, макс. 5,2 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 158 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7900 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SC4460 оригінал
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vceo | 500 В |
| Напруга Vcbo | 800 В |
| Струм Ic | 15 А (Ta 25 °C) |
| Pc | 55 Вт (Tc 25 °C) |
| hFE | 15–50 (VCE=5 В, IC=1,2 А) |
| Vce(sat) | 1,0 В (макс., IC=6 А, IB=1,2 А) |
| fT | 18 МГц (тип.) |
| Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3PML |
| Виробник | SANYO |
| Стан | Оригінал |