Магазин

Транзистор 2SC4429 (1100/800V,8A,60W)

В наявності

82,25 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Sanyo (onsemi)
Тип	NPN
Напруга Vcbo	1100 В (Ta 25 °C)
Напруга Vceo	800 В (Ta 25 °C)
Струм Ic	8 А (Ta 25 °C)
Імпульсний струм Icp	25 А (PW ≤ 300 мкс, шпаруватість ≤ 10 %)
Потужність Pc	60 Вт (Tc 25 °C)
Tj	150 °C
hFE1	10–40 (Vce 5 В, Ic 0.6 А)
fT	15 МГц (Vce 10 В, Ic 0.6 А, typ)

На канікулах до 20.11

2SC4106 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC4106 (TO220)

В наявності

49,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	400 В
Напруга Vcbo	500 В
Струм Ic	7 А (Ta 25 °C)
Pc	50 Вт (Tc 25 °C)
hFE	15–50 (VCE=5 В, IC=0,8 А)
Vce(sat)	0,8 В (макс., IC=4 А, IB=0,8 А)
fT	20 МГц (тип.)
Tj	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	SANYO

На канікулах до 20.11

2SC3979 транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3979 оригінал

В наявності

51,23 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	800 В
Напруга Vcbo	900 В
Струм Ic	3 А (Tc 25 °C)
Pc	40 Вт (Tc 25 °C)
hFE	6 (мін., VCE=5 В, IC=0,8 А)
Vce(sat)	1,5 В (макс., IC=0,8 А, IB=0,16 А)
fT	10 МГц (тип.)
Tj	150 °C
Корпус	TO-220F
Виробник	Panasonic
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SC3852A NPN транзистор TO-220F, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3852A ( 2SC3852 ) , TO220F

В наявності

65,33 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, епітаксіально-планарний, Si
Напруга колектор–емітер Vceo	80 В
Напруга колектор–база Vcbo	100 В
Струм колектора Ic	3 А (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 500 (VCE=4 В, IC=0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,5 В макс. (IC=2 А, IB=50 мА)
Потужність розсіювання Pc	25 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	15 МГц тип. (VCE=12 В, IE=-0,2 А)
Час спаду tf	1,2 мкс тип. (VCC=20 В, RL=20 Ом, IC=1 А, IB1=15 мА, IB2=-30 мА)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-220F

На канікулах до 20.11

2SC3835 NPN транзистор TO-3P, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3835 ( C3835 , 2SC3835G ) оригінал, TO3P

В наявності

152,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	120 В (IC=50 мА, IB=0)
Напруга колектор–база Vcbo	200 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	7 А постійний, імпульсний ICM 14 А
Коефіцієнт підсилення hFE	70–220 (IC=3 А, VCE=4 В)
Напруга насичення Vce(sat)	0,5 В макс. (IC=3 А, IB=0,3 А)
Потужність розсіювання Pc	70 Вт (Tc 25 °C)
Гранична частота fT	20 МГц мін. (IE=0,5 А, VCE=12 В)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	TO-3P
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SC3807 NPN транзистор TO-126, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3807

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга колектор–емітер Vceo	25 В (IC=1 мА, IB=0)
Напруга колектор–база Vcbo	30 В (IC=10 мкА, IE=0)
Струм колектора Ic	2 А (Ta 25 °C), імпульсний ICM 4 А
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 800 (VCE=5 В, IC=0,5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0,5 В макс. (IC=1 А, IB=20 мА)
Потужність розсіювання Pc	1,2 Вт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	260 МГц (VCE=10 В, IC=50 мА)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
Корпус	SOT-32 (TO-126)

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор CS2837 ( CS2837AND ) оригінал, TO-3P

В наявності

188,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N
Напруга Vds	500 В (TC 25 °C)
Струм Id	20 А (TC 25 °C)
Імпульсний струм Idm	80 А (TC 25 °C)
Rds(on)	0,18 Ом, макс. 0,26 Ом (VGS 10 В, ID 10 А, TC 25 °C)
Vgs(th)	2–4 В (TC 25 °C)
Заряд затвора Qg	96 нКл (ID 20 А, VDD 250 В, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss	4900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	230 Вт (TC 25 °C)
Температура переходу Tj	від –55 до 150 °C
Корпус	TO-3P
Корпус (докладно)	TO-3P(N)
Стан	Оригінал

На канікулах до 20.11

2SC3303 NPN транзистор D-PAK, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3303 , D-PAK

В наявності

13,63 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	80 В (IC=10 мА, IB=0)
Напруга Vcbo	100 В (IC=100 мкА, IE=0)
Струм колектора Ic	5 А (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	70–240 (VCE=1 В, IC=1 А)
Напруга насичення Vce(sat)	0.4 В макс. (IC=3 А, IB=150 мА)
Потужність Pc	1 Вт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	20 МГц мін. (VCE=4 В, IC=1 А)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-252 (D-PAK)

На канікулах до 20.11

2SC3279 біполярний транзистор, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3279 (30V-2A-0,75W-150M)

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Тип	Біполярний транзистор
Позначення в назві	30V-2A-0,75W-150M

На канікулах до 20.11

Додати в обране

Транзистор 2SC3209 (300V,0.2A,1W)

В наявності

11,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	300 В (Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	300 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	5.0 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	200 мА (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pd	1.0 Вт (Ta 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
hFE	60–250 (VCE 10 В, IC 10 мА)
fT	50 МГц тип. (VCE 30 В, IE –10 мА)
Cob	2.8 пФ тип. (VCB 30 В, IE 0, f 1 МГц)
Vce(sat)	0.15 В тип., 1.5 В макс. (IC 50 мА, IB 5,0 мА)

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴

Параметр	Значення
Тип	IGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces	1600 В
Струм колектора Ic	60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot	312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)	1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC3202 NPN транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3202

В наявності

14,10 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	30 В (IC=1 мА, IB=0)
Напруга Vcbo	35 В (IC=50 мкА, IE=0)
Струм колектора Ic (ICM)	500 мА (Ta 25 °C)
Коефіцієнт підсилення hFE	70–240 (VCE=1 В, IC=100 мА)
Напруга насичення Vce(sat)	0.25 В макс. (IC=100 мА, IB=10 мА)
Потужність Pc	500 мВт (Ta 25 °C)
Гранична частота fT	150–200 МГц (VCE=6 В, IC=20 мА)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92

На канікулах до 20.11

2SC3199 транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3199

В наявності

4,70 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга V(BR)CEO	50 В (IC 1 мА, IB 0)
Напруга V(BR)CBO	50 В (IC 0,1 мА, IE 0)
Напруга V(BR)EBO	5 В (IE 0,1 мА, IC 0)
Струм колектора	150 мА
hFE	70–700 (VCE 6 В, IC 2 мА)
VCE(sat)	0,25 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА)
Потужність	400 мВт (Ta 25 °C)
fT	80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92
Виробник	SECOS

На канікулах до 20.11

2SC3198 транзистор TO-92, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3198

В наявності

11,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, малошумний
Напруга BVCEO	50 В (IC 1 мА, IB 0)
Напруга BVCBO	50 В (IC 100 мкА, IE 0)
Напруга BVEBO	5 В (IE 100 мкА, IC 0)
Струм колектора	150 мА
hFE	70–400 (VCE 6 В, IC 2 мА)
VCE(sat)	0,3 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА)
Потужність	0,4 Вт (корпус TO-92)
fT	80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА)
NF	10 дБ макс. (VCE 6 В, IC 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц)
Tj макс.	125 °C
Корпус	TO-92
Виробник	DDF (Shenzhen DingDeFeng Technology)

На канікулах до 20.11

2SC3150 BU3150 транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC3150 ( BU3150 ) , TO220

В наявності

36,19 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга VCEO	800 В (IC 5 мА, RBE = ∞)
Напруга VCBO	900 В (IC 1 мА, IE 0)
Напруга VEBO	7 В (IE 1 мА, IC 0)
Струм колектора	3 А (пік ICM 10 А)
hFE-1	10–40 (IC 0,2 А, VCE 5 В)
VCE(sat)	2,0 В макс. (IC 1,5 А, IB 0,3 А)
Потужність	50 Вт (TC 25 °C)
fT	15 МГц мін. (IC 0,2 А, VCE 10 В)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-220
Виробник	SPTECH

На канікулах до 20.11

2SC2655 транзистор NPN TO-92L, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC2655 ( 2SC2655L )

В наявності

18,80 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга VCEO	50 В (абсолютний максимум)
Напруга VCBO	50 В
Напруга VEBO	5 В
Струм колектора (постійний)	2 А
Потужність	0,9 Вт
hFE(1)	70–240 (VCE 2 В, IC 500 мА)
hFE(2)	40 мін. (VCE 2 В, IC 1,5 А)
VCE(sat)	0,5 В макс. (IC 1 А, IB 0,05 А)
fT	100 МГц мін. (VCE 2 В, IC 0,5 А)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92L

На канікулах до 20.11

Демонтаж

Додати в обране

Транзистор 2SC2625 оригінал демонтаж

В наявності

64,39 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Triple Diffused Planar
Виробник	Fuji Electric
Корпус	TO-3P
Напруга колектор–база Vcbo	450 В (Tc 25 °C)
Напруга колектор–емітер Vceo	400 В (Tc 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	7 В (Tc 25 °C)
Струм колектора Ic	10 А (Tc 25 °C)
Струм бази Ib	3 А (Tc 25 °C)
Потужність розсіювання Pc	80 Вт (Tc 25 °C)
Температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 10 (Ic 4 А, Vce 5 В)
Напруга насичення Vce(sat)	макс. 1.2 В (Ic 4 А, Ib 0.8 А)
Тепловий опір Rth(j-c)	1.55 °C/Вт
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC2611 NPN транзистор TO-126 MOD, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC2611

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, Triple Diffused
Виробник	Hitachi
Корпус	TO-126 MOD
Напруга колектор–база Vcbo	300 В
Напруга колектор–емітер Vceo	300 В
Напруга емітер–база Vebo	5 В
Струм колектора Ic	100 мА
Потужність розсіювання Pc	1.25 Вт
Температура переходу Tj	150 °C
Коефіцієнт підсилення hFE	мін. 30, макс. 200 (Vce 20 В, Ic 20 мА)
Гранична частота fT	мін. 50, тип. 80 МГц (Vce 20 В, Ic 20 мА)
Вихідна ємність Cob	макс. 4.0 пФ (Vcb 20 В, Ie 0, f 1 МГц)

На канікулах до 20.11

2SC2500 NPN транзистор TO-92MOD, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC2500

В наявності

11,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Виробник	Toshiba
Корпус	TO-92MOD
Напруга колектор–база Vcbo	30 В
Напруга колектор–емітер Vces	30 В
Напруга колектор–емітер Vceo	10 В
Напруга емітер–база Vebo	6 В
Струм колектора Ic (DC)	2 А
Струм колектора імпульсний Icp	5 А (імпульс до 10 мс, шпаруватість до 30 %)
Потужність розсіювання Pc	900 мВт
Коефіцієнт підсилення hFE(1)	140–600 (Vce 1 В, Ic 0.5 А)
Напруга насичення Vce(sat)	тип. 0.2 В, макс. 0.5 В (Ic 2 А, Ib 50 мА)

На канікулах до 20.11

2SC2482 транзистор NPN TO-92L, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC2482

В наявності

7,99 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN, кремнієвий
Напруга BVCEO	300 В (IC 3 мА, IB 0)
Напруга BVCBO	300 В (IC 100 мкА, IE 0)
Напруга BVEBO	7 В (IE 100 мкА, IC 0)
Струм колектора ICM	0,1 А
Потужність	900 мВт (Ta 25 °C)
VCE(sat)	1,0 В макс. (IC 10 мА, IB 1 мА)
fT	50 МГц мін. (VCE 10 В, IC 20 мА)
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-92L

На канікулах до 20.11

MGF65A4R IGBT-транзистор TO-3P, фото маркування

Демонтаж

Додати в обране

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴

Параметр	Значення
Напруга колектор–емітер Vces	650 В
Струм колектора Ic (25 °C)	65 А
Струм колектора Ic (100 °C)	40 А
Напруга насичення Vce(sat)	1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діод	є
Макс. температура переходу Tj	175 °C
Корпус	TO-3P
Вхідна ємність Cies	2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

На канікулах до 20.11

2SC2383 транзистор NPN SOT-89, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC2383

В наявності

23,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Напруга Vceo	160 В (Ic 1 мА, Ib 0; Ta 25 °C)
Напруга Vcbo	160 В (Ta 25 °C)
Напруга Vebo	6 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	1 А (Ta 25 °C)
Потужність Pc	500 мВт (Ta 25 °C)
hFE	60–320 (Vce 5 В, Ic 200 мА; ранги R 60–120, O 100–200, Y 160–320)
Vce(sat)	1.0 В макс. (Ic 500 мА, Ib 50 мА)
fT	20 МГц тип. (Vce 5 В, Ic 200 мА)
Tj макс.	150 °C
Корпус	SOT-89

На канікулах до 20.11

2SC2331 NPN транзистор TO-220, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC2331

В наявності

16,45 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN
Корпус	TO-220
Напруга Vceo	100 В (відкрита база)
Напруга Vcbo	100 В (відкритий емітер)
Напруга Vebo	7 В (відкритий колектор)
Струм колектора Ic	2.0 А (постійний; імпульсний 4,0 А)
Потужність розсіювання	15 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	150 °C
hFE	40–200 (VCE 5 В, IC 1 А)
Vce(sat)	0.6 В макс. (IC 1 А, IB 0,1 А; Tj 25 °C)

На канікулах до 20.11

2SC2330 ВЧ транзистор NPN, фото маркування

Додати в обране

Транзистор 2SC2330

В наявності

9,87 ₴

Параметр	Значення
Тип	NPN епітаксіальний кремнієвий (підсилювач потужності VHF)
Напруга колектор–емітер Vceo	18 В (Ta 25 °C)
Напруга колектор–база Vcbo	38 В (Ta 25 °C)
Напруга емітер–база Vebo	3 В (Ta 25 °C)
Струм колектора Ic	6 А (Ta 25 °C)
Потужність розсіювання Pt	70 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj	200 °C
Тепловий опір перехід–корпус	2.5 °C/Вт
Вихідна потужність Pout	45.7 дБм тип., 45 дБм мін. (Vcc 13,5 В, f 175 МГц, Pin 39 дБм)
ККД колектора	75 % тип., 60 % мін. (Vcc 13,5 В, f 175 МГц, Pin 39 дБм)
Коефіцієнт підсилення hFE	20 мін., 60 тип., 200 макс. (Vce 10 В, Ic 1,0 А імпульс)
Корпус	№783 за таблицею документа

На канікулах до 20.11

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин