Магазин
Транзистор V5036S ( ISL9V5036S3S ) оригінал, D2PAK
Немає в наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT запалювання N-канал (EcoSPARK) |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга пробою Vces | 360 В (Ic = 2 мА, Vge = 0) |
| Струм Ic | 46 А (Tc = 25 °C); 31 А (Tc = 110 °C) |
| Vce(sat) | 1,17 В (Ic = 10 А, Vge = 4 В, Tc = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg(on) | 32 нКл (Ic = 10 А, Vce = 12 В, Vge = 5 В) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP40T15GU ( P40T15GU ) оригінал, PDFN-8(5×6)
Немає в наявності
108,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE |
| Тип каналу | N (Super Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 106 А |
| Rds(on) при VGS 10 В, ID 20 А | тип. 1.09 мОм, макс. 1.35 мОм |
| Rds(on) при VGS 4.5 В, ID 20 А | тип. 1.5 мОм, макс. 1.85 мОм |
| Vgs(th) | тип. 1.5 В (1.0–2.2 В) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 135 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 5200 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) , TO-247
Немає в наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vce | 1350 В (Vge = 0, Ic = 0,75 мА) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc = 1080 В, Ic = 30 А, Vge = 15 В) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
Мікросхема LM1881N оригінал, DIP8
Немає в наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Роздільник синхросигналів відео |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга живлення | 5–12 В (одинарне живлення) |
| Макс. напруга живлення | 13,2 В (абсолютний максимум) |
| Струм споживання | 5,2 мА (типово; макс. 10 мА; Vcc 5 В, виходи в лог. 1) |
| Розсіювана потужність корпусу | 1100 мВт (абсолютний максимум) |
| Частота рядків | до 150 кГц |
| Вхідний опір | понад 10 кОм |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG27324 , so-8
Немає в наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Кількість каналів | 2 незалежні (INA/OUTA, INB/OUTB) |
| Напруга живлення VCC | 2.8–20 В (25 °C) |
| Вихідний струм IO– | 2.5 А (мін. 2 А), VCC 12 В, CL 1 нФ, імпульс до 10 мкс |
| Струм спокою Icc | менше 1 мкА (VCC 12 В, 25 °C) |
| Поріг логічної одиниці | від 2.5 В |
| Поріг логічного нуля | до 1.0 В |
| Робоча температура | –45…+125 °C |
Транзистор HYG026N08NS ( HYG026N08 , G026N08 ) оригінал, D2PAK
Немає в наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, режим збагачення |
| Виробник | Huayi Microelectronics |
| Напруга Vds | 80 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id | 200 А (Tc 25 °C), 141,4 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 2,6 мОм тип., 3,1 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 50 А) |
| Vgs(th) | 2,2 / 3 / 3,8 В (мін. / тип. / макс.) |
| Qg | 107 нКл (Vgs 10 В, Vds 64 В, Ids 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7782 пФ (Vds 25 В, f 500 кГц) |
| Pd | 258,6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR6045PT оригінал ( заміна для MBR6045WT ) , TO247
Немає в наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | YFW |
| Зворотна напруга Vrrm | 45 В (на плече, Ta 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 60 А (30 А на плече) |
| Імпульсний струм Ifsm | 450 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 0.61 В (If = 30 А, Ta 25 °C, макс. на плече) |
| Пряма напруга Vf при 125 °C | 0.51 В (If = 30 А, Ta 125 °C, тип. на плече) |
| Зворотний струм Ir | 50 мкА (Vr = 45 В, Ta 25 °C, макс.) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2 °C/Вт (на плече, на радіаторі) |
| Конфігурація | здвоєний 2×30 А |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7560A оригінал
Немає в наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Призначення | 4-канальний мостовий підсилювач класу AB |
| Корпус | Flexiwatt27 |
| Потужність на канал, 4 Ом | 4 x 30 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Потужність на канал, 2 Ом | 4 x 55 Вт (VS 14.4 В, 1 кГц, THD 10 %) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ |
| Робоча напруга VS, макс. | 18 В |
| Піковий вихідний струм | 9 А |
| Струм спокою | 200 мА (VS 13.2 В, RL = ∞, типово) |
| Розсіювана потужність | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема RZ7886 , DIP8
Немає в наявності
70,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Драйвер двигуна постійного струму |
| Виробник | Wuxi Microelectronics |
| Корпус | DIP8 |
| Робоча напруга живлення | 3,0–14 В |
| Макс. напруга живлення Vcc | 15 В (абсолютний максимум) |
| Вихідний струм Iout | 13 А (таблиця Absolute Maximum Rating) |
| Струм у режимі очікування | 2 мкА (макс.; Vcc 9 В, Vi = 0) |
| Спад на нижньому виході VLOUT | 0,12 В (типово; макс. 0,3 В; Vcc 6 В, Io 5 А, Ta 25 °C) |
| Температура теплового відключення | 130 °C |
| Робочий діапазон температур | -25…+85 °C |
Демонтаж
Мікросхема FAN4800IN оригінал демонтаж, DIP16
Немає в наявності
100,11 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Контролер PFC/PWM |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | DIP16 |
| Макс. напруга живлення Vcc | 20 В (абсолютний максимум) |
| Поріг вмикання UVLO Vth(start) | 13,00 В (типово; 12,74–13,26 В) |
| Гістерезис UVLO | 3,00 В (типово; 2,80–3,20 В) |
| Струм запуску Ist | 100 мкА (типово; макс. 200 мкА) |
| Робочий струм Iop | 2,5 мА (типово; макс. 7,0 мА; Vcc 12 В, CL 0 пФ) |
| Макс. частота ШІМ | 250 кГц |
| Піковий струм виходів PFC OUT і PWM OUT | 1 А (абсолютний максимум) |
| Робочий діапазон температур | -40…+125 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Діод MUR6030DCS оригінал (300V,60A) , TO3P-3pin
Немає в наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) |
| Тип | ультрашвидкий діод, здвоєний |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В |
| Прямий струм IF(AV) | 30 А на один діод, 60 А обидва (Tc 135 °C) |
| Ударний прямий струм IFSM | 350 А (на один діод, tp 8.3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1.01 В тип., 1.15 В макс. (IF 30 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 33 нс тип., 45 нс макс. (VR 30 В, IF 1 А, dI/dt -50 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Електролітичний конденсатор 470uF 450V 85C ( 470мкФ 450В 85град , 470*450*85гр ) жорсткі виводи 30*45мм
Немає в наявності
305,50 ₴
Транзистор SVF4N65F оригінал (4A,650V), TO220F
Немає в наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 650 В (VGS = 0 В) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 4.0 А (Tc = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 2.5 А (Tc = 100 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 2.3 Ом тип., 2.7 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема PAL012A
Немає в наявності
329,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Клас підсилювача | AB |
| Структура | повністю комплементарна PNP/NPN, rail-to-rail вихід без бутстрепних конденсаторів |
| Особливості | standby, mute, автоматичне вимкнення звуку при мінімальній напрузі живлення |
| Захист | КЗ на GND, на VS і на навантаженні; індуктивне навантаження; м’яке теплове обмеження; load dump; обрив GND; переполюсування батареї; ESD |
Мікросхема LV5683 оригінал
Немає в наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanyo Semiconductor |
| Тип | Багатоканальний стабілізатор напруги, 4 виходи |
| Корпус | HZIP15, 15 виводів |
| Вихід VDD | 5,0 (3,3) В, Io max 300 мА |
| Вихід AUDIO | 8,5 В, Io max 300 мА |
| Вихід SWU | 3,3 В, Io max 500 мА |
| Вихід USB | 5,0 (8,0 для CD) В, Io max 1100 мА |
| Макс. напруга живлення | 36 В (Ta = 25 °C) |
| Розсіювана потужність без радіатора | 1,3 Вт (Ta ≤ 25 °C, лише мікросхема) |
| Розсіювана потужність з Al-радіатором | 5,3 Вт (Ta ≤ 25 °C, радіатор 50×50×1,5 мм) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема IRS20957S оригінал, so-16
Немає в наявності
181,42 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Топологія | півміст |
| Напруга зсуву Voffset (макс.) | ±100 В |
| Вихідні струми Io+ / Io- (типово) | 1,0 / 1,2 А |
| Вибірковий час паузи (dead time) | 15 / 25 / 35 / 80 нс (чотири значення на вибір) |
| Затримка ввімкнення / вимкнення (типово) | 95 / 80 нс |
| Затримка захисту від перевантаження за струмом | 500 нс (макс.) |
| Затримка вимкнення (Shutdown) | 250 нс (макс.) |
| Робоча частота | до 800 кГц |
| Логічний вхід | 3,3 В / 5 В (сумісність) |
| Макс. напруга живлення верхнього плеча VB | 215 В (абсолютний максимум) |
| Макс. напруга живлення нижнього плеча VCC | 20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість виводів | 16 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ICE3BR4765JZ ( 3BR4765JZ ) , DIP7
Немає в наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стоку VDS | 650 В (V(BR)DSS мін., Tj 110 °C) |
| Опір каналу RDS(on) | 4,70 Ом типово, макс. 5,44 Ом (ID = 0,5 А, Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 65 кГц (Tj 25 °C, джитер ±2,6 кГц) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 75 % типово |
| Поріг вмикання VCC | 18,0 В типово |
| Поріг вимикання VCC | 10,5 В типово |
| Макс. напруга живлення VCC | 27 В (абсолютний максимум) |
| Споживання в режимі очікування | <50 мВт (Active Burst Mode) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | DIP7 |
| Виробник | Infineon |
Мікросхема AMS1117-3.3 , sot89
Немає в наявності
23,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна напруга | 3,3 В (Tj 25 °C, IOUT = 10 мА) |
| Вихідний струм | 1 А |
| Макс. вхідна напруга | 15 В (абсолютний максимум) |
| Падіння напруги (dropout) | 1,1 В типово, макс. 1,3 В (IOUT = 0,8 А) |
| Струм обмеження | 1100 мА типово (VIN – VOUT = 1,5 В) |
| Струм споживання | 5 мА типово, макс. 11 мА |
| Придушення пульсацій | 72 дБ типово (f 120 Гц, IOUT = 1 А) |
| Температура переходу | –40…+125 °C |
| Корпус | SOT-89 |
| Виробник | Advanced Monolithic Systems |