Магазин
Діод MUR1560 ( MUR1560G , U1560 ) оригінал (600V,15A), TO220-2pin
Немає в наявності
72,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод ультрашвидкий |
| Зворотна напруга Vrrm | 600 В |
| Середній прямий струм | 15 А (TO-220, Tc 135 °C) |
| Повторюваний імпульсний струм Ifrm | 30 А |
| Ударний струм Ifsm | 200 А (t = 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1,6 В макс. (If 15 А, Tc 25 °C) |
| Час відновлення trr | 40 нс макс. (Vr 30 В, If 1 А, -dI/dt 50 А/мкс) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1,15 °C/Вт |
| Корпус | TO-220AC, 2 виводи |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TDA7562 оригінал
Немає в наявності
391,98 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга живлення | 8–18 В (VS 14,4 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення DC, макс. | 28 В (абсолютний максимум) |
| Вихідна потужність, 4 Ом | 25 Вт на канал (THD 10 %, 1 кГц, VS 14,4 В) |
| Вихідна потужність EIAJ, 4 Ом | 35 Вт на канал (VS 13,7 В) |
| Вихідна потужність, 2 Ом | 38 Вт на канал (THD 10 %, 1 кГц, VS 14,4 В) |
| Макс. вихідна потужність, 2 Ом | 60 Вт на канал (MAX POWER) |
| Струм спокою | 150 мА (типово, макс. 300 мА; VS 14,4 В) |
| Коефіцієнт підсилення | 16 / 30 дБ (вибирається) |
| Піковий вихідний струм | 6 А (повторюваний, f > 10 Гц) |
| Потужність розсіювання | 85 Вт (Tcase 70 °C) |
| Температура переходу, макс. | 150 °C |
| Корпус | Flexiwatt27 (вертикальний) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GW38IH130D ( STGW38IH130D ) оригінал, TO-247 (заміна для 20N120CND , 30N140IHR , NGTB30N140IHR3 , IRG4PH50S , AUIRG4PH50S )
Немає в наявності
250,04 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (VGE = 0) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 33 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 63 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В (VGE 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (VCE 960 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF18N50PN ( 18N50 ) оригінал (заміна для FDA18N50 , FQA18N50 ) , TO-3P
Немає в наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 18 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 11 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (макс.), 0.26 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 9 А |
| Vgs(th) | від 2.0 до 4.0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Qg | 38 нКл (тип.; Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Потужність Pd | 240 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.3 В при Is 18 А) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема YD7389A оригінал
Немає в наявності
277,77 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Вихідна потужність (BTL) | 25 Вт (Vcc = 14,4 В, RL = 4 Ом, THD = 10 %) |
| Коефіцієнт підсилення | 26 дБ (BTL, Vcc = 14,4 В) |
| Робоча напруга живлення +B | 8,5–18 В |
| Напруга живлення, максимум | 28 В (абсолютний максимум, Tamb = 25 °C) |
| Стабілізатор 1 | 5,0 В (±2 %, до 500 мА) |
| Стабілізатор 2 | 9,0 В (до 300 мА) |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Корпус | HZIP27 |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема GD32F303RCT6 ( GD32F303 ) оригінал, LQFP64
Немає в наявності
206,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | 32-бітний мікроконтролер |
| Виробник | GigaDevice |
| Ядро | Arm Cortex-M4, 32 біт (з DSP-інструкціями) |
| Максимальна тактова частота | 120 МГц (Flash без циклів очікування) |
| Напруга живлення | 2,6–3,6 В |
| Робоча температура | -40…+85 °C |
| Flash-пам'ять | 256 КБ (варіант RC) |
| SRAM | 48 КБ (варіант RC) |
| Корпус | LQFP64 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGP15N60UNDF ( FGP15N60 ) оригінал, TO220
Немає в наявності
201,63 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В (Ic 15 А, VGE 15 В, Tc 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 43 нКл (VCE 400 В, Ic 15 А, VGE 15 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 178 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | onsemi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G80H65DFB ( GWA80H65DFB , STGWA80H65DFB ) оригінал, TO247
Немає в наявності
423,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 120 А (обмежено корпусом) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (VGE 15 В, Ic 80 А, Tj 25 °C, типово) |
| Заряд затвора Qg | 453 нКл (VCC 520 В, Ic 80 А, VGE 0–15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 535 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190P6 ( IPA60R190P6 ) оригінал, TO220F
Немає в наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0, Id 1 мА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20,2 А (Tc 25 °C); 12,7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 190 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 7,6 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл (типове, Vdd 400 В, Id 9,5 А, Vgs 0–10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1750 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3,5–4,5 В (Id 0,63 мА) |
| Ptot | 34 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20N50C ( SiHG20N50C ) оригінал, TO247
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,23 Ом (типове) при Vgs 10 В, Id 1 А |
| Qg | 45 нКл (типове) при Vds 480 В, Vgs 10 В, Id 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 3550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BT15N120 оригінал, TO3P
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 15 А (Tc 100 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,3 В (Ic 15 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 127 нКл (Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В, типове) |
| Вбудований діод | так |
| Пряма напруга діода Vf | 1,2 В (If 15 А, Tc 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 326 нс (If 15 А, di/dt 200 А/мкс, Tc 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Pd | 186 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема Power TNY180PN оригінал, DIP7
Немає в наявності
82,72 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | DIP7 |
| Напруга вбудованого MOSFET | 650 В |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 %, адаптер | 20 Вт (закритий адаптер, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 230 В AC ±15 %, пікова або відкрита | 36,5 Вт |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC, адаптер | 14 Вт (закритий адаптер, 50 °C) |
| Вихідна потужність, 85–265 В AC, пікова або відкрита | 28,5 Вт |
| Напруга на виводі BP/M | 5,85 В (саможивлення, без обмотки зміщення) |
| Споживання без навантаження | <150 мВт (265 В AC, без обмотки зміщення; <50 мВт з обмоткою) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Magna MDP15N60G оригінал, TO220
Немає в наявності
90,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 15 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 9.5 А |
| Rds(on) | 0.40 Ом (макс.), 0.34 Ом (тип.) при Vgs 10 В, Id 7.5 А |
| Vgs(th) | від 3.0 до 5.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 49.0 нКл (тип.; Vds 480 В, Id 15 А, Vgs 10 В) |
| Потужність Pd | 231.4 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (Vsd макс. 1.4 В при Is 15 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
Діодний міст D35SB100 (Заміна для D30SB100 )
Немає в наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | LRC (Leshan Radio Company) |
| Конфігурація | однофазний мостовий, в одну лінію, скляна пасивація |
| Напруга Vrrm | 1000 В |
| Діюча напруга Vrms | 700 В |
| Напруга Vdc | 1000 В |
| Середній струм Io | 35 А (з радіатором, Tc 100 °C) |
| Середній струм Io (без радіатора) | 10 А (на платі, Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ifsm | 400 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні) |
| I2t | 660 А2с (t < 8,3 мс) |
| Пряма напруга Vf | 1.05 В (If 17,5 А) |
| Зворотний струм Ir | 10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr) |
| Зворотний струм Ir (125 °C) | 500 мкА (Ta 125 °C, номінальна Vr) |
| Ізоляція Viso | 2.5 кВ (AC, 1 хв, 1 мА) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 0.8 °C/Вт (на радіаторі Al, на гілку) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | пластиковий, однорядний (SIP), 4 виводи |
Демонтаж
Транзистор IR IRGP4266D оригінал, TO247 б/в
Немає в наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 140 А (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 90 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,7 В (Vge 15 В, Ic 75 А, Tj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,5–7,7 В (Vce = Vge, Ic 2,1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 140 нКл (Ic 75 А, Vge 15 В, Vcc 400 В, типове) |
| Час спаду tf | 60 нс (Ic 75 А, Vcc 400 В, Vge 15 В, Rg 10 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | так, надшвидкий з м’яким відновленням |
| Пряма напруга діода Vf | 2,1 В (If 75 А, Tj 25 °C, типове) |
| Час відновлення діода trr | 170 нс (Vcc 400 В, If 75 А, Vge 15 В, Rg 10 Ом, Tj 175 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 455 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IR IRG4PF50WD ( G4PF50WD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
Немає в наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип приладу | IGBT |
| Виробник | IR (International Rectifier, тепер Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | G4PF50WD |
| Вхідна ємність Cies | 3300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HUAYI G032N08 ( HYG032N08 , HYG032N08NS1P , G032N08P ) оригінал, TO220
Немає в наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | HUAYI |
| Напруга Vds (Vgs 0 В, Tj 25 °C) | 80 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 127.3 А |
| Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А) | 3.0 мОм (макс. 3.4 мОм) |
| Qg (Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 50 А) | 118 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7520 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc 25 °C) | 220.6 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор UTC UTC100N03L ( 100N03L , UT100N03 , 100N03 ) оригінал, TO220(заміна для MT3203 )
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 30 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 4.6 мОм (макс.), 3.6 мОм (тип.) при Vgs 10 В, Id 50 А |
| Vgs(th) | від 1.0 до 3.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Qg | 81 нКл (Vds 15 В, Vgs 5 В, Id 16 А) |
| Потужність Pd | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор HY3408A ( HY3408 , HY3408P ) оригінал демонтаж,TO220
Немає в наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N, режим збагачення |
| Напруга Vds | 85 В (VGS 0 В, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 140 А (на великому радіаторі) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 99 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 7,5 мОм макс., 6,3 мОм тип. (VGS 10 В, IDS 60 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3,0 В тип. (2,0–4,0 В; VDS = VGS, IDS 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 250 Вт (Tc 25 °C), 125 Вт (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є (VSD 0,8 В, макс. 1,2 В при ISD 70 А; trr 28 нс, Qrr 52 нКл) |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема SanKen STRW6051S оригінал
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F-6L |
| Напруга пробою VDSS | 650 В (мін.) |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 3.95 Ом (макс.; TA 25 °C) |
| Піковий струм стоку IDPEAK | 5.0 А (одиночний імпульс, TA 25 °C) |
| Енергія лавини EAS | 47 мДж (ILPEAK 2.0 А) |
| Потужність MOSFET PD1 | 22.3 Вт (з нескінченним радіатором; без радіатора 1.3 Вт) |
| Частота перемикання fOSC(AVG) | 67 кГц (типово, діапазон 60–74 кГц; TA 25 °C, VCC 18 В) |
| Макс. скважність DMAX | 71 % (типово, діапазон 63–79 %) |
| Напруга пуску VCC(ON) | 15.3 В (типово, діапазон 13.8–16.8 В) |
| Напруга вимкнення VCC(OFF) | 8.1 В (типово, діапазон 7.3–8.9 В) |
| Напруга VCC макс. | 32 В (Absolute maximum) |
| Вихідна потужність (відкрита рама) | 45 Вт (230 В AC; 30 Вт при 85–265 В AC; TA 50 °C) |
| Температура каналу Tch макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема STRA6079M ( STR-A6079M , A6079M ) демонтаж, DIP7
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | DIP7 |
| Піковий струм стоку | 1,2 А (одиночний імпульс) |
| Опір відкритого каналу | 19,2 Ом макс. при Ids 0,4 А |
| Середня частота перетворення | 67 кГц (діапазон 60–74 кГц) |
| Напруга запуску Vcc(ON) | 15,3 В (діапазон 13,8–16,8 В) |
| Макс. напруга VCC | 32 В |
| Споживання без навантаження | <25 мВт |
| Стан | Демонтаж б/в |
Електролітичний конденсатор 10000uF 25V 105C ( 10000мкФ 25В 105град , 10000*25*105гр ) Rubycon 18*35.5мм оригінальний японський
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність | 10000 мкФ |
| Робоча напруга | 25 В |
| Максимальна температура | 105 °C |
| Розмір (Ø×L) | 18×35.5 мм |
| Виробник | Rubycon |
| Походження | оригінальний японський |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 6R199P ( IPP60R199CP ) оригінал демонтаж, TO220
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (VGS 0 В, ID 250 мкА, мін.; 650 В при Tj max) |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 10 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,199 Ом макс., 0,18 Ом тип. (VGS 10 В, ID 9,9 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 43 нКл макс. (VDD 400 В, ID 9,9 А, VGS 0…10 В) |
| Потужність розсіювання Pd | 139 Вт (TC 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3 В тип. (2,5–3,5 В; VDS = VGS, ID 0,66 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (VSD 0,9 В, макс. 1,2 В при IF 9,9 А) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |