Магазин
Мікросхема BTS442E2 оригінал, TO263-5
Немає в наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | інтелектуальний ключ верхнього плеча (PROFET, N-канальний MOSFET) |
| Корпус | TO263-5 |
| Rds(on) тип. | 15 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 18 мОм (IL = 5 А, Vbb = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4,5…42 В (Tj = -40…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 63 В (Tj = 25 °C) |
| Номінальний струм IL(ISO) | 21 А (VON = 0,5 В, TC = 85 °C) |
| Обмеження струму IL(SCr) | 70 А |
| Розсіювана потужність Ptot | 167 Вт (DC, Tj = 25 °C) |
| Температура Tj | -40…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Мікросхема BTS441T ( BTS441TG ), оригінал демонтаж, TO263-5
Немає в наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO263-5 |
| Опір відкритого каналу RDS(on) | 15 мОм (типово, макс. 20 мОм; IL 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj 25 °C) |
| RDS(on) при 150 °C | 28 мОм (типово, макс. 37 мОм; IL 2 А, Vbb ≥ 7 В, Tj 150 °C) |
| Робоча напруга Vbb(on) | 4.75–41 В (Tj –40…+150 °C) |
| Напруга живлення Vbb макс. | 43 В (Absolute maximum, Tj 25 °C) |
| Номінальний струм навантаження | 21 А (типово, мін. 17 А; ISO 10483-1, VON 0.5 В, TC 85 °C) |
| Обмеження струму IL(lim) | 65 А (типово при Tj 150 °C; макс. 85 А при –40 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 125 Вт (TC ≤ 25 °C) |
| Робоча температура Tj | –40…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 4N04R8 ( IPLU300N04S4-R8 ) оригінал, H-PSOF-8-1
Немає в наявності
122,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | MOSFET N-канал (OptiMOS-T2, automotive) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID (TC 25 °C, VGS=10 В) | 300 А |
| Струм ID (TC 100 °C, VGS=10 В) | 300 А |
| Rds(on) макс. (VGS=10 В, ID=100 А, Tj 25 °C) | 0.77 мОм |
| Qg (VDD=32 В, ID=300 А, VGS 0…10 В) | 221 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 17650 пФ |
| Потужність Ptot (TC 25 °C) | 429 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TOLL |
| Стан | Оригінал |
Транзистор BTS112A , D2PAK
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення (TEMPFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 33 °C) |
| Опір відкритого каналу Rds(on) | 0,12 Ом тип., 0,15 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7,5 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5–3,5 В (тип. 3,0 В; Vgs = Vds, Id 1 мА) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Пряма напруга діода Vsd | 1,3 В тип., 1,6 В макс. (If 12 А, Vgs 0 В) |
| Корпус | D2PAK |
Мікросхема NSI6602CD оригінал ( NSI6602C-DSWR , NSI66 02CD , NS16602CD , NS166 02CD ), sow16
Немає в наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Вихідний струм (джерело) | 4 А, пікове значення |
| Вихідний струм (приймач) | 6 А, пікове значення |
| Напруга VDDA/VDDB (варіант C) | 14,2…25 В |
| Напруга VDDI | 3…5,5 В |
| UVLO вихідної сторони (варіант C) | 13 В, типовий |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL 1577 |
| Затримка поширення | 25 нс, типова |
| CMTI | 150 кВ/мкс, типова |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема MAP3612 , so-16
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Корпус | SO-16 |
| Кількість каналів | 2 |
| Напруга живлення VCC | 8.5–18 В (робочий діапазон) |
| VCC, GATE, PWM, MODE, SEL макс. | 20 В (Absolute maximum) |
| Струм спокою IQ | 3.4 мА (типово; VCC 12 В, VPWM 5 В, VCS 0 В) |
| Аналогове димування VADIM | 0.5–3.0 В |
| Струм заряду затвора GATE1/2 | 400 мА (VGATE 0 В, VCC 12 В) |
| Струм розряду затвора GATE1/2 | 800 мА (VGATE = VCC = 12 В, CGATE 1 нФ) |
| Макс. скважність | 97 % |
| Поріг UVLO | 8.0 В (типово, діапазон 7.5–8.5 В) |
| Робоча температура TA | –40…+85 °C |
Мікросхема DNP015 ( DNP015NA ) , DIP8
Немає в наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | DIP8 |
| Напруга пробою BVDSS | 700 В (мін.; VGS 0 В, ID 250 мкА, TJ 25 °C) |
| Імпульсний струм стоку IDM | 12 А (Absolute maximum) |
| Потужність розсіювання PD | 1.55 Вт (TA ≤ 50 °C) |
| Частота перетворення fOSC | 100 кГц (типово, діапазон 94–106 кГц; у режимі Green 23 кГц) |
| Макс. скважність | 80 % |
| Поріг обмеження струму | 1.00 А (типово, діапазон 0.85–1.15 А; Duty > 40 %) |
| Напруга пуску UVLO VDD-ON | 12 В (типово, діапазон 11–13 В; VDD 15 В, TA 25 °C) |
| Напруга живлення VDD макс. | 30 В (Absolute maximum) |
| Робочий діапазон температур | –40…+105 °C |
| Тепловий опір θJA | 81 °C/Вт |
Мікросхема EG3013 ( EG3013S ), so-8
Немає в наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга живлення Vcc | 4.5–30 В (типово 15 В, TA 25 °C) |
| Vcc макс. | 35 В (TA 25 °C) |
| Напруга VB (bootstrap) макс. | 100 В (Absolute maximum, TA 25 °C) |
| Струм спокою Icc | 4.5 мА (типово, макс. 6 мА; Vcc 15 В, входи не підключені) |
| Вихідний струм IO– | 1 А (типово, мін. 0.8 А) |
| Мертвий час | 120 нс (типово, діапазон 80–400 нс; CL 0) |
| Робоча температура TA | –45…85 °C |
| Температура зберігання | –65…125 °C |
Діод MUR2020CT оригінал , TO220-3pin (20A,200V)
Немає в наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm | 200 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) на діод | 10 А (Tc 25 °C; 20 А на обидва діоди) |
| Повторюваний піковий струм Ifrm | 15 А |
| Неповторюваний піковий струм Ifsm | 120 А (на один діод) |
| Пряма напруга Vf | 1.0 В (If 10 А, Tc 25 °C, макс.; типово 0,93) |
| Час зворотного відновлення trr | 35 нс (Vr 30 В, If 1 А, dI/dt 50 А/мкс, макс.; типово 23) |
| Робочий діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Конфігурація | два діоди в корпусі (2×10 А) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема TNY264GN , SMD8B
Немає в наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Off-line перетворювач TinySwitch-II з керуванням ON/OFF |
| Виробник | Power Integrations |
| Напруга DRAIN, макс. допустима | 700 В (від -0,3 В; абсолютний максимум) |
| Струм обмеження ILIMIT | 250 мА типово (мін. 233, макс. 267; Tj 25 °C; di/dt = 50 мА/мс) |
| Піковий струм DRAIN, макс. | 400 мА (абсолютний максимум) |
| Опір відкритого ключа RDS(on) | 28 Ом типово (макс. 32 Ом; ID = 25 мА; Tj 25 °C) |
| Частота перетворення | 132 кГц середня (мін. 124, макс. 140; Tj 25 °C) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 65 % (мін. 62, макс. 68) |
| Вихідна потужність | 5,5 Вт (адаптер, 230 В AC ±15 %) |
| Робоча температура переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 70 °C/Вт (корпус P або G, мідь 232 мм2) |
| Корпус | SMD-8B (G package) |
IGBT-транзистор H40R1353 ( IHW40N135R3 ) , TO247
Немає в наявності
126,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vce | 1350 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А (Tc 25 °C, обмежено Tvj max) |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А (Tc 100 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,65 В (Vge 15 В, Ic 40 А, Tvj 25 °C, типове) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 5,8 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, типове) |
| Заряд затвора Qg | 365 нКл (Vcc 1080 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Час спаду tf | 43 нс (Tvj 25 °C, Vcc 600 В, Ic 40 А, Vge 0/15 В, Rg 7,5 Ом) |
| Вбудований діод | так, монолітний, для м’якої комутації |
| Пряма напруга діода Vf | 1,65 В (If 40 А, Vge 0 В, Tvj 25 °C, типове) |
| Потужність розсіювання Ptot | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Демонтаж
Мікросхема MA8910 оригінал демонтаж
Немає в наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Мікросхема TDA2822M ( Заміна для D2822A , KA2209 ) , DIP8
Немає в наявності
23,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | Двоканальний підсилювач потужності, стерео або мостове вмикання |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга живлення | 1,8–15 В (Vs = 6 В; Tamb 25 °C) |
| Напруга живлення, макс. допустима | 15 В (абсолютний максимум) |
| Піковий вихідний струм | 1 А (абсолютний максимум) |
| Повна розсіювана потужність | 1 Вт (Tamb = 50 °C; 1,4 Вт при Tcase = 50 °C) |
| Струм спокою | 6 мА типово (макс. 9 мА; Vs = 6 В; Tamb 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення (стерео) | 39 дБ типово (мін. 36, макс. 41; f = 1 кГц; Vs = 6 В) |
| Вхідний опір | 100 кОм мін. (f = 1 кГц) |
| Температура зберігання і переходу | -40…150 °C |
| Тепловий опір перехід–середовище | 100 °C/Вт макс. |
| Корпус | DIP-8 (8 виводів, Minidip) |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
Немає в наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N135R5 |
| Напруга Vces | 1350 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.65 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Реле BPD-SS-112DM (Заміна для YTA-SS-112DM , SPA-S-112DM , PCD-112D1MH , RE-112DM1 )(16A/250V)
Немає в наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | QLRELAY |
| Напруга котушки | 12 В DC |
| Струм котушки | 16.67 мА (±10 %, при 23 °C) |
| Опір котушки | 720 Ом (±10 %, при 23 °C) |
| Контакти | 1 група, замикаюча |
| Струм контактів | 16 А при 250 VAC, активне навантаження |
| Макс. комутована потужність | 4000 ВА |
| Час спрацювання | 10 мс (макс.) |
| Час відпускання | 5 мс (макс.) |
| Ізоляція котушка–контакти | 2500 В AC, 1 хв |
| Робоча температура | -40…+105 °C |
| Корпус | PCB, 23.0×16.0x10.5 мм |
Електролітичний конденсатор 2200uF 50V 105C ( 2200мкФ 50В 105град , 2200*50*105гр ) chong 16*25мм
Немає в наявності
38,07 ₴
Термостат KSD301-140H 10А 140°C, контакти нормально замкнуті з руховим фланцем
Немає в наявності
42,30 ₴